公开(公告)号：JP2020155698A

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：JP2019054622

申请日：2019-03-22

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 朽木 克博 ,  片岡 恵太 ,  近藤 嘉代 ,  大西 徹 ,  籠島 瑛二 ,  山本 建策

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】炭化珪素基板とゲート絶縁膜の界面において電荷トラップ中心が低減された炭化珪素半導体装置を提供する。 【解決手段】炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に設けられている酸化シリコンのゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられているゲート電極と、を備えており、前記炭化珪素基板と前記ゲート絶縁膜の間には、少なくとも炭素とシリコンと酸素の組成比が変動する遷移領域が介在しており、前記遷移領域のうちの前記炭化珪素基板側の第1境界は、炭素とシリコンの比が1:1となる位置であり、前記炭化珪素基板と前記ゲート絶縁膜の間には窒素が分布しており、前記遷移領域の前記第1境界は、前記窒素が分布している範囲を超えて前記炭化珪素基板側に位置していない。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6513932B2

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：JP2014232455

申请日：2014-11-17

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  宮原 真一朗 ,  朽木 克博 ,  青井 佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

公开(公告)号：JP2015207702A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：JP2014088306

申请日：2014-04-22

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 朽木 克博 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦 ,  添野 明高 ,  宮原 真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

Abstract: 【課題】半導体装置の耐圧を向上させること。 【解決手段】半導体装置1の半導体層10は、活性部12と終端部14を有する。終端部14には、平面視したときに、活性部12の周囲を囲むように設けられている複数の終端耐圧構造40a,40b,40c,40dが形成されている。終端部14は、複数の直線範囲14Aと、直線範囲14Aと直線範囲14Aの間に配置されるコーナー範囲14Bと、を含む。最内周の終端耐圧構造40aは、直線範囲14Aに設けられている直線部分のみで構成される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提高半导体器件的击穿电压。解决方案：半导体器件1的半导体层10包括：有源部分12; 和终端部分14.在终端部分14处形成有以平面图的形式围绕有源部分12的周围设置的多个终止击穿电压结构40a，40b，40c，40d。终端部分14包括 ：多个线性范围14A; 以及设置在线性范围14A和线性范围14A之间的转角范围14B。 在最内圆周处的终止击穿电压结构40a仅由线性范围14A的直线部分构成。

公开(公告)号：JP2021149316A

公开(公告)日：2021-09-27

申请号：JP2020046795

申请日：2020-03-17

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 村松 潤哉 ,  朽木 克博 ,  青柳 勲 ,  出口 昌孝 ,  香山 貴志 ,  外海 憲彦

IPC: G01C21/34 ,  G06Q50/30

Abstract: 【課題】出発地、出発時刻、目的地をユーザが自由に選択できるとともに、出発地から目的地までの移動手段と移動中のサービスを受けられるシステムを提供する。 【解決手段】移動手段システムのコンピュータは、ユーザが希望する出発時刻に出発地を出発して目的地へ向かう経路を探索する。コンピュータは、探索された経路を移動中に希望サービスを提供するスケジュールを決定する。コンピュータは、事業者データの中から、決定したスケジュールに沿った移動手段と希望サービスの提供が可能な事業者(候補事業者)を検索する。コンピュータは、抽出された候補事業者による移動手段と希望サービスの提供を組み込んだスケジュールをユーザ端末へ送信する。コンピュータは、ユーザが予約した候補事業者の事業者端末に対してスケジュールの履行依頼を示す信号を送信し、ユーザ端末に対しては予約完了を示す信号を送信する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021129049A

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：JP2020023611

申请日：2020-02-14

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東海国立大学機構 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 籠島 瑛二 ,  大西 徹 ,  中塚 理 ,  竹内 和歌奈 ,  朽木 克博 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】チャネル部を流れるキャリアの移動度を向上させる技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、炭化珪素の半導体基板と、絶縁ゲートと、を備えている。前記半導体基板は、第1導電型のドリフト領域と、第1導電型のソース領域と、前記ドリフト領域と前記ソース領域の間に配置されており、前記ドリフト領域と前記ソース領域を隔てている第2導電型のボディ領域と、を有している。前記絶縁ゲートは、前記ドリフト領域と前記ソース領域を隔てている部分の前記ボディ領域に対向している。前記ボディ領域は、前記絶縁ゲートに対向するチャネル部に隣接する位置に設けられている伸長歪部を有している。前記伸長歪部の格子間隔が、前記チャネル部の格子間隔よりも広い。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021086910A

公开(公告)日：2021-06-03

申请号：JP2019214489

申请日：2019-11-27

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 後藤 大河 ,  辻村 理俊 ,  秋葉 敦也 ,  朽木 克博

IPC: H01L29/78

Abstract: 【課題】 メイン領域とセンス領域を有するスイッチング素子において、アバランシェ耐量を向上させる技術を提供する。 【解決手段】 スイッチング素子は、メイン領域と、メイン領域よりも面積が小さいセンス領域を有する半導体基板を備える。メイン領域とセンス領域のそれぞれが、ゲート絶縁膜に接しているソース領域と、ソース領域の下側でゲート絶縁膜に接しているボディ領域と、ボディ領域の下側でゲート絶縁膜に接しているドリフト領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁膜に接している底部領域と、トレンチの側面においてゲート絶縁膜に接しており、ボディ領域と底部領域を接続している複数の接続領域、を有する。メイン領域とセンス領域のそれぞれにおいて、複数の接続領域が、間隔を空けて配置されており、センス領域内における接続領域の間隔が、メイン領域内における接続領域の間隔よりも狭い。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2020077824A

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：JP2018211704

申请日：2018-11-09

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 鈴木 克己 ,  朽木 克博 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 トレンチの側面に不要な不純物が注入されることを防止する技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板内に、半導体基板の上面に沿う第1方向に沿って伸びる第1部分と、半導体基板の上面に沿うとともに第1方向とは異なる第2方向に沿って第1部分から伸びる第2部分を有するp型領域を形成する工程と、p型領域を形成した後に、半導体基板の上面に、第1部分と重複するように第1方向に沿って伸び、第1部分よりも幅が広く、第2部分よりも幅が狭く、第1部分及び前記第2部分よりも浅いトレンチを形成する工程を有する。トレンチを形成した工程の後にトレンチの下側に残存する第1部分が、底部領域となり、トレンチを形成した工程の後にトレンチの側方に残存する第2部分が、接続領域となる。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP6211933B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2014005105

申请日：2014-01-15

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 朽木 克博 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦 ,  添野 明高 ,  鈴木 巨裕

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP5842896B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2013234341

申请日：2013-11-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 高谷 秀史 ,  朽木 克博

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：JP2015207701A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：JP2014088293

申请日：2014-04-22

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 朽木 克博 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦 ,  添野 明高 ,  宮原 真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 【課題】半導体装置の耐圧を向上させること。 【解決手段】半導体装置1の半導体層10は、活性部12と終端部14を有する。終端部14には、平面視したときに、活性部12の周囲を囲むように設けられている複数の終端耐圧構造40a,40b,40c,40dが形成されている。最内周の終端耐圧構造40aは、終端部14のコーナー範囲14Bにおいて、曲率半径が大きくなるような形態を有する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提高半导体器件的击穿电压。解决方案：半导体器件1的半导体层10包括：有源部分12; 和终端部分14.在终端部分14处形成有以平面图的方式设置为围绕有源部分12的周围设置的多个终止击穿电压结构40a，40b，40c，40d。终端击穿电压结构 40a在终端部14的拐角范围14B中具有曲率半径大的形状。