公开(公告)号：KR20210035071A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025066A

申请日：2019-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사유키 사와타이시 ,  준 히로세

IPC: H01L21/3065 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/68735

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 따른 플라스마 에칭 방법에서는, 기판이 정전 척 상이면서 또한 포커스 링에 의해 둘러싸인 영역 내에 배치된다. 기판은, 정전 척에 의해 보유 지지된 상태에서 플라스마로부터의 이온에 의해 에칭된다. 정전 척은, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 복수의 전극을 갖는다. 제1 전극은, 기판의 중앙 영역의 하방에서 연장된다. 제2 전극은, 기판의 에지 영역의 하방에서 연장된다. 복수의 전극에는, 기판이 정전 척에 의해 보유 지지된 상태에서 플라스마로부터의 이온이 중앙 영역 및 에지 영역의 양쪽에 대략 수직으로 입사하도록 결정된 복수의 전압이 각각 인가된다.

公开(公告)号：KR20210034704A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020217008661A

申请日：2010-08-31

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 라진더 딘드사 ,  아키라 코시시 ,  알렉세이 마라크타노프

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67011 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H05H1/46

Abstract: 기판의 프로세싱 동안 플라즈마 프로세싱 챔버의 프로세싱 챔버 내의 RF 전류에 저 임피던스 RF 복귀 경로를 제공하는 무선 주파수 (RF) 접지 복귀 장치가 제공된다. RF 접지 복귀 장치는 한정 링들의 세트를 포함하고, 한정 링들의 세트는 기판 프로세싱 동안 기판을 에칭하는 플라즈마를 유지하도록 구성되는 한정된 챔버 볼륨을 둘러싸도록 구성된다. RF 접지 복귀 장치는 또한 하부 전극 지지 구조체를 포함한다. RF 접지 복귀 장치는 또한 RF 콘택 인에블된 컴포넌트를 포함하며, RF 콘택 인에블된 컴포넌트는, 저 임피던스 RF 복귀 경로가 RF 전류를 RF 소스로 되돌아 복귀시키는 것을 용이하게 하도록 한정 링들의 세트와 하부 전극 지지 구조체 사이에 RF 콘택을 제공한다.

公开(公告)号：KR20210031397A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020200114473A

申请日：2020-09-08

Applicant: 코멧 아게

Inventor： 안톤 라반크 ,  다니엘 그루너 ,  안드레 그리드

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32944 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67069 ,  H03F3/189 ,  H01J2237/24592 ,  H03F2200/451

Abstract: RF 생성기 설계 분야에서, 몇몇 출력 전력 오류는 너무 빨리 발생되어 디지털 제어 시스템이 이를 효과적으로 처리할 수 없다. 따라서, 전력 증폭기와, 전력 증폭기의 출력부에서 무선 주파수(RF) 신호를 샘플링하도록 구성된 적어도 하나의 샘플러와, 생성기로부터 RF 신호를 출력하도록 구성된 RF 출력부와, RF 입력 신호를 생성하고 RF 입력 신호를 전력 증폭기에 제공하도록 구성된 신호 생성기와, 디지털 제어부 및 아날로그 제어부를 포함하는 제어기 － 디지털 제어부와 아날로그 제어부 중 하나 또는 둘 모두는 적어도 전력 증폭기 및/또는 신호 생성기를 제어하도록 구성됨 － 와, 적어도 하나의 샘플러로부터의 신호의 아날로그 신호 표현이 제어기에 제공될 수 있게 하는, 적어도 하나의 샘플러와 제어기 사이의 아날로그 피드백 경로와, 적어도 하나의 샘플러로부터의 신호의 디지털 신호 표현이 제어기에 제공될 수 있게 하는, 적어도 하나의 샘플러와 제어기 사이의 디지털 피드백 경로를 포함하는 생성기가 제공된다.
제어기는 아날로그 신호 표현 및/또는 디지털 신호 표현에 기초하여 RF 출력에서의 RF 신호를 제 1 상태로부터의 제 2 상태로 조정하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR20210030199A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020200109220A

申请日：2020-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키히로 요코타

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/3341

Abstract: 하나의 개시되는 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 기판 지지기, 플라즈마 생성부, 및 제1과 제2 전자석 어셈블리를 구비한다. 기판 지지기는, 챔버 내에 배치된다. 기판 지지기 상의 기판의 중심은, 챔버의 중심축선 상에 위치한다. 플라즈마 생성부는, 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 제1 전자석 어셈블리는, 하나 이상의 제1 환상 코일을 포함하고, 챔버의 위 또는 상방에 배치되며, 챔버 내에 제1 자장을 생성하도록 구성된다. 제2 전자석 어셈블리는, 하나 이상의 제2 환상 코일을 포함하고, 챔버 내에 제2 자장을 생성하도록 구성된다. 제2 자장은, 기판 지지기 상의 기판의 중심에서 제1 자장의 강도를 저감시킨다.

