公开(公告)号：JP2020061520A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：JP2018193431

申请日：2018-10-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 牛島 隆志 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】高キャリア濃度の窒化物半導体のp型半導体領域を形成する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、p型不純物を含む窒化物半導体の第1エピタキシャル層とp型不純物を含む窒化物半導体の第2エピタキシャル層を離間して結晶成長させる結晶成長工程と、アニール処理を実施して前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の間の領域に前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の双方から前記p型不純物を拡散させて前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層を含む範囲にp型半導体領域を形成するアニール処理工程と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018060985A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016199498

申请日：2016-10-07

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 川上 昌宏 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 【課題】p型ウエル領域とプレナーゲート電極を利用するFETのオン抵抗を下げて耐圧を上げる。 【解決手段】p型ウエル領域を囲むウエル外n型領域に、p型ウエル領域に接する不純物低濃度領域と、その不純物低濃度領域によってp型ウエル領域から隔てられている不純物高濃度領域を形成する。不純物高濃度領域を利用してオン抵抗を下げることができ、p型ウエル領域にn型不純物の低濃度領域が接することで耐圧を上げることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016143865A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：JP2015021345

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】窒化物半導体層のヘテロ接合面に生じる2次元電子ガスを利用するダイオードにおいて、順方向電圧降下を低く、リーク電流も小さく調整する技術を提供する。 【解決手段】アノード電極10の近接に2次元電子ガス誘起阻害層を形成するか、あるいはアノード電極10から離隔した領域に2次元電子ガス誘起促進層14を形成すると、アノード電極10の近傍では2次元電子ガス濃度が低下してリーク電流が減り、アノード電極10から離隔した位置では2次元電子ガス濃度が増大して順方向電圧降下が低下する。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供二极管，其使用在氮化物半导体层的异质结表面处产生的二维电子气，能够通过降低正向压降来实现将漏电流调节到较小的技术。 当在与阳极电极10相邻的区域中形成二维电子气体诱导抑制层，或者在与阳极10间隔开的区域形成二维电子气诱导促进层14时，二维电子气浓度 在阳极电极10附近减小以减小漏电流，并且在与阳极电极10隔开的位置处，二维电子气浓度增加以降低正向电压降。图4

公开(公告)号：JP2016131207A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：JP2015004795

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L27/095 ,  H01L21/76 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】GaNで形成されている電子走行層とIn x1 Al y1 Ga 1−x1−y1 Nで形成されている電子供給層のヘテロ接合面を備えている半導体基板に複数個の半導体装置を形成する場合、分離領域にトレンチを形成するか、あるいは分離領域を非導電化するイオン等を注入する必要があり、製造しづらく、半導体装置の特性の低下要因となる。 【解決手段】分離領域Bに存在する電子供給層8の表面に、p型のIn x2 Al y2 Ga 1−x2−y2 N層10bを形成する。するとp型のIn x2 Al y2 Ga 1−x2−y2 N層10bから電子供給層8を介して電子走行層6に向けて空乏層が伸び、分離領域Bではヘテロ接合面が空乏化し、隣接する半導体装置の間が電気的に分離される。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题为了解决这样一个问题，当在包括由GaN形成的电子转移层的异质结表面和由InAlGaN形成的电子供给层的半导体衬底上形成多个半导体器件时，沟槽必须 必须在隔离区域中形成或用于使隔离区域不导电的离子等被注入，导致难以制造并导致半导体器件的特性劣化。解决方案：在表面上形成p型InAlGaN层10b 存在于隔离区域B中的电子供应层8.随后，耗尽层经由电子供应层8从p型InAlGaN层10b延伸到电子转移层6，异质结表面在 隔离区B，并且在彼此相邻的半导体器件之间形成电隔离。选择图：图3

公开(公告)号：JP6639260B2

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：JP2016025223

申请日：2016-02-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP6626021B2

公开(公告)日：2019-12-25

申请号：JP2017026148

申请日：2017-02-15

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 渡部 敦 ,  上田 博之 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6616280B2

公开(公告)日：2019-12-04

申请号：JP2016253898

申请日：2016-12-27

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 山田 哲也 ,  大川 峰司 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6461063B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2016189839

申请日：2016-09-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 富田 英幹 ,  兼近 将一 ,  上田 博之 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2018107339A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016253957

申请日：2016-12-27

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 山田 哲也 ,  上田 博之 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02579 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/2056 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 【課題】 GaN半導体基板を用いてオン抵抗が低いスイッチング素子を製造する。 【解決手段】 スイッチング素子の製造方法であって、表面に第1n型半導体層が露出しているGaN半導体基板の前記表面に凹部を形成する工程と、前記凹部内と前記GaN半導体基板の前記表面にp型のボディ層を成長させる工程と、前記ボディ層の表層部を除去することによって前記GaN半導体基板の前記表面に前記第1n型半導体層を露出させるとともに前記凹部内に前記ボディ層を残存させる工程と、前記ボディ層によって前記第1n型半導体層から分離されているとともに前記GaN半導体基板の前記表面に露出する第2n型半導体層を形成する工程と、前記ボディ層に対して絶縁膜を介して対向するゲート電極を形成する工程を有する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2018056297A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016189839

申请日：2016-09-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 富田 英幹 ,  兼近 将一 ,  上田 博之 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66916 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7832

Abstract: 【課題】縦型ドリフト領域(即ち、JFET領域)を備えている半導体装置において、耐圧とオン抵抗の間に存在するトレードオフの関係を改善する。 【解決手段】半導体装置1は、窒化物半導体層20の表面上の一部に設けられているヘテロ接合領域42を備える。ヘテロ接合領域42は、縦型ドリフト領域21bが窒化物半導体層20の表面に露出する範囲の少なくとも一部に接触しており、縦型ドリフト領域21bより広いバンドギャップを有する。ヘテロ接合領域42と縦型ドリフト領域21bの間のヘテロ接合界面に2次元電子ガスが形成され、オン抵抗が下がる。 【選択図】図1