低い副生物割合を有するシクロヘキサンポリカルボン酸誘導体の製造方法
    3.
    发明专利
    低い副生物割合を有するシクロヘキサンポリカルボン酸誘導体の製造方法 审中-公开
    用于生产具有低的副产物级分的环己烷多羧酸衍生物的方法

    公开(公告)号:JP2016500665A

    公开(公告)日:2016-01-14

    申请号:JP2015535029

    申请日:2013-10-04

    CPC classification number: C07C67/303 C07C51/36 C07C2601/14 C07C61/08 C07C69/75

    Abstract: 本発明は、少なくとも1種のシクロヘキサンポリカルボン酸又はその誘導体を製造する方法に関し、該方法は、少なくとも1種の対応するベンゼンポリカルボン酸又はその誘導体を、水素を含有するガスと、二酸化ケイ素を含有する担体材料上に塗付された、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金及びそれらの混合物からなる群から選択される活性金属を含有する少なくとも1種のシェル触媒の存在下で接触させることによる方法であり、その際に、該担体材料の細孔容積は、Hg圧入法により測定して、0.6〜1.0ml/gであり、そのBET表面積は280〜500m2/gであり、存在している細孔の少なくとも90%が、6〜12nmの直径を有し、かつ該活性金属の全量を基準として、該活性金属の40〜70質量%が、該触媒のシェル中で200μmの浸透深さまでに存在し、その際に、該接触は、多くとも50m/hの空管速度で行われる。

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产至少一种环己烷多羧酸或其衍生物,该方法中,相应的苯多羧酸或它们的衍生物,含氢气体的至少一个,二氧化硅 它重视涂布在含有钌,铑,钯,铂的载体材料,并通过在包含活性金属的至少一个涂覆有催化剂的选自混合物组成的组中选择的存在下接触 在那里,当如通过压汞法测得的载体材料的孔体积,是0.6〜1.0毫升/克,BET表面积为280〜500平方米/ g时,现有的一组孔的 至少90%的直径为6〜12毫微米的,并基于活性金属的总量为40〜活性金属的70重量%存在于高达渗透的深度为200μm的催化剂的壳 当 所述的接触是与至多50米/小时的空管速度下进行。

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