公开(公告)号：KR102228545B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020190039299A

申请日：2019-04-03

Applicant: 주식회사 테스

Inventor： 손홍준

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/67028 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68721 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행하는 경우에 상기 기판의 중앙부와 가장자리의 온도 제어 및 플라즈마 밀도 제어가 가능하며, 나아가 챔버 내부의 세정공정을 수행하는 경우에 기판지지부 하부 영역의 파티클 제어가 가능한 기판처리장치에 대한 것이다.

公开(公告)号：JP2018533192A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2017544317

申请日：2016-08-02

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： チャン, トアン キュー. ,  パク, スナム ,  キム, ジョンフン ,  ルボミルスキー, ドミトリー

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

Abstract: 基板エッチングのための方法及び装置が本書で説明されている。本書に記載の処理チャンバは、ソースモジュールと、処理モジュールと、フローモジュールと、排気モジュールとを含む。RF源がチャンバに連結されうる。遠隔プラズマがソースモジュール内で生成されてよく、直流プラズマは処理モジュール内で生成されうる。説明されている周期エッチングプロセスは、基板をエッチングするためにラジカルと直流プラズマとを交互に使用しうる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018174340A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018116830

申请日：2018-06-20

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ロゼンゾン ヤン ,  タンティウォン カイル ,  ヨウシフ イマッド ,  ニャジク ウラジミル ,  バンナ セイマー

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32082

Abstract: 【課題】処理ガス分布の不均一性を改善するガス注入システムを提供する。 【解決手段】プラズマリアクタにおいて真空チャンバ100の環状蓋板110は、ガス供給ライン162、164から、天井ガスノズル114のそれぞれのガス分配通路までの等しい長さの経路に沿って、ガスを分配する上層及び下層のガス分配チャネル130、140を有する。 【選択図】図1A

公开(公告)号：JP2018531484A

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：JP2018516430

申请日：2016-09-13

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ビッグス ブレント ,  クラトミ タカシ

IPC: H05H1/46 ,  A20 ,  C07C275

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068

Abstract: 【課題】 改善された基板処理装置および方法を提供する。 【解決手段】 基板を処理するための装置および方法が開示される。いくつかの実施形態では、基板処理システムは、基板を受け取るための内部容積部を画定し、プラズマ形成ゾーン、内部容積部内に位置づけられた基板支持体、プラズマ形成ゾーンに隣接して配設された共振器コイル、および共振器コイルに沿ってRF給電点位置を変えるように構成された共振インダクタ同調回路を有するプロセスチャンバを含む。実施形態による基板処理システムを動作させる方法は、処理チャンバの内部容積部内に配設された基板支持体に基板を移送するステップであって、内部容積部がプラズマ形成ゾーンを有する、移送するステップと、プラズマ形成ゾーンに隣接して配設された共振器コイルに沿った複数のRF給電点のうちの第1のRF給電点にRF電源を結合させるために共振インダクタ同調回路を動作させるステップとを含む。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2018098187A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2017220797

申请日：2017-11-16

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： オリビエ リュエール ,  レオニド ドーフ ,  ラジンダー ディンドサ ,  スニル スリニバサン ,  デニス エム コーサウ ,  ジェームズ ロジャース

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/334

Abstract: 【課題】基板の周縁部の均一性を向上させた基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置のプロセスキット200は、上面及び底面を有するエッジリング210と、上面及び底面を有する調整可能な調整リング150と、作動機構218とを含む。エッジリング210の底面211は、基板支持部材180によって支持される基板101の下に少なくとも部分的に延在する。調整可能な調整リング150は、エッジリング210の下に配置される。調整可能な調整リング150の上面及びエッジリング210は、調整可能なギャップ250を画定する。作動機構218は、調整可能な調整リング150の底面とインターフェース接続される。作動機構218は、エッジリング210の底面と調整可能な調整リング150の上面との間に画定された調整可能なギャップ250を変化させるように構成される。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP6346698B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2017130091

申请日：2017-07-03

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ジェームズ ディー カードゥッチ ,  ハミッド タバッソリ ,  アジト バラクリシュナ ,  ジガング チェン ,  アンドリュー ヌグエン ,  ダグラス エー ブッフベルガー ジュニア ,  カーティク ラマスワミー ,  シャヒド ラウフ ,  ケネス エス コリンズ

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H05H1/46