公开(公告)号：JP2021025118A

公开(公告)日：2021-02-22

申请号：JP2019146605

申请日：2019-08-08

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学 ,  日本酸素ホールディングス株式会社

Inventor： 上田 大助 ,  児玉 和樹 ,  内藤 一樹 ,  田渕 俊也

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/54 ,  C23C14/28

Abstract: 【課題】高純度な膜を形成することが可能な半導体成膜装置及びそれを用いた成膜方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板保持台上に挿脱可能な第1のシャッターを有する半導体成膜装置において、第1のシャッターを閉じた状態で、窒素ラジカルをチャンバ内に照射し、その後窒素ラジカルを停止して排気する第1のプロセスと、第1のシャッターを閉じた状態でゲッター材料を蒸発させるプロセス2とのうち、少なくとも1つを1回以上実行することを含む排気工程により、チャンバの高真空を実現し、その後基板上に半導体膜を成膜する。その結果、高純度な膜を提供することができ、さらに高純度な半導体膜を形成することが可能であり、良好な半導体装置を得ることができる。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2017157694A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2016039806

申请日：2016-03-02

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  ロムアルド アレハンドロ フェレーラ

IPC: C23C14/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203

Abstract: 【課題】 PLD法において、GaN等のIII族とV族の化合物半導体に低濃度の不純物を、精度よくドーピングすることが可能な成膜方法を提供する。 【解決手段】ピコ秒オーダーのパルス幅を有するレーザー光を堆積速度に関する繰り返し周波数の閾値以上の繰り返し周波数で、不純物を含有する液相状態のIII族のターゲット上に照射し、アブレーションによりターゲットを蒸発させ、活性化したV族材料を同時に供給鵜することで、基板に化合物半導体を形成する。ターゲットの温度により、基板に形成する膜の不純物濃度を調整する。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2020072231A

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：JP2018207377

申请日：2018-11-02

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  安藤 裕二 ,  児玉 和樹

IPC: C30B29/38 ,  C30B30/00 ,  C30B25/06 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

Abstract: 【課題】PLD法による成膜法において、高純度で結晶性の良好な膜を再現性よく形成する方法を提供する。 【解決手段】 パルスレーザーをターゲット表面の照射して、基板上にターゲット材料からなる膜を形成するPLD方において、基板とターゲットとの間に設けられたシャッターにより基板表面を覆った状態で、パルスレーザーを光学的に走査しながらターゲット表面に照射し、ターゲット表面の変性層を蒸発させることにより除去した後に、シャッターを開放した状態で、清浄化されたターゲット表面に、光学的走査を停止又は走査領域を縮小してレーザーを照射し、ターゲット材料を蒸発させることにより、基板上に膜を形成する。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6670497B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2016039806

申请日：2016-03-02

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  ロムアルド アレハンドロ フェレーラ

IPC: C23C14/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203

公开(公告)号：JP2018170437A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2017067706

申请日：2017-03-30

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  フェレーラ ロムアルド アレハンドロ

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203

CPC classification number: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

Abstract: 【課題】 GaN等のIII族窒化物半導体表面の欠陥を低減しながら、III族窒化物半導体表面に窒化物又は酸化物を成膜する方法及び成膜装置を提供する。 【解決手段】III族窒化物半導体に対して、窒素ラジカルを照射しながら加熱し、窒素空孔による欠陥を抑制し、PLD法によりターゲット材料を蒸発させ、窒素ラジカル又は酸素ラジカルと反応させながら窒化物、酸化物を成膜する。また、レーザ光を複数に分岐することで、形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6660052B2

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：JP2016033606

申请日：2016-02-24

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/0264

公开(公告)号：JP2018206867A

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：JP2017108446

申请日：2017-05-31

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助 ,  ロムアルド アレハンドロ フェレーラ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 GaN等のIII族窒化物半導体表面の欠陥を低減し、トランジスタのオン電流を向上することができるIII族窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】III族窒化物半導体に対して、窒素ラジカルを供給しながら加熱することで窒素空孔による表面欠陥を低減し、その後、ゲート絶縁膜の形成やソース、ドレイン領域となるIII族窒化物半導体膜の形成を行うことにより、トランジスタの性能向上を実現する。また、ソース、ドレイン領域と電極との接触抵抗を低減することで、トランジスタのオン電流を向上させることができる。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2017152543A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2016033606

申请日：2016-02-24

Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学

Inventor： 上田 大助

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/0264

Abstract: 【課題】 電力設備の制御系と駆動系とを電気的に分離し、高耐圧と導通時の高い電気伝導率とを両立することができる光導電素子およびそれを用いた光結合素子を提供する。 【解決手段】 光導電素子は、基板上に、深い準位を形成する不純物であるC、Fまたは遷移金属がドーピングされた、GaN層とInGaN層とが交互に積層された積層体を備え、積層体の両端部には電極が形成されている。積層体に、GaN層およびInGaN層のバンドギャップエネルギーと同じエネルギーの光より波長が長く、不純物を含有するGaN層およびInGaN層で吸収される波長の光を照射することにより、両電極間の電気伝導率が増大し、光導電素子は、導通状態となる。また、光導電素子のサファイア基板を介して、発光ダイオードが対向して備えられた、小型で高耐圧を実現する光結合素子。 【選択図】 図1