公开(公告)号：JP2021018829A

公开(公告)日：2021-02-15

申请号：JP2020113455

申请日：2020-06-30

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 朴 相元 ,  南 尚完 ,  申 芝淵 ,  沈 元補 ,  尹 廷允 ,  趙 志虎 ,  洪 相基

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526 ,  G11C16/10

Abstract: 【課題】 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法が提供される。 【解決手段】 不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、複数のメモリセルに接続されており、選ばれたワード線に段階的にその電圧レベルが変更されるプログラムワード線電圧を印加し、プログラムワード線電圧が選ばれたワード線に印加される間に、複数の第1メモリセルに接続された第1ビット線にプログラムビット線電圧を印加することを含む。プログラムビット線電圧は、第1区間において、複数の第1メモリセルがプログラムされないようにするプログラム禁止電圧レベルと、複数の第1メモリセルがプログラムされるようにするプログラム電圧レベルとの間の第1電圧レベルであり、第1区間に後続する第2区間において、プログラム禁止電圧レベルと、プログラム電圧レベルと、プログラム禁止電圧レベルとプログラム電圧レベルとの間の第2電圧レベルのうちいずれか一つの電圧レベルである。 【選択図】 図5