公开(公告)号：JP2021025118A

公开(公告)日：2021-02-22

申请号：JP2019146605

申请日：2019-08-08

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学 ,  日本酸素ホールディングス株式会社

Inventor： 上田 大助 ,  児玉 和樹 ,  内藤 一樹 ,  田渕 俊也

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/54 ,  C23C14/28

Abstract: 【課題】高純度な膜を形成することが可能な半導体成膜装置及びそれを用いた成膜方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板保持台上に挿脱可能な第1のシャッターを有する半導体成膜装置において、第1のシャッターを閉じた状態で、窒素ラジカルをチャンバ内に照射し、その後窒素ラジカルを停止して排気する第1のプロセスと、第1のシャッターを閉じた状態でゲッター材料を蒸発させるプロセス2とのうち、少なくとも1つを1回以上実行することを含む排気工程により、チャンバの高真空を実現し、その後基板上に半導体膜を成膜する。その結果、高純度な膜を提供することができ、さらに高純度な半導体膜を形成することが可能であり、良好な半導体装置を得ることができる。 【選択図】 図1