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公开(公告)号:JP4313145B2
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:JP2003348354
申请日:2003-10-07
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G21K5/04 , H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/09 , H01J37/305 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/04 , H01J37/317
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公开(公告)号:JP4150547B2
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:JP2002225984
申请日:2002-08-02
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社アドバンテスト , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
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公开(公告)号:JP4167904B2
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:JP2003000187
申请日:2003-01-06
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G01Q30/02 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3045 , H01J37/3177 , H01J2237/3045
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公开(公告)号:JP3983238B2
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:JP2004262818
申请日:2004-09-09
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305
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公开(公告)号:JP3962778B2
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:JP2004164143
申请日:2004-06-02
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01L21/027
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公开(公告)号:JP3800343B2
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:JP2004262830
申请日:2004-09-09
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/305
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公开(公告)号:JP4183454B2
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:JP2002225973
申请日:2002-08-02
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社アドバンテスト , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/04 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/317
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/304 , H01J37/3177 , H01J2237/043 , H01J2237/24405
Abstract: The present invention intends to improve the writing accuracy in an electron beam writing system using discrete multi beams in which the interval of the beams is larger than the size of the beams. In electron beam writing equipment which uses means generating multi electron beams; means on/off controlling each of the multi electron beams according to pattern data that should be written; and means deflecting the multi electron beams together, thereby performing writing on a wafer, one side of a unit writing area of the multi electron beams is larger than substantially twice the interval of the electron beams or substantially an integral multiple thereof.
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公开(公告)号:JP4015626B2
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:JP2004006343
申请日:2004-01-14
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/04 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/244 , H01J37/305
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公开(公告)号:JP4504060B2
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:JP2004090809
申请日:2004-03-26
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/09 , H01J37/305
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公开(公告)号:JP4477436B2
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:JP2004194775
申请日:2004-06-30
Applicant: キヤノン株式会社 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/0435 , H01J2237/31774
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