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公开(公告)号:JP6470858B2
公开(公告)日:2019-02-13
申请号:JP2018030009
申请日:2018-02-22
申请人: キヤノン株式会社
发明人: 大村 昌伸
IPC分类号: H01L27/088 , H01L21/82 , B41J2/14 , H01L21/8234
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公开(公告)号:JP6126489B2
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:JP2013157117
申请日:2013-07-29
申请人: キヤノン株式会社
CPC分类号: B41J2/0455 , B41J2/0458
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公开(公告)号:JP6397221B2
公开(公告)日:2018-09-26
申请号:JP2014100784
申请日:2014-05-14
申请人: キヤノン株式会社
CPC分类号: B41J2/14 , B41J2/04541 , B41J2/04543 , B41J2/0458
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公开(公告)号:JP2018019354A
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:JP2016150329
申请日:2016-07-29
申请人: キヤノン株式会社
CPC分类号: H04N5/355 , H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H04N5/378
摘要: 【課題】 本発明は画素の後段の回路のダイナミックレンジを拡大した撮像装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 光電変換部と、光電変換部で生じた電荷に基づく信号がゲートに入力される第1トランジスタを有する複数の画素と、複数の画素が接続された信号線と、を有する撮像装置であって、第1トランジスタと信号線を介してドレインまたはソースに電気的に接続され、時刻と共に所定の傾きをもって電位が変化する参照信号に応じた信号が供給されるゲートを有する第2トランジスタと、第1トランジスタおよび第2トランジスタに電流を供給する第1電流源と、第2トランジスタのゲート−ソース間の電圧に応じた電圧を、第3トランジスタのゲート−ソース間に供給する制御部と、第3トランジスタに流れる第1電流と、参照電流とを比較する比較回路を有する。 【選択図】 図2
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公开(公告)号:JP6216142B2
公开(公告)日:2017-10-18
申请号:JP2013086061
申请日:2013-04-16
申请人: キヤノン株式会社
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号: H01L21/266 , B41J2/00 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , H01L21/2652 , H01L29/7816
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公开(公告)号:JP6148562B2
公开(公告)日:2017-06-14
申请号:JP2013156031
申请日:2013-07-26
申请人: キヤノン株式会社
CPC分类号: B41J2/0455 , B41J2/04543 , B41J2/04548 , B41J2/0458 , B41J2202/13
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公开(公告)号:JP6110738B2
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:JP2013132025
申请日:2013-06-24
申请人: キヤノン株式会社
IPC分类号: B41J2/14
CPC分类号: B41J2/07 , B41J2/04543 , B41J2/04548 , B41J2/0455 , B41J2/0458 , B41J2202/13
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公开(公告)号:JP2016179696A
公开(公告)日:2016-10-13
申请号:JP2016138901
申请日:2016-07-13
申请人: キヤノン株式会社
发明人: 大村 昌伸
IPC分类号: B41J2/14
摘要: 【課題】アンチヒューズ素子を含む記録ヘッド用基板であって、製造工程において有利なものを提供する。 【解決手段】記録ヘッド用基板は、記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込むための第2のDMOSトランジスタと、少なくとも1つのMOSトランジスタによって構成され、前記第2のDMOSトランジスタを駆動する駆動部と、を備える。 【選択図】図3
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种用于包括抗熔丝元件的记录头的基板,并且在制造过程中是有利的。解决方案:用于记录头的基板包括:用于加热记录剂的电热转换元件; 用于驱动电热转换元件的第一DMOS晶体管; 形成抗熔丝元件的MOS结构; 第二DMOS晶体管,用于在MOS结构的栅极绝缘膜中引起电介质击穿,从而将信息写入反熔丝元件; 以及由至少一个MOS晶体管形成并驱动第二DMOS晶体管的驱动部分
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