イオン注入装置
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020155256A

    公开(公告)日:2020-09-24

    申请号:JP2019051014

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 【課題】装置外の中性子線量率を抑制する。 【解決手段】イオン注入装置100は、装置本体58と、装置本体58を少なくとも部分的に包囲する筐体60とを備える。装置本体58は、イオンビームが輸送されるビームラインBLに沿って配置される複数のユニット12,14,16,18と、ビームラインBLの最下流に配置される基板搬送処理ユニット20とを含み、高エネルギーのイオンビームの衝突により中性子線が発生しうる中性子線発生源を有する。イオン注入装置100は、中性子線発生源から筐体60までの距離が所定以下となる方向に中性子線発生源から出射される中性子線が入射しうる位置に配置される中性子線散乱部材をさらに備える。 【選択図】図4

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