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公开(公告)号：JPWO2018105679A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2017043918
申请日：2017-12-07
Applicant: シャープ株式会社 , リッジフィールド・アクウィジション
Abstract: [課題]ブラックマトリックス用の組成物であって、高輝度の表示デバイス構造に適した、高耐熱性、かつ、高遮光性のブラックマトリックスの製造に適した材料を提供する。 [解決手段](I)体積平均粒子径が1〜300nmであるカーボンブラックを含む黒色着色剤、(II)所定の式で表されるシラン化合物を酸性あるいは塩基性触媒の存在下で加水分解および縮合させて得られるシロキサンポリマー、(III)表面改質シリカ微粒子、(IV)熱塩基発生剤、および(V)溶剤を含有することを特徴とするブラックマトリックス用組成物を用いる。
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公开(公告)号：JP2018045044A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016178753
申请日：2016-09-13
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】シャッター開閉の動作速度が速く、且つ動作不良を生じ難いMEMSシャッターを実現する。 【解決手段】本発明の一態様に係るMEMSシャッター(10)は、シャッター体(22)を支持するシャッタービーム(23・25)の延伸部(23S・25S)の膜厚が、当該シャッタービーム(23・25)の第1屈曲部(23R1・25R1)及び第2屈曲部(23R2・25R2)の膜厚よりも薄くなっている。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2018063339A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016201226
申请日：2016-10-12
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】レーザー光照射をしてもシャッター部等が破壊されて飛び散らず、シャッター体等の動作に不具合が生じない表示装置等を提供する。 【解決手段】表示装置(1)の第1配線(620)と第2配線(720)と金属膜M3とは、アクティブマトリクス基板10におけるシャッター部103が配置されている面とは反対側の面から見て、この順に少なくとも一部重なるように配置されている。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2017191297A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016082433
申请日：2016-04-15
Applicant: シャープ株式会社
IPC: B81B3/00 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , G02B26/02
Abstract: 【課題】UV光を照射する光シャッタ基板において、光透過経路の透過率を向上させる。 【解決手段】光源からの光を遮断あるいは通過させる、機械的な光シャッタ機構と、該光シャッタ機構と電気的に接続するトランジスタとを備え、光シャッタ機構を通過した光が通る光透過経路を有する光シャッタ基板であって、光シャッタ機構のシャッタ体よりも下層に形成された絶縁膜(10)を含み、前記絶縁膜(10)は、透光性であって、光透過経路(LW)に該当する部分が除去されている 【選択図】図3
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017021132A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137641
申请日：2015-07-09
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】酸化物半導体からなる半導体活性層を有する薄膜トランジスタが配置されたMEMSディスプレイにおいて、半導体活性層に紫外線が照射され難くする。 【解決手段】表示パネル(11)は、アクティブマトリクス基板(12)と、対向基板(13)とを含む。アクティブマトリクス基板は、複数の薄膜トランジスタ(T1)と、複数のシャッタ機構(S11)と、UVカット層(33)とを含む。複数の薄膜トランジスタは、複数のシャッタ機構の各々に対応して配置されている。複数の薄膜トランジスタの各々は、酸化物半導体からなる半導体活性層(72)を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。UVカット層は、半導体活性層よりも観察者側に配置されている。 【選択図】図3
Abstract translation: 本发明提供一种MEMS显示具有由氧化物半导体制成的半导体有源层设置薄膜晶体管，紫外线半导体活性层是困难的照射。 一种显示面板（11），包括：有源矩阵基板（12）和对置基板（13）。 的有源矩阵基板包括：多个薄膜晶体管（T1）的，以及多个快门机构（S11），抗紫外线层（33）。 多个薄膜晶体管与每个多个快门机构的对应配置。 每个所述多个薄膜晶体管中的，由氧化物半导体形成的半导体有源层包括（72），控制所述相应的闸门机构的操作。 紫外线阻断层设置在观察者侧比所述半导体活性层。 点域
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公开(公告)号：JP2018066946A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016207196
申请日：2016-10-21
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】遮光膜上における高温処理に伴う突起物の生成を抑制する絶縁膜の膜剥がれを防ぐ。 【解決手段】光シャッタ基板11は、アクティブマトリクス基板201と、前記アクティブマトリクス基板上に設けられ、光源から前記アクティブマトリクス基板への光の遮断又は透過を、シャッタ体のスライドにより制御するシャッタ部Sと、を備えた光シャッタ基板であって、前記アクティブマトリクス基板は、透光性基板100と、前記透光性基板上に設けられた遮光膜201と、前記遮光膜上に設けられ、パターン形成されている絶縁膜202と、前記絶縁膜上に設けられ、導電膜で形成された第1の配線層301と、を含んでいる。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2018049079A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016183396
申请日：2016-09-20
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】シャッタ体の光の透過率を向上する。 【解決手段】光シャッタ基板(1)は、静電気力によりスライドするシャッタ体(28)と、シャッタ体(28)とアクティブマトリクス基板(19)との間であって、光の通過方向にシャッタ体(28)と重畳する位置に設けられ、シャッタ体(28)を移動可能なように電気的に接続された2つのシャッタビーム(23x・23y)とを有する光シャッタ機構(21)を含む。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2017181953A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016072390
申请日：2016-03-31
Applicant: シャープ株式会社
IPC: B81B3/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02B26/02
Abstract: 【課題】MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を用いた光シャッタ基板においてトランジスタの閾値シフトを低減する。 【解決手段】光源からの光を遮断あるいは通過させる、機械的な光シャッタ機構と、該光シャッタ機構と電気的に接続するトランジスタとを備え、光シャッタ機構を通過した光が通る光透過経路LWを有する光シャッタ基板20であって、トランジスタのチャネルとして機能する半導体膜(7x・7y)と、光シャッタ機構のシャッタ体28よりも下層で半導体膜よりも上層に形成された、半導体膜の光透過経路側のエッジと重なる遮光性金属膜(12c・12f)とを含み、遮光性金属膜(12c・12f)は、上記エッジと重なる位置から光透過経路LW側に延伸している。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017181721A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016067600
申请日：2016-03-30
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を用いた光シャッタ基板においてトランジスタの閾値シフトを低減する。 【手段】光源からの光を遮断あるいは通過させる、機械的な光シャッタ機構と、該光シャッタ機構と電気的に接続するトランジスタとを備えた光シャッタ基板(20)であって、トランジスタのチャネルとして機能する半導体膜(7x・7y)と、光シャッタ機構のシャッタ体(28)よりも下層で半導体膜(7x・7y)よりも上層に位置する遮光性絶縁膜(11)とを含む。 【選択図】図3
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