公开(公告)号：JP2021025118A

公开(公告)日：2021-02-22

申请号：JP2019146605

申请日：2019-08-08

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学 ,  日本酸素ホールディングス株式会社

Inventor： 上田 大助 ,  児玉 和樹 ,  内藤 一樹 ,  田渕 俊也

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/54 ,  C23C14/28

Abstract: 【課題】高純度な膜を形成することが可能な半導体成膜装置及びそれを用いた成膜方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板保持台上に挿脱可能な第1のシャッターを有する半導体成膜装置において、第1のシャッターを閉じた状態で、窒素ラジカルをチャンバ内に照射し、その後窒素ラジカルを停止して排気する第1のプロセスと、第1のシャッターを閉じた状態でゲッター材料を蒸発させるプロセス2とのうち、少なくとも1つを1回以上実行することを含む排気工程により、チャンバの高真空を実現し、その後基板上に半導体膜を成膜する。その結果、高純度な膜を提供することができ、さらに高純度な半導体膜を形成することが可能であり、良好な半導体装置を得ることができる。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2020072231A

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：JP2018207377

申请日：2018-11-02

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  安藤 裕二 ,  児玉 和樹

IPC: C30B29/38 ,  C30B30/00 ,  C30B25/06 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

Abstract: 【課題】PLD法による成膜法において、高純度で結晶性の良好な膜を再現性よく形成する方法を提供する。 【解決手段】 パルスレーザーをターゲット表面の照射して、基板上にターゲット材料からなる膜を形成するPLD方において、基板とターゲットとの間に設けられたシャッターにより基板表面を覆った状態で、パルスレーザーを光学的に走査しながらターゲット表面に照射し、ターゲット表面の変性層を蒸発させることにより除去した後に、シャッターを開放した状態で、清浄化されたターゲット表面に、光学的走査を停止又は走査領域を縮小してレーザーを照射し、ターゲット材料を蒸発させることにより、基板上に膜を形成する。 【選択図】 図1