-
公开(公告)号：JPWO2012029544A1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012531786
申请日：2011-08-17
申请人： 国立大学法人信州大学 , 大日精化工業株式会社
IPC分类号： C07D471/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： C09K19/3483 , C07D471/04 , C09B5/62 , C09K19/3488 , H01L51/0053 , H01L51/0076 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , Y10T428/2982
摘要： 本発明は、有機半導体材料として使用できる微粒子状の材料であって、該微粒子は、50℃〜350℃の温度に加熱されると液晶状態へと相転移するサーモトロピック液晶であることを特徴とする有機半導体微粒子材料、有機半導体薄膜および有機トランジスタである。上記本発明によれば、印刷製膜法により形成された有機半導体薄膜を大面積にわたり均一に作製することが容易であり、高い電子移動度および高いオン/オフ値を有するとともに、微粒子を用いた分散液塗布法により有機半導体薄膜を形成することのできる有機半導体微粒子材料、有機半導体薄膜および有機トランジスタを提供することができる。
-
公开(公告)号：JPWO2011052721A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2011538498
申请日：2010-10-29
申请人： 大日精化工業株式会社 , 国立大学法人信州大学
IPC分类号： H01L51/30 , C07D471/06 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D471/06 , C09B5/62 , H01L51/0053 , H01L51/0545
摘要： 本発明は、下記一般式(1)で表されるペリレンテトラカルボキシジイミド誘導体からなることを特徴とする有機半導体材料、有機半導体薄膜および有機薄膜トランジスタである。ただし、一般式(1)中、R1は炭素数が1〜20である分岐してもよいアルキル基を、R2は炭素数が2〜6である分岐してもよいアルキル基を、R3は炭素数が2〜6である分岐してもよいアルキル基を、X1およびX2は、酸素原子、硫黄原子およびセレン原子から選択されるヘテロ原子を、Yはハロゲン原子あるいはシアノ基を、mは0〜4の数を、そしてnは0〜2の数を、それぞれ示す。さらに、R1およびR2のアルキル基は、フッ素で置換されていてもよい。
-
公开(公告)号：JP5665137B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2011538498
申请日：2010-10-29
申请人： 大日精化工業株式会社 , 国立大学法人信州大学
IPC分类号： H01L51/30 , C07D471/06 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D471/06 , C09B5/62 , H01L51/0053 , H01L51/0545
-
4.发明专利
公开(公告)号：JP5613948B2
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：JP2012531786
申请日：2011-08-17
申请人： 国立大学法人信州大学 , 大日精化工業株式会社
IPC分类号： H01L51/05 , C07D471/04 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： C09K19/3483 , C07D471/04 , C09B5/62 , C09K19/3488 , H01L51/0053 , H01L51/0076 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , Y10T428/2982
-
-
公开(公告)号：JP2012519369A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：JP2011534956
申请日：2010-09-03
申请人： 健一 中山 , 大日精化工業株式会社
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
摘要： A current-amplifying transistor device is provided, between an emitter electrode and a collector electrode, with two organic semiconductor layers and a sheet-shaped base electrode. One of the organic semiconductor layers is arranged between the emitter electrode and the base collector electrode, and has a diode structure of a p-type organic semiconductor layer and an n-type p-type organic semiconductor layer. A current-amplifying, light-emitting transistor device including the current-amplifying transistor device and an organic EL device portion formed in the current-amplifying transistor device is also disclosed.
-
公开(公告)号：JP5499045B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2011534956
申请日：2010-09-03
申请人： 大日精化工業株式会社 , 健一 中山
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
-
8.发明专利
公开(公告)号：JP2012519370A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：JP2011534958
申请日：2010-05-11
申请人： 健一 中山 , 大日精化工業株式会社
IPC分类号： H01L51/30 , C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
摘要： 有機半導体材料は、下記一般式（Ｆ）で表される。
式中のＡは１個またはそれ以上の芳香族環からなる環状共役系骨格構造を、Ｒ
1 、Ｒ
2 は各々独立に、置換基を有してもよいアルキル基を表す。
この有機半導体材料は、高い電子移動度および高いオン／オフ比を有すると共に、その溶液を用いた溶液塗布法により有機半導体薄膜を形成することができる。-
公开(公告)号：JP5643215B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2011538496
申请日：2010-10-29
申请人： 大日精化工業株式会社
IPC分类号： C07D471/06
CPC分类号： C07D221/18 , C09B5/62 , H01L51/0053
-
10.发明专利
公开(公告)号：JP5638319B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2010191603
申请日：2010-08-29
申请人： 中山 健一 , 健一 中山 , 史樹 矢貝 , 史樹 矢貝 , 大日精化工業株式会社
IPC分类号： H01L51/05 , C07D471/06 , C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.034 秒)
