セシウムタングステン酸化物膜とその製造方法

    公开(公告)号:JP2019060012A

    公开(公告)日:2019-04-18

    申请号:JP2018017381

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 【課題】熱線遮蔽性能が高く、電波透過性を有するセシウムタングステン酸化物膜、及びそのような膜を乾式法により製造することのできるセシウムタングステン酸化物膜の製造方法を提供する。 【解決手段】セシウムとタングステンと酸素を主成分とするセシウムタングステン酸化物膜であって、セシウムとタングステンの原子比をCs/Wとしたとき、Cs/Wが0.1以上0.5以下であって、かつ、六方晶の結晶構造を有する。また、セシウムとタングステンと酸素を主成分とするセシウムタングステン酸化物膜の製造方法であって、セシウムタングステン酸化物ターゲットを用いて膜を形成する成膜工程と、膜を400℃以上、1000℃未満の温度で熱処理する熱処理工程とを有し、成膜工程又は熱処理工程のいずれかを酸素を含む雰囲気下で行う。 【選択図】図1

    円筒形セラミックス焼結体の製造方法及び円筒形セラミックス焼結体

    公开(公告)号:JP2018095504A

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:JP2016241234

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 【課題】焼結時における変形が少なく、繰り返し焼成を行っても安定した形状を有する円筒形セラミックス焼結体の製造方法及び円筒形セラミックス焼結体を提供することを目的とする。 【解決手段】焼成炉を用いて円筒形セラミックス成形体を焼成する円筒形セラミックス焼結体の製造方法であって、円筒形成形型のキャビティ内に原料粉末を充填し、加圧成形して円筒形セラミックス成形体を得る成形工程S1と、円筒形セラミックス成形体を焼成炉内に配置する配置工程S2と、配置した円筒形セラミックス成形体を焼成炉において焼成して円筒形セラミックス焼結体を得る焼成工程S3とを有し、配置工程S2では、焼成炉内の炉床あるいは炉床の上に設置した敷板に、複数の支持部材を並べ、該支持部材は1箇所につき3段以上重ねあわせて載置し、該支持部材上に円筒形セラミックス成形体を直立させた状態で載置する。 【選択図】図1

    酸化物焼結体の製造方法、及び酸化物焼結体

    公开(公告)号:JP2017214227A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2016106987

    申请日:2016-05-30

    Abstract: 【課題】真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、モリブテン成分の経時変化を抑制する。 【解決手段】真空蒸着用の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化インジウム粉と三酸化モリブテン粉の混合物に水系溶媒を加えて湿式調合してスラリーを作製する工程S11と、スラリーを乾燥して造粒粉を作製する工程S12と、造粒粉を800℃以上1000℃以下で仮焼して仮焼粉を作製する工程S13と、仮焼粉を乾燥造粒して乾燥造粒粉を作製する工程S14と、乾燥造粒粉を成形してから酸素濃度が体積比で30%以上である焼成雰囲気中で500℃以上600℃以下の温度で焼結して酸化物焼結体タブレットを作製する工程S15と、を含み、スラリーを作製する際に、モリブデンの量がインジウムに対する原子数比(Mo/In+Mo)で20〜60at%となるように、酸化インジウム粉と三酸化モリブデン粉を湿式調合することを特徴とする。 【選択図】図1

    複合タングステン酸化物膜及びその製造方法、並びに該膜を有する膜形成基材及び物品

    公开(公告)号:JP2019196521A

    公开(公告)日:2019-11-14

    申请号:JP2018090939

    申请日:2018-05-09

    Abstract: 【課題】可視光域における透明性、赤外光域における赤外光吸収性を併せ持ち、実質的な電波透過性を有し、光を吸収して遮蔽する機能、光を吸収して発熱する機能、光を吸収して電子を放出する機能に加え、波長が700〜1200nmの光の透過性を有する複合タングステン膜とその製造方法を提供し、更にはこれらのいずれか、もしくは複数の機能を利用した膜形成基材又は物品を提供する。 【解決手段】一般式M x W y O z (ただし、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、In、Tl、Snの内から選択される1種以上の元素、Wはタングステン、Oは酸素)で表される組成を主成分とする複合タングステン酸化物膜であって、0.001≦x/y≦1、2.2≦z/y≦3.0であり、有機物成分を実質的に含まず、シート抵抗が10 5 Ω/□以上で、波長550nmにおける透過率が50%以上、波長1400nmにおける透過率が30%以下、かつ、波長1400nmにおける吸収率が35%以上である。 【選択図】なし

