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公开(公告)号：JPWO2019208685A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019017587
申请日：2019-04-25
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/308 , C11D3/04 , C11D3/08 , C11D3/36 , C11D1/34 , H01L21/304
摘要： 本発明によれば、(A)テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロアルミン酸、ヘキサフルオロチタン酸及びそれらの塩から選ばれる1種以上のフッ素含有化合物を、組成物全量基準で0.001〜20質量%;及び(B)C 4−13 アルキルホスホン酸、C 4−13 アルキルホスホン酸エステル、C 4−13 アルキルりん酸、及びそれらの塩から選ばれる1種以上の化合物を、組成物全量基準で0.0001〜10質量%含む、水性組成物を提供することができる。
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公开(公告)号：JPWO2019167971A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：JP2019007409
申请日：2019-02-27
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
发明人： 尾家 俊行 , プトラ プリアンガ プルダナ , 堀田 明伸
IPC分类号： H01L21/314
摘要： 本発明は、アルミナ保護液、アルミナの保護方法、およびこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法に関する。本発明のアルミナ保護液は、アルカリ土類金属化合物を0.0001〜20質量%を含有し、前記アルカリ土類金属がベリリウム、マグネシウム、ストロンチウム及びバリウムからなる群より選択される1以上であることを特徴とする。本発明により、半導体回路の製造工程において、アルミナの腐食を抑制することが可能となる。
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公开(公告)号：JPWO2019026677A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：JP2018027592
申请日：2018-07-24
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
发明人： 尾家 俊行 , プトラ プリアンガ プルダナ , 堀田 明伸
摘要： 本発明は、低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の洗浄に適した組成液及び半導体素子の洗浄方法に関する。本発明の組成液は、テトラフルオロホウ酸(A)を0.01〜30質量%、又はホウ酸(B1)及びフッ化水素(B2)を(ホウ酸/フッ化水素)=(0.0001〜5.0質量%/0.005〜5.0質量%)で含有し、pHが0.0〜4.0の範囲にあることを特徴とする。本発明の組成液は、半導体集積回路の製造工程において低誘電率層間絶縁膜、コバルトまたはコバルト合金、アルミナ、ジルコニア系ハードマスク、窒化シリコンのダメージを抑制し、半導体集積回路の表面に存在するドライエッチング残渣を除去するために好適に用いられる。
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公开(公告)号：JPWO2019208684A1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2019017586
申请日：2019-04-25
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/308 , C11D7/36 , C11D7/26 , H01L21/304
摘要： 本発明によれば、 (A)C 4−13 アルキルホスホン酸、C 4−13 アルキルホスホン酸エステル、C 4−13 アルキルりん酸、及びそれらの塩から選ばれる1種以上の化合物を、組成物全量基準で0.0001〜10質量%、及び (B)C 4−13 アルキルホスホン酸とC 4−13 アルキルホスホン酸エステルとC 4−13 アルキルりん酸以外の酸又はその塩を、組成物全量基準で0.0001〜50質量%含む、水性組成物を提供することができる。
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公开(公告)号：JPWO2018123166A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017034250
申请日：2017-09-22
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1〜50質量%、酸化剤(B)を0.04〜10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0〜5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
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公开(公告)号：JP6319536B1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2018501381
申请日：2017-09-22
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1〜50質量%、酸化剤(B)を0.04〜10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0〜5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
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公开(公告)号：JPWO2019208686A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019017588
申请日：2019-04-25
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： H01L21/308 , C11D1/34 , C11D3/36 , C11D3/04 , H01L21/304
摘要： 本発明によれば、(A)組成物中のフッ化物イオン濃度が0.05〜30mmol/Lとなる量のフッ化物イオン供給源;(B)組成物中のフッ化物イオンに対するカチオンのモル比が、0.3〜20となる量のカチオン供給源; 及び(C)C 4−13 アルキルホスホン酸、C 4−13 アルキルホスホン酸エステル、C 4−13 アルキルリン酸及びそれらの塩から選ばれる1種以上の化合物を、組成物全量基準で0.0001〜10質量%含み、pHが2〜6の範囲にある、水性組成物を提供することができる。
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公开(公告)号：JPWO2019167970A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：JP2019007408
申请日：2019-02-27
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 本発明は、半導体集積回路の製造工程においてアルミナのダメージを抑制しながら、半導体集積回路の表面に存在するドライエッチング残渣を除去可能な組成物、およびアルミナを有する半導体基板の洗浄方法、さらにはアルミナ層を有する半導体基板の製造方法に関する。本発明の組成物は、バリウム化合物(A)を0.00005〜1質量%及びフッ素化合物(B)を0.01〜20質量%で含有し、pHが2.5〜8.0の範囲にあることを特徴とする。
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公开(公告)号：JPWO2016204080A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016067317
申请日：2016-06-10
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
CPC分类号： C08G75/08 , C07D331/02 , C07D341/00 , C08G75/06 , C08G79/00 , G02B1/04 , G02B1/11 , G02B1/14
摘要： 本発明によれば、式(1)で表される環状化合物(a)、エピスルフィド化合物(b)及び硫黄(c)を含有する光学材料用組成物であって、当該光学材料用組成物中の環状化合物(a)の割合が5〜70質量%、エピスルフィド化合物(b)の割合が20〜90質量%、及び硫黄(c)の割合が1〜39質量%の範囲にある光学材料用組成物が提供される。 【化1】 (式中、XはS、Se又はTeを表す。a〜f=0〜3、8≧(a+c+e)≧1、8≧(b+d+f)≧2、及び(b+d+f)≧(a+c+e)である。) 本発明の光学材料用組成物は、光学特性として高屈折率を有し、十分な耐熱性および良好な離型性を有する。
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