公开(公告)号：JP2019057650A

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：JP2017181732

申请日：2017-09-21

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 池山 和希 ,  長里 喜隆 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 【課題】終端領域のリセスに向けて延びているフィールドプレート構造を備える半導体装置において、電極の成膜不良による段切れが抑えられる技術を提供する。 【解決手段】リセス40の側面44は、平面で構成されている平面部分44aと、曲面で構成されている曲面部分44bと、を有する。フィールドプレート構造は、リセス40の底面42からリセス40の平面部分44a及び曲面部分44bを超えて半導体層10の素子領域10Aの表面の一部にまで延びている絶縁膜30と、半導体層10の素子領域10Aの表面に接するとともに、半導体層10の素子領域10Aの表面から少なくともリセス40の曲面部分44b上に配置されている絶縁膜30を超えて延びているアノード電極24と、を有する。リセス40の曲面部分44bは、アノード領域16の側面に形成されている。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2020047822A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175866

申请日：2018-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 池山 和希 ,  富田 英幹 ,  森 朋彦 ,  副島 成雅 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 【課題】耐圧低下が抑制された窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が積層している窒化物半導体層の一方の主面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内壁面を被覆するように結晶成長抑制膜を形成する工程と、前記トレンチの側面のうちの少なくとも下側部分に前記結晶成長抑制膜の一部が残存するように、前記結晶成長抑制膜を除去する工程と、前記結晶成長抑制膜の一部が残存した状態で、前記トレンチの底面に露出する前記ドリフト領域の表面から窒化物半導体の第1導電型のJFET領域を結晶成長させる工程と、を備えており、前記トレンチの底面に露出する前記ドリフト領域の表面の結晶面がc面である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020047823A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175871

申请日：2018-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 長谷川 聖也 ,  池山 和希 ,  森 朋彦 ,  副島 成雅 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】JFET領域を備える窒化物半導体装置において、オン抵抗と耐圧の間に存在するトレードオフ関係を改善する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が積層している窒化物半導体層の一方の主面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に空洞が形成される条件で、前記トレンチ内に窒化物半導体の第1導電型のJFET領域を結晶成長させる工程と、を備える。 【選択図】図1