イオン注入装置および測定装置
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020107559A

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:JP2018247339

    申请日:2018-12-28

    Inventor: 松下 浩

    Abstract: 【課題】二次電子発生による計測精度の低下を防ぐ。 【解決手段】イオン注入装置は、ウェハに照射されるイオンビームの角度分布を測定する測定装置62を備える。測定装置62は、イオンビームが入射するスリット66と、スリット66からイオンビームの基準となるビーム進行方向に延ばした中心線C上に配置されるビーム測定面74を有する中央電極体70と、スリット66と中央電極体70の間に配置され、中心線Cからスリット66のスリット幅方向に離れて配置されるビーム測定面78a〜78fをそれぞれが有する複数の側方電極体80a〜80fと、複数の側方電極体80a〜80fの少なくとも一つのビーム測定面にスリット66のスリット長方向の軸周りに曲がる磁場を印加する磁石装置90と、を備える。 【選択図】図4

    イオン注入装置および測定装置
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019139908A

    公开(公告)日:2019-08-22

    申请号:JP2018020944

    申请日:2018-02-08

    Abstract: 【課題】イオンビームの角度分布の評価を高速化する。 【解決手段】測定装置50は、イオンビームが入射する複数のスリット74a〜74cと、複数のスリットからビーム進行方向に離れた位置に設けられるビーム電流測定部54と、測定制御部とを含む。ビーム電流測定部54は、ビーム進行方向と直交する第1方向の位置が異なる複数の測定位置でビーム電流を測定可能となるよう構成される。複数のスリット74a〜74cは、第1方向がスリット幅方向と一致するように第1方向に間隔を空けて配置され、第1方向に可動となるように構成される。測定制御部は、複数のスリットを第1方向に移動させながら、ビーム電流測定部により第1方向の位置が異なる複数の測定位置で測定される複数のビーム電流値を取得する。 【選択図】図4

    イオン注入装置およびイオン注入方法

    公开(公告)号:JP2018206505A

    公开(公告)日:2018-12-27

    申请号:JP2017107477

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 【課題】比較的高いエネルギーをもつイオンビームの使用に起因して生じうる核反応に対処する。 【解決手段】イオン注入装置100は、第1非放射性核種のイオンを含むイオンビームを生成するよう構成されたイオン源と、第1非放射性核種と異なる第2非放射性核種を含む固体材料で形成されたイオンビーム被照射体70を支持するよう構成されたビームラインと、第1非放射性核種と第2非放射性核種の核反応により発生する放射線の推定線量と放射性核種の推定生成量の少なくとも一方を演算するよう構成された制御装置50と、を備える。 【選択図】図5

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