イオン注入方法およびイオン注入装置

    公开(公告)号:JP2017107751A

    公开(公告)日:2017-06-15

    申请号:JP2015240793

    申请日:2015-12-10

    CPC classification number: H01L21/26586 H01J37/3171 H01L22/14 H01L22/20

    Abstract: 【課題】イオン注入処理の注入精度を高めるための技術を提供する。 【解決手段】イオンビームをx方向に往復走査させ、ウェハをy方向に往復運動させてウェハにイオン注入するイオン注入方法を提供する。この方法は、所定の面チャネリング条件を満たすように配置された第1ウェハにイオンビームを照射し、ビーム照射後の第1ウェハの抵抗を測定することと、所定の軸チャネリング条件を満たすように配置された第2ウェハにイオンビームを照射し、ビーム照射後の第2ウェハの抵抗を測定することと、第1ウェハおよび第2ウェハの抵抗測定結果を用いて、イオンビームのx方向およびy方向の注入角度分布を調整することと、を備える。 【選択図】図12

    イオン注入装置、イオン注入方法及びビーム計測装置
    7.
    发明专利
    イオン注入装置、イオン注入方法及びビーム計測装置 审中-公开
    离子注入装置,离子注入方法和光束测量装置

    公开(公告)号:JP2016039092A

    公开(公告)日:2016-03-22

    申请号:JP2014163051

    申请日:2014-08-08

    Abstract: 【課題】所定軌道を有するビーム成分を精度良く計測する。 【解決手段】イオン注入装置は、前段ビーム経路P1を通るイオンビームを偏向させ、ウェハ40に向けて後段ビーム経路P2を通るようにビームを出射させるビーム偏向装置42と、ビーム偏向装置42とウェハ40の間に位置し、後段ビーム経路P2中を進行するビームを部分的に遮蔽して所定軌道を有するビーム成分をウェハ40に向けて通過させるビームフィルタースリット52と、ビーム偏向装置42とビームフィルタースリット52の間に位置し、ビーム偏向装置42から出射されるビームの一部をビーム電流として計測するドーズカップ50と、ビーム偏向装置42とドーズカップ50の間に位置し、ビーム偏向装置42から出射してドーズカップ50に向かうビームのうち所定軌道から逸脱した軌道を有するビーム成分がドーズカップ50の計測領域に入射することを防ぐ軌道制限機構60と、を備える。 【選択図】図5

    Abstract translation: 要解决的问题:精确地测量具有预定轨道的光束分量。解决方案:离子注入装置包括:光束偏转器42,其偏转通过预级光束路径P1的离子束,并将光束朝向晶片40发射 使其通过后级光束路径P2; 位于光束偏转器42和晶片40之间的光束滤光器狭缝52部分地截取在后级光束路径P2中前进的光束,并且将具有特定轨道的光束分量穿过晶片40; 位于光束偏转器42和光束滤光器狭缝52之间的剂量杯50,并且测量从光束偏转器42发射的光束的一部分作为光束电流; 以及轨道限制机构60,其位于射束偏转器42和剂量杯50之间,并且防止具有偏离特定轨道的轨道的射束成分从射束偏转器发射后朝向剂量杯50前进 42,进入剂量杯50的测量区域。选择图:图5

Patent Agency Ranking