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    リチウムイオン二次電池用負極活物質およびその製造方法並びに負極および電池
    1.
    发明专利
    リチウムイオン二次電池用負極活物質およびその製造方法並びに負極および電池 审中-公开
    用于锂离子二次电池的负极电极活性材料及其制造方法及负极和电池

    公开(公告)号：JP2016035825A

    公开(公告)日：2016-03-17

    申请号：JP2014157999

    申请日：2014-08-01

    申请人： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社

    发明人： 下位 法弘 ,  田路 和幸 ,  田中 泰光 ,  張 其武 ,  甲斐 博之

    IPC分类号： H01M4/485 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0566 ,  H01M4/36 ,  H01M10/052 ,  H01M4/38

    摘要： 【課題】リチウムイオン二次電池用負極活物質として高い理論容量を有するケイ素系物質を負極活物質として用いた際に、初期の電池容量が高く、かつ、多数サイクルの充放電を繰り返しても性能の劣化の少ない負極活物質を得る。また、その負極活物質を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。 【解決手段】ケイ素と酸化銅(2)、または、ケイ素、金属銅および水を、粉砕手段を用いて、粉砕処理すると同時に混合処理ことにより、サイクル特性が良好であり、かつ大きな電池容量を持つ負極活物質を得ることができる。 【選択図】図6

    摘要翻译： 要解决的问题：为了获得具有高初始电池容量的负极活性材料，即使重复多次循环充电和放电，其性能劣化也降低，当使用具有高理论容量的硅基材料时 作为锂离子二次电池的负极活性物质，并且使用该负极活性物质提供锂离子二次电池。解决方案：通过粉碎硅和可以获得具有优异的循环特性和大电池容量的负极活性材料， 氧化铜（2）或硅，金属铜和水通过使用粉碎装置并同时混合。选择图：图6

    カーボンナノチューブ含有スズドープ酸化インジウム膜およびその製造方法
    2.
    发明专利
    カーボンナノチューブ含有スズドープ酸化インジウム膜およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020007204A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：JP2018131831

    申请日：2018-07-11

    申请人： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社

    发明人： 下位 法弘 ,  田路 和幸 ,  福田 健作

    IPC分类号： C01B32/168 ,  H01L29/786 ,  C01G15/00

    摘要： 【課題】高い電子移動度を有するカーボンナノチューブ含有金属酸化物膜、特にカーボンナノチューブ含有スズドープ酸化インジウム膜、および当該膜を簡便に製造する方法を提供する。 【解決手段】有機インジウム化合物、有機スズ化合物および単層のカーボンナノチューブをアセトン中に分散させた分散液に超音波分散処理とジェットミルによる粉砕処理を施して得られたカーボンナノチューブ分散液を、ブフナー漏斗と吸引瓶を用いて減圧濾過して得られた膜状物について4端子4探針法によって測定して得られる体積抵抗率として定義される体積抵抗率が1×10 -6 Ω・cm以下のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ分散液を基板に塗布し、加熱してカーボンナノチューブを含むスズドープインジウム酸化物膜を形成することにより、移動度が150cm 2 /Vs以上である、高い移動度を有するCNT含有ITO膜を得る。 【選択図】図3

    カーボンナノチューブ分散液およびそれを用いた電界電子放出素子の製造方法並びに発光素子の製造方法
    8.
    发明专利
    カーボンナノチューブ分散液およびそれを用いた電界電子放出素子の製造方法並びに発光素子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021136143A

    公开(公告)日：2021-09-13

    申请号：JP2020031292

    申请日：2020-02-27

    申请人： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社

    发明人： 下位 法弘 ,  佐藤 王高

    IPC分类号： H01J9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304

    摘要： 【課題】製造工程において表面に溝を形成する工程が不要であり、一定量の電界電子放出を得るために必要な印加電圧が低く、省電力性に優れた電界電子放出膜を形成することが可能なカーボンナノチューブ(CNT)分散液およびそれを用いた電界電子放出素子(電界電子放出電極)、および発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】有機溶媒中に有機インジウム化合物、錫アルコキシド、錫ドープインジウム酸化物粉、CNTおよび1000℃以下で熱分解する性質を有する有機樹脂粒子を含有させたCNT分散液を基板に塗布し、300℃以上600℃未満で加熱して基板上にCNT含有膜を形成した後、さらに600℃以上1200℃以下で加熱してCNT露出処理を行うことにより、省電力性に優れた電界電子放出膜を形成することが得られる。 【選択図】図1

    電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法
    9.
    发明专利
    電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021089841A

    公开(公告)日：2021-06-10

    申请号：JP2019219405

    申请日：2019-12-04

    申请人： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社

    发明人： 下位 法弘 ,  佐藤 王高

    IPC分类号： H01J9/02

    摘要： 【課題】省電力性に優れた電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】基板と、前記の基板上に積層された50〜99.9質量%の錫ドープインジウム酸化物と0.1〜20質量%のカーボンナノチューブとを含む電界電子放出膜と、を含む電界電子放出素子であって、前記の電界電子放出膜を貫通し、かつ、前記の基板の表面から5μm以上の深さの溝が1mm 2 当たりの総延長2mm以上の長さで形成されており、前記の電界電子放出膜に形成された前記の溝の壁面においてカーボンナノチューブが露出した構造を有する電界電子放出素子。 【選択図】図2

    電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法
    10.
    发明专利
    電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019175648A

    公开(公告)日：2019-10-10

    申请号：JP2018061538

    申请日：2018-03-28

    申请人： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社

    发明人： 下位 法弘 ,  田路 和幸 ,  福田 健作

    IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304

    摘要： 【課題】一定量の電界電子放出を得るために必要な印加電圧が低く、省電力性に優れた電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】50〜99.9質量%の錫ドープインジウム酸化物と0.1〜20質量%のカーボンナノチューブとを含む膜の表面に溝が1mm 2 当たりの総延長2mm以上の長さで形成されており、前記の溝の壁面においてカーボンナノチューブが露出した構造を有する電界電子放出膜であって、前記の溝の深さの変動係数が0.30以下である、電界電子放出膜。上記電界電子放出膜は、基板上にカーボンナノチューブを含有したITO膜を形成した後、ITO膜の同一箇所に複数回にわたって溝形成処理を行い、エミッタとなるカーボンナノチューブが露出した所定の深さの溝を形成することにより得ることができる。 【選択図】図3