イオン注入装置及びイオン注入方法
    1.
    发明专利
    イオン注入装置及びイオン注入方法 有权
    离子植入装置和离子植入方法

    公开(公告)号:JP2015173116A

    公开(公告)日:2015-10-01

    申请号:JP2015088056

    申请日:2015-04-23

    Abstract: 【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。 【解決手段】ウエハ17へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室20または真空処理室30内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計21で計測される1個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと1個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。構造体の一部であるウエハ走査体のウエハ走査方向の位置の関数として真空コンダクタンスの変化を予め求め、イオン注入中に発生するウエハ走査体の位置変化に合わせて、真空コンダクタンスの変化を算出する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可以实现精确打盹控制的离子注入方法。解决方案:离子注入方法包括以下步骤:在离子注入期间测量离子束电流到晶片17并计算真空电导的变化,其依赖于 关于在真空束线室20或真空处理室30中操作的结构的位置的变化; 检测由安装在真空束室或真空处理室中的真空计21测量的一个地方或多个地方的真空度的变化; 以及通过使用计算出的真空电导和在一个地方或多个位置处的真空度来校正离子束电流量,以控制待注入晶片的离子的剂量。 预先计算作为晶片扫描方向的结构的一部分的晶片扫描体的位置的真空电导率的变化,并且根据晶片扫描的位置的变化计算真空电导的变化 身体,其在离子注入期间发生。

    ビーム照射装置
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018063952A

    公开(公告)日:2018-04-19

    申请号:JP2017227961

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 【課題】ビーム照射処理の品質を高める技術を提供する。 【解決手段】ビーム照射装置10は、荷電粒子ビームBを所定の走査方向に往復走査させるビーム走査器26と、計測対象とする領域に入射する荷電粒子の角度成分が計測可能な測定器42と、測定器42の計測結果を用いて、荷電粒子ビームBの実効照射エミッタンスを算出するデータ処理部と、を備える。測定器42は、走査方向に往復走査される荷電粒子ビームBが計測対象とする領域を通過して測定器42に入射する時間にわたって、荷電粒子ビームBについての角度分布の時間変化値を計測し、データ処理部は、測定器が計測した角度分布の時間変化値に含まれる時間情報を位置情報に変換して実効照射エミッタンスを算出する。実効照射エミッタンスは、走査方向に走査されて計測対象とする領域に入射する荷電粒子ビームの一部を足し合わせることで形成されうる仮想的なビーム束についてのエミッタンスを表す。 【選択図】図6

    イオン注入装置、イオン注入方法及びビーム計測装置
    7.
    发明专利
    イオン注入装置、イオン注入方法及びビーム計測装置 审中-公开
    离子注入装置,离子注入方法和光束测量装置

    公开(公告)号:JP2016039092A

    公开(公告)日:2016-03-22

    申请号:JP2014163051

    申请日:2014-08-08

    Abstract: 【課題】所定軌道を有するビーム成分を精度良く計測する。 【解決手段】イオン注入装置は、前段ビーム経路P1を通るイオンビームを偏向させ、ウェハ40に向けて後段ビーム経路P2を通るようにビームを出射させるビーム偏向装置42と、ビーム偏向装置42とウェハ40の間に位置し、後段ビーム経路P2中を進行するビームを部分的に遮蔽して所定軌道を有するビーム成分をウェハ40に向けて通過させるビームフィルタースリット52と、ビーム偏向装置42とビームフィルタースリット52の間に位置し、ビーム偏向装置42から出射されるビームの一部をビーム電流として計測するドーズカップ50と、ビーム偏向装置42とドーズカップ50の間に位置し、ビーム偏向装置42から出射してドーズカップ50に向かうビームのうち所定軌道から逸脱した軌道を有するビーム成分がドーズカップ50の計測領域に入射することを防ぐ軌道制限機構60と、を備える。 【選択図】図5

    Abstract translation: 要解决的问题:精确地测量具有预定轨道的光束分量。解决方案:离子注入装置包括:光束偏转器42,其偏转通过预级光束路径P1的离子束,并将光束朝向晶片40发射 使其通过后级光束路径P2; 位于光束偏转器42和晶片40之间的光束滤光器狭缝52部分地截取在后级光束路径P2中前进的光束,并且将具有特定轨道的光束分量穿过晶片40; 位于光束偏转器42和光束滤光器狭缝52之间的剂量杯50,并且测量从光束偏转器42发射的光束的一部分作为光束电流; 以及轨道限制机构60,其位于射束偏转器42和剂量杯50之间,并且防止具有偏离特定轨道的轨道的射束成分从射束偏转器发射后朝向剂量杯50前进 42,进入剂量杯50的测量区域。选择图:图5

    ビーム照射装置及びビーム照射方法
    8.
    发明专利
    ビーム照射装置及びビーム照射方法 有权
    光束辐射装置和光束辐照方法

    公开(公告)号:JP2016004614A

    公开(公告)日:2016-01-12

    申请号:JP2014122347

    申请日:2014-06-13

    Abstract: 【課題】ビーム照射処理の品質を高める技術を提供する。 【解決手段】ビーム照射装置10は、荷電粒子ビームBを所定の走査方向に往復走査させるビーム走査器26と、計測対象とする領域に入射する荷電粒子の角度成分が計測可能な測定器42と、測定器42の計測結果を用いて、荷電粒子ビームBの実効照射エミッタンスを算出するデータ処理部と、を備える。測定器42は、走査方向に往復走査される荷電粒子ビームBが計測対象とする領域を通過して測定器42に入射する時間にわたって、荷電粒子ビームBについての角度分布の時間変化値を計測し、データ処理部は、測定器が計測した角度分布の時間変化値に含まれる時間情報を位置情報に変換して実効照射エミッタンスを算出する。実効照射エミッタンスは、走査方向に走査されて計測対象とする領域に入射する荷電粒子ビームの一部を足し合わせることで形成されうる仮想的なビーム束についてのエミッタンスを表す。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够提高束照射处理质量的光束照射装置和方法。解决方案:束照射装置10具有用于以预定的往复扫描方向扫描带电粒子束B的束扫描器26, 单元42,其能够测量入射到作为测量对象的区域的带电粒子的角度分量;以及数据处理器,用于通过使用测量单元42的测量结果来计算带电粒子束B的有效照射发射率。测量 单元42测量带电粒子束B在以往的扫描方向扫过的时间内的角度分布的时间变化值通过作为测量对象的区域并入射到测量单元42的时间变化值, 并且数据处理器转换由测量单元测量的角度分布的时间变化值中包含的时间信息 定位信息,并计算有效的辐射发射率。 有效的辐射发射率表示通过组合扫描方向扫掠的一部分带电粒子束并入射到作为测量对象的区域而形成的虚拟光束通量的发射率。

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