公开(公告)号：JP2018529610A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2018504896

申请日：2016-08-01

申请人： クラヨナノ エーエス ,  ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー)

发明人： キム、ドン−チョル ,  ホーイアース、イダ マリー ,  ムンシ、マジィド ,  フィムランド、ビョルン オヴェ ,  ヴェマン、ヘルゲ ,  レン、ディンディン ,  デーラージ、ダサ

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639

摘要： (I)グラファイト基板を準備し、高温で前記グラファイト基板上にAlGaN、InGaN、AlN又はAlGa(In)Nを堆積し、前記化合物のバッファ層又はナノスケール核生成アイランドを形成することと、(II)好ましくはMOVPE又はMBEにより、グラファイト基板上の前記バッファ層又は核生成アイランド上に、複数の半導体III−V族ナノワイヤ又はナノピラミッド、好ましくはIII族窒化物ナノワイヤ又はナノピラミッドを成長させることとを含む、ナノワイヤ又はナノピラミッドの成長方法。 【選択図】図1