半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2015169988A

    公开(公告)日:2015-09-28

    申请号:JP2014042499

    申请日:2014-03-05

    Abstract: 【課題】信頼性を要する二次データの不所望な変化を抑制でき、且つ、記憶装置の著しい容量拡大を抑制する。記憶装置に対する非対称アクセスによってデータ処理を効率化する。 【解決手段】誤り訂正機能を有していない第1メモリ部55と誤り訂正機能を有する第2メモリ部56とを備え、各メモリ部に対して複数個のアクセスノードAND2〜AND4を有する記憶装置を採用し、前記記憶装置の複数個のアクセスノードに複数個のバスを接続し、前記複数個のバスを介して複数個のデータ処理部により前記記憶装置を非対称アクセス可能にする。前記第1メモリ部55には前記データ処理部によるデータ処理前の一次データを格納し、前記第2メモリ部56には前記データ処理部によるデータ処理後の二次データを格納する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:抑制需要可靠性的二次数据的不希望的变化,并且抑制存储装置的容量的显着增加; 并且通过对存储设备的非对称访问来提高数据处理的效率。解决方案:采用存储设备,其包括不具有纠错功能的第一存储器部分55和具有纠错功能的第二存储器部件56,并且具有 用于存储器部分的多个接入节点AND2-AND4。 多个总线连接到存储装置的多个接入节点; 并且存储装置可以经由多个总线被多个数据处理单元不对称地访问。 第一存储器部分55在数据处理单元进行数据处理之前存储主数据,第二存储器部分56在数据处理单元进行数据处理之后存储次数据。

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