積層接合材料、半導体パッケージおよびパワーモジュール

    公开(公告)号:JP2021150559A

    公开(公告)日:2021-09-27

    申请号:JP2020050674

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 【課題】特に高温環境下において接合部に生じる歪みを緩和できる積層接合材料、半導体パッケージおよびパワーモジュールを提供する。 【解決手段】積層接合材料10において、、基材11の線膨張係数は、5.5〜15.5ppm/Kであり、第1面及び第2面は、鉛フリーはんだ12a、12bでコーティングされている。基材11は、Cu−W基、Cu−Mo基材料又はCu−W、Cu−Mo基材料の積層材料、Cu−W、Cu−Mo基材料にCu基材料が積層された複合材料である。基材11の第1面と鉛フリーはんだ12aとの間に下地処理による第1下地層13aを、基材11の第2面と鉛フリーはんだ12bとの間に下地処理による第2下地層13bを、形成してもよい。 【選択図】図1

    はんだ合金、はんだ粉末、はんだペースト、およびこれらを用いたはんだ継手

    公开(公告)号:JP2020011294A

    公开(公告)日:2020-01-23

    申请号:JP2019075498

    申请日:2019-04-11

    Abstract: 【課題】ペーストの経時変化を抑制し、濡れ性に優れ、液相線温度と固相線温度との温度差が小さく高く機械的特性に優れるはんだ合金、はんだ粉末、はんだペースト、およびこれらを用いたはんだ継手を提供する。 【解決手段】はんだ合金は、粘度の経時変化を抑制し、均質な組織となるため、As:25〜300質量ppm、Bi:0質量ppm以上25000質量ppm以下、Pb:0質量ppm超え8000質量ppm以下、および残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式および(2)式を満たすことを特徴とする。275≦2As+Bi+Pb・・・(1)、0 −4 ×Bi+8.2×10 −4 ×Pb≦7・・・(2)。上記(1)式および(2)式中、As、Bi、およびPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す。 【選択図】なし

    はんだ合金、はんだ粉末、はんだペースト、およびこれらを用いたはんだ継手

    公开(公告)号:JP2020011279A

    公开(公告)日:2020-01-23

    申请号:JP2018136542

    申请日:2018-07-20

    Abstract: 【課題】ペーストの経時変化を抑制し、液相線温度と固相線温度との温度差が小さく高い信頼性を有するはんだ合金、はんだ粉末、はんだペースト、およびこれらを用いたはんだ継手を提供する。 【解決手段】はんだ合金は、As:25〜300質量ppm、並びにSb:0質量ppm超え3000質量ppm以下、Bi:0質量ppm超え10000質量ppm以下、およびPb:0質量ppm超え5100質量ppm以下の少なくとも1種、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式および(2)式を満たす。275≦2As+Sb+Bi+Pb(1)、0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00(2)。上記(1)式および(2)式中、As、Sb、Bi、およびPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。 【選択図】なし

    はんだ合金、はんだ粉末、およびはんだ継手

    公开(公告)号:JP2020192601A

    公开(公告)日:2020-12-03

    申请号:JP2019238024

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 【課題】はんだペーストの経時変化を抑制し、液相線温度と固相線温度との温度差が小さく高い信頼性を有するはんだ合金等を提供する。 【解決手段】はんだ合金は、As:10質量ppm以上40質量ppm未満、並びにBi:0〜10000質量ppm、Pb:0〜5100質量ppm、およびSb:0〜3000質量ppmの少なくとも1種、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、(1)式および(2)式を満たす。300≦3As+Sb+Bi+Pb(1)、0.1≦{(3As+Sb)/(Bi+Pb)}×100≦200(2)、(1)式および(2)式中、As、Sb、Bi、およびPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。 【選択図】なし

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