公开(公告)号：JP2013530479A

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：JP2013509298

申请日：2011-05-06

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ウェンキン・ウ ,  ケンドリック・エイチ・ユエン ,  シャオチュン・ジュウ ,  スン・エイチ・カン ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  ジェフリー・エー・レヴィン ,  ロバート・ギルモア ,  ニコラス・ユ

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5607

Abstract: 確率的なプログラミング電流が、確率的な双安定スイッチング素子のクラスタに注入され、確率的なプログラミング電流が、任意の所与の双安定スイッチング素子のスイッチングの確率が100%よりも小さくなるように設定されたパラメータを有し、双安定スイッチング素子のクラスタの抵抗が検出される。 終了条件が満たされるまで、確率的なプログラミング電流は注入され、クラスタ状態の抵抗は検出される。 任意選択で、終了条件は、双安定スイッチング素子のクラスタの抵抗が、複数ビットのデータを表す値であることを検出することである。

公开(公告)号：JP2013524488A

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：JP2013501512

申请日：2011-03-25

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ジョンヘ・キム ,  ミリンド・ピー・シャア ,  チィ・シュン・ロ ,  ジェ−シュン・ラン ,  シア・リ ,  マシュー・マイケル・ノワク

IPC: H01F17/00 ,  H01F19/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F2017/004 ,  H01L21/84 ,  H01L23/645 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 集積回路デバイスにおいて使用されるインダクタまたは変圧器は高抵抗率基板を含む。 インダクタは、第１のポートから第２のポートまでの連続した導電パスを形成する複数の導電トレースを基板の周囲に含む。 導電パスはソレノイド状であってもよい。 いくつかの導電トレースは、集積回路ダイのバックエンドオブライン工程または裏面メッキ工程の間に形成されてもよい。 変圧器は、入力ポートおよび出力ポートを有する第１のインダクタと、入力ポートと出力ポートとの間の連続した第１の導電パスと、入力ポートおよび出力ポートを有する第２のインダクタと、入力ポートと出力ポートとの間の連続した第２の導電パスとを含む。 第２のインダクタは第１のインダクタから独立しており、第１のインダクタに電磁結合される。 第１の導電パスおよび第２の導電パスはソレノイド状であってもよい。 第１の導電パスは、第２の導電パスと交互配置されてもよい。

公开(公告)号：JP2019508887A

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：JP2018538727

申请日：2017-01-06

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ヴラディミール・マチュカオトサン ,  スタンリー・スンチュル・ソン ,  ムスタファ・バダログル ,  ジョン・ジエンホン・ズ ,  ジュンジング・バオ ,  ジェフリー・ジュンハオ・シュ ,  ダ・ヤン ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  チョー・フェイ・イェプ

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336

Abstract: デバイスは、基板と、第1のナノワイヤ電界効果トランジスタ(FET)と、基板と第1のナノワイヤFETとの間に配置された第2のナノワイヤFETとを含む。デバイスはまた、第1のナノワイヤFETと第2のナノワイヤFETとに電気的に結合された第1のナノワイヤを含む。

公开(公告)号：JP2017504211A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：JP2016546023

申请日：2014-12-16

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： デイク・ダニエル・キム ,  マリオ・フランシスコ・ヴェレス ,  チェンジエ・ズオ ,  チャンハン・ホビー・ユン ,  ジョンヘ・キム ,  マシュー・マイケル・ノワク

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H05K1/141 ,  H01F17/0006 ,  H01F2017/0086 ,  H01L23/49833 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/113 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/1003 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00

Abstract: 集積回路デバイスが、一対の導電性相互接続、たとえば、ピラーを支持する第1の基板を含む。また、デバイスは、一対の導電性相互接続上に第2の基板を含む。一対の導電性相互接続は、第1の3Dソレノイドインダクタとして動作するように配置される。デバイスはさらに、一対の導電性相互接続を互いに結合する導電性トレースを含む。

Abstract translation: 集成电路器件包括一对导电性互连的，例如，在第1基板支承支柱。 该装置还包括一个第二基底到所述一对上的导电互连。 一对导电性互连件被布置为第一3D螺线管电感器来操作。 该装置还包括结合在一起的一对导电互连的导电迹线。

