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公开(公告)号：JP2017130184A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016171229
申请日：2016-09-01
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
IPC分类号： G06F21/73
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , H03K3/356113 , H04L9/3278 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , H01L27/11206
摘要： 【課題】ワンタイムプログラミングメモリセルのランダムコードを生成する。 【解決手段】ワンタイムプログラミングメモリセルは、選択回路と、第1のアンチヒューズ記憶回路と、第2のアンチヒューズ記憶回路とを含む。選択回路は、ビット線およびワード線と接続されている。第1のアンチヒューズ記憶回路は、第1のアンチヒューズ制御線と選択回路との間に接続されている。第2のアンチヒューズ記憶回路は、第2のアンチヒューズ制御線と選択回路との間に接続されている。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6479226B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2018016253
申请日：2018-02-01
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
IPC分类号： G06F21/73
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公开(公告)号：JP6389287B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2017006225
申请日：2017-01-17
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
CPC分类号： G11C17/18 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278
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公开(公告)号：JP2017139046A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2017006225
申请日：2017-01-17
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
IPC分类号： H01L21/8229 , H01L27/102 , G11C17/14
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , H03K3/356113 , H04L9/3278 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , H01L27/11206
摘要： 【課題】アンチヒューズ型OTPメモリセルをプログラムするための方法を提供する。 【解決手段】第1のプログラム電圧Vp1が、アンチヒューズトランジスタのゲート端子に与えられる。第1のビット線電圧Vb1が、アンチヒューズトランジスタTafに伝送される。第1の極性を有する第1の電圧ストレスが、アンチヒューズトランジスタTafのゲート酸化層に与えられて、アンチヒューズトランジスタのゲート端子と第1のドレイン/ソース端子との間に微弱経路が形成される。第2のプログラム電圧が、アンチヒューズトランジスタのゲート端子に与えられる。第2のビット線電圧が、アンチヒューズトランジスタに伝送される。第2の極性を有する第2の電圧ストレスが、アンチヒューズトランジスタのゲート酸化層に与えられる。その結果として、微弱経路に沿ってプログラム電流が生成されて、第1のドレイン/ソース端子の上でゲート酸化層が破断される。 【選択図】図4A
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公开(公告)号：JP6302020B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2016171229
申请日：2016-09-01
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
IPC分类号： G06F21/73
CPC分类号： G11C17/18 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278
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公开(公告)号：JP2018110002A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2018016253
申请日：2018-02-01
申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司
CPC分类号： G11C17/18 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278
摘要： 【課題】物理複製困難関数によるランダムコード生成を可能とする。 【解決手段】ワンタイムプログラミングメモリセルc1は、選択回路と、第1のアンチヒューズ記憶回路と、第2のアンチヒューズ記憶回路とを含む。選択回路は、ビット線BLおよびワード線WLと接続される。第1のアンチヒューズ記憶回路は、第1のアンチヒューズ制御線AF1と選択回路との間に接続され、第2のアンチヒューズ記憶回路は、第2のアンチヒューズ制御線AF2と選択回路との間に接続される。第1のアンチヒューズ記憶回路における読み出し電流に従って記憶状態を判定し、記憶状態に従ってランダムコードを生成する。 【選択図】図26
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