公开(公告)号：JP2018067624A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2016205023

申请日：2016-10-19

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 村上 浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】同一の半導体基板内に閾値電圧が異なる素子領域を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】本半導体装置は、第1素子領域10Aと第2素子領域10Bとが同一の半導体基板に形成されている。第1素子領域および第2素子領域は、トレンチゲート140A、140Bと、ドリフト層32のうち、トレンチ40A、40Bの下端の深さとドリフト層の上面の間に位置するドリフト層を含む範囲に形成されたライフタイム制御領域32aと、半導体基板の上面に形成され、層間絶縁膜47A、47Bによってゲート電極44A、44Bから絶縁された上面電極22、24と、を備える。第1素子領域に形成される上面電極は、半導体基板の上面に配置されるバリア層と、バリア層の上面に配置されるAl系電極層とを含み、第2素子領域に形成される上面電極は、半導体基板の上面に配置されるAl系電極層を含む。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018019010A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：JP2016149892

申请日：2016-07-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  村上 浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 保護膜に加わる応力を好適に緩和することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられた第1無機保護膜と、前記第1無機保護膜の上面に設けられた第1電極と、前記第1無機保護膜の上面の前記第1電極よりも外周側に設けられ、前記第1電極から分離されている第2電極と、前記第2電極の上面に設けられた第2無機保護膜と、前記第1電極と前記第2電極の間の前記第1無機保護膜の上面を覆い、前記第1無機保護膜と前記第2電極の境界に接し、前記第1無機保護膜の線膨張係数よりも前記第2電極の線膨張係数に近い線膨張係数を有する有機保護膜を備える。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP2020035862A

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：JP2018160420

申请日：2018-08-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 村上 浩一

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/20 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/329

Abstract: 【課題】 温度センスダイオードのpn接合面がグレインの境界部を横断することを防止する技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、単結晶の半導体基板の上面に、開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、開口部内と絶縁膜の上面に、非晶質または多結晶の温度センス半導体層を形成する工程と、温度センス半導体層を熱処理することにより開口部の内部と開口部の周辺部を含む範囲で温度センス半導体層を単結晶化させる工程と、単結晶化した温度センス半導体層に温度センスダイオードを形成する工程、を有する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP6718143B2

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：JP2016149892

申请日：2016-07-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  村上 浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2019153749A

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：JP2018039892

申请日：2018-03-06

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 秦 裕史 ,  村上 浩一

IPC: B23K1/00 ,  H05K1/18 ,  H01L21/603 ,  H01L21/52 ,  H01L23/29

Abstract: 【課題】半導体素子と導体部材との間を接合するはんだ層の内部に、ボイドが形成されることを抑制する。 【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、電極を有する半導体素子と、前記電極にはんだ層を介して接合される導体部材とを備える。電極は、平面視したときに、第1領域と、第1領域から半導体素子の周縁まで延びる第2領域とを有している。そして、第1領域においてはんだ層に接する金属層は、第2領域においてはんだ層に接する金属層よりも、融点が低い材料で形成されている。 【選択図】図1