公开(公告)号：JP2015115960A

公开(公告)日：2015-06-22

申请号：JP2014250681

申请日：2014-12-11

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： マーガレット エー スズィーマノウスキー ,  サーマド ケイ ミュサ ,  フェルナンド エー サントス ,  マーエッシュ ケイ シャー

IPC: H03F3/68 ,  H03F1/08 ,  H03F1/07

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21106

Abstract: 【課題】複数の増幅器の間で生じるおそれがあるクロストークを抑制する半導体デバイス及び製造方法を提供する。 【解決手段】半導体パッケージ20は、キャリア増幅器22およびピーク増幅器24がその上に互いに近接して形成されるグランドプレーン74を有する。導電性材料の隔離壁50がキャリア増幅器とピーク増幅器との間に位置しており、隔離壁は、半導体パッケージの動作中にキャリア増幅器とピーク増幅器との間の誘導結合を低減するように構成されている。 【選択図】図2A

Abstract translation: 要解决的问题：提供：抑制可能发生在多个放大器之间的串扰的半导体器件; 和制造方法。解决方案：半导体封装20具有接地平面74，载波放大器22和峰化放大器24彼此靠近地形成在其上。 导电材料的隔离壁50位于载波放大器和峰化放大器之间，并且被配置为在半导体封装的操作期间减小载波放大器与峰化放大器之间的电感耦合。