    複合タングステン酸化物膜及びその製造方法、並びに該膜を有する膜形成基材及び物品

    公开(公告)号:JP6540859B1

    公开(公告)日:2019-07-10

    申请号:JP2018090939

    申请日:2018-05-09

    Abstract: 【課題】可視光域における透明性、赤外光域における赤外光吸収性を併せ持ち、実質的な電波透過性を有し、光を吸収して遮蔽する機能、光を吸収して発熱する機能、光を吸収して電子を放出する機能に加え、波長が700〜1200nmの光の透過性を有する複合タングステン膜とその製造方法を提供し、更にはこれらのいずれか、もしくは複数の機能を利用した膜形成基材又は物品を提供する。 【解決手段】一般式M x W y O z (ただし、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、In、Tl、Snの内から選択される1種以上の元素、Wはタングステン、Oは酸素)で表される組成を主成分とする複合タングステン酸化物膜であって、0.001≦x/y≦1、2.2≦z/y≦3.0であり、有機物成分を実質的に含まず、シート抵抗が10 5 Ω/□以上で、波長550nmにおける透過率が50%以上、波長1400nmにおける透過率が30%以下、かつ、波長1400nmにおける吸収率が35%以上である。 【選択図】なし

    セシウムタングステン酸化物焼結体の製造方法、セシウムタングステン酸化物焼結体及び酸化物ターゲット

    公开(公告)号:JP2019038720A

    公开(公告)日:2019-03-14

    申请号:JP2017162466

    申请日:2017-08-25

    Inventor: 佐藤 啓一

    Abstract: 【課題】大型化しても割れを抑制することが可能なセシウムタングステン酸化物焼結体及びその製造方法の提供。 【解決手段】セシウムタングステン酸化物の粉末から製造されるセシウムタングステン酸化物焼結体の製造方法であって、秤量工程では、セシウムタングステン酸化物焼結体の面積が、板状で100cm 2 以上となるようにセシウムタングステン酸化物の粉末を秤量し、焼結工程では、セシウムタングステン酸化物の粉末を、真空又は不活性雰囲気下、焼結温度が900℃以上1100℃未満、最高温度での保持時間が4時間以上、最高温度までの昇温速度が7℃/min以下、焼結保持後の冷却速度が3℃/min以下、24.5MPa以上の圧力、昇圧速度1.5MPa/min以下、降圧速度1.5MPa/min以下の条件でホットプレス又は熱間静圧プレスする。 【選択図】図1

    透明導電性積層体とタッチパネル
    10.
    发明专利
    透明導電性積層体とタッチパネル 审中-公开
    透明导电层压板和触控面板

    公开(公告)号:JP2016157297A

    公开(公告)日:2016-09-01

    申请号:JP2015035070

    申请日:2015-02-25

    Abstract: 【課題】タッチパネル等に組み込んで使用された場合にペン入力に起因し発生する薄膜層と透明導電膜層間の剥離が起こり難い透明導電性積層体とタッチパネルを提供する。 【解決手段】透明基材と該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体であって、上記薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚1nm以上30nm以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚4nm以上100nm以下の薄膜により構成されていることを特徴とする。上記密着層は酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有するため薄膜層と透明導電膜層に対し化学的親和力が強く、薄膜層と透明導電膜層間に発生する剥離を回避できる。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种透明导电性层叠体,当在触摸面板等中使用时,由薄笔层输入引起的薄膜层和透明导电膜层之间的分离较少,并且提供触摸面板 具有相同的透明导电层压体。透明导电层压板包括透明基板,在基板的至少一个表面上形成的由氧化硅或氮化硅制成的薄膜层和透明导电膜层,其中薄膜层和 透明导电膜层彼此相邻设置。 在薄膜层和透明导电膜层之间设置有主要由氧化铟构成的包含硅,厚度为1-30nm的粘合剂层。 透明导电膜层由主要由氧化铟制成的厚度为4〜100nm的薄膜构成。 由于粘合剂层主要由氧化铟制成并含有硅,所以粘合剂层对薄膜层和透明导电膜层具有强烈的化学亲和性,这防止了薄膜层和透明导电膜层之间的分离。 : 没有

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