公开(公告)号：JP5759485B2

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：JP2012552925

申请日：2011-02-08

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： シークン・グ ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  デュロダミ・ジェイ・リスク ,  トーマス・アール・トムス ,  ウルミ・レイ ,  ジュンウォン・スー ,  アーヴィンド・チャンドラセカラン

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：JP6505955B2

公开(公告)日：2019-04-24

申请号：JP2018538727

申请日：2017-01-06

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ヴラディミール・マチュカオトサン ,  スタンリー・スンチュル・ソン ,  ムスタファ・バダログル ,  ジョン・ジエンホン・ズ ,  ジュンジング・バオ ,  ジェフリー・ジュンハオ・シュ ,  ダ・ヤン ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  チョー・フェイ・イェプ

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2017514304A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2016562526

申请日：2015-04-14

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： デイク・ダニエル・キム ,  マリオ・フランシスコ・ヴェレス ,  ジョンヘ・キム ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  チェンジエ・ズオ ,  チャンハン・ホビー・ユン ,  デイヴィッド・フランシス・バーディ ,  ロバート・ポール・ミクルカ

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01R12/7076 ,  H01R12/714 ,  H05K1/181 ,  H05K9/0032 ,  H05K2201/10189 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: いくつかの新規の特徴は、パッケージ基板と、ダイと、封入層と、金属層の第1のセットとを含む、集積デバイスパッケージ(たとえば、ダイパッケージ)に関する。パッケージ基板は、第1の表面と第2の表面とを含む。ダイは、パッケージ基板の第1の表面に結合される。封入層は、ダイを封入する。金属層の第1のセットは、封入層の第1の外面に結合される。いくつかの実装形態では、金属層の第1のセットは、集積デバイスパッケージのダイトゥーワイヤコネクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、集積デバイスパッケージは、パッケージ基板の第2の表面に結合された金属層の第2のセットを含む。いくつかの実装形態では、集積デバイスパッケージは、封入層の第2の外面に結合された金属層の第2のセットを含む。

公开(公告)号：JP5646055B2

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：JP2013515585

申请日：2011-06-21

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： フェン・ワン ,  シーチュン・グ ,  マシュー・マイケル・ノワク

IPC: G06F12/06 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F13/1663

公开(公告)号：JP2013537679A

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：JP2013523306

申请日：2011-08-03

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ハリ・エム・ラオ ,  ジュン・ピル・キム ,  スン・エイチ・カン ,  シャオチュン・ジュウ ,  テ・ヒュン・キム ,  カンホ・イ ,  シア・リ ,  ワ・ナム・フ ,  ウーヤン・ハオ ,  ジュンウォン・ス ,  ニコラス・ケー・ユ ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  スティーヴン・エム・ミレンドーフ ,  アザフ・アシュケナジ

IPC: G11C17/14 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16 ,  G11C29/027

Abstract: 第1の磁気トンネル接合構造(MTJ)と第2のMTJとを有するビットセルにおいて非可逆状態を生成する方法は、ビットセルの第1のMTJに、ビットセルの第2のMTJにプログラム電圧を印加せずにプログラム電圧を印加することを含む。 メモリデバイスは、第1のMTJおよび第2のMTJを有するビットセルと、ビットセルの第1のMTJおよび第2のMTJの選択された一方にプログラム信号を印加することによってビットセルにおいて非可逆状態を生成するように構成されたプログラミング回路とを含む。

公开(公告)号：JP2018532267A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018514350

申请日：2016-07-29

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： シチュン・グ ,  デイク・ダニエル・キム ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  ジョンヘ・キム ,  チャンハン・ホビー・ユン ,  ジェ−シュン・ジェフリー・ラン ,  デイヴィッド・フランシス・バーディ

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772

Abstract: 集積回路(IC)は、ガラス基板上の第1の半導体デバイスを含む。第1の半導体デバイスは、バルクシリコンウェハの第1の半導体領域を含む。ICは、ガラス基板上の第2の半導体デバイスを含む。第2の半導体デバイスは、バルクシリコンウェハの第2の半導体領域を含む。ICは、第1の半導体領域と第2の半導体領域との間に基板貫通トレンチを含む。基板貫通トレンチは、バルクシリコンウェハの表面を超えて配設される部分を含む。