公开(公告)号：JP5670570B2

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：JP2013523306

申请日：2011-08-03

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ハリ・エム・ラオ ,  ジュン・ピル・キム ,  スン・エイチ・カン ,  シャオチュン・ジュウ ,  テ・ヒュン・キム ,  カンホ・イ ,  シア・リ ,  ワ・ナム・フ ,  ウーヤン・ハオ ,  ジュンウォン・ス ,  ニコラス・ケー・ユ ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  スティーヴン・エム・ミレンドーフ ,  アザフ・アシュケナジ

IPC: G11C17/14 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C29/027

公开(公告)号：JP2013537679A

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：JP2013523306

申请日：2011-08-03

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ハリ・エム・ラオ ,  ジュン・ピル・キム ,  スン・エイチ・カン ,  シャオチュン・ジュウ ,  テ・ヒュン・キム ,  カンホ・イ ,  シア・リ ,  ワ・ナム・フ ,  ウーヤン・ハオ ,  ジュンウォン・ス ,  ニコラス・ケー・ユ ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  スティーヴン・エム・ミレンドーフ ,  アザフ・アシュケナジ

IPC: G11C17/14 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C29/027

Abstract: 第1の磁気トンネル接合構造(MTJ)と第2のMTJとを有するビットセルにおいて非可逆状態を生成する方法は、ビットセルの第1のMTJに、ビットセルの第2のMTJにプログラム電圧を印加せずにプログラム電圧を印加することを含む。 メモリデバイスは、第1のMTJおよび第2のMTJを有するビットセルと、ビットセルの第1のMTJおよび第2のMTJの選択された一方にプログラム信号を印加することによってビットセルにおいて非可逆状態を生成するように構成されたプログラミング回路とを含む。