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    ガス分離膜、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置
    2.
    发明专利
    ガス分離膜、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置 有权
    气体分离膜，气体分离膜模块和气体分离器

    公开(公告)号：JP2016163869A

    公开(公告)日：2016-09-08

    申请号：JP2015146305

    申请日：2015-07-24

    Applicant: 富士フイルム株式会社

    Inventor： 澤田 真 ,  望月 勇輔 ,  成田 岳史 ,  伊藤 滋英 ,  野田 浩之

    IPC: B01D69/12 ,  B01D53/22 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  C08J7/04 ,  B01D71/70

    CPC classification number: B01D71/70 ,  B01D53/228 ,  B01D69/02 ,  B01D69/125 ,  B01D71/64 ,  B01D2256/10 ,  B01D2256/16 ,  B01D2256/24 ,  B01D2256/245 ,  B01D2257/302 ,  B01D2257/304 ,  B01D2257/308 ,  B01D2257/404 ,  B01D2257/504 ,  B01D2323/12 ,  Y02C10/10

    Abstract: 【課題】高圧下におけるガス透過性及びガス分離選択性が高く、耐曲げ性が良好なガス分離膜の提供。 【解決手段】多孔質支持体A4の上に位置するシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層3を有し、シロキサン結合を有する化合物が式(2)又は式(3)で表される繰り返し単位を有し、シロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層が多孔質支持体B中に存在する領域GLiと多孔質支持体Bの上に存在する領域GLeとを含み、GLeの厚みが50〜1000nm、GLiの厚みが20nm以上、かつ、GLeの厚みの10〜350%、GLe表層20nm中とGLi表層20nm中の式(3)で表される繰り返し単位の含有率との差が30〜90%であるガス分離膜。 【選択図】図7

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气体分离膜，其在高压下具有高的气体渗透性和气体分离选择性，并且具有优异的抗弯曲性。解决方案：气体分离膜具有含有硅氧烷键位于 多孔支撑件A4。 具有硅氧烷键的化合物具有由式（2）和式（3）中的任一个表示的重复单元。 含有具有硅氧烷键的化合物的树脂层含有存在于多孔载体B中的区域GLi和存在于多孔载体B上的区域GLe .Gel的厚度为50〜1000nm，GLi的厚度为20nm 以上，GLe的厚度为10〜350％，由式（3）表示的重复单元的含量与GLe的表面层的20nm以及GLi的表面层的20nm的差异 是30-90％。选择图：图7

    ガス分離膜、ガス分離膜の製造方法、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置
    7.
    发明专利
    ガス分離膜、ガス分離膜の製造方法、ガス分離膜モジュール及びガス分離装置 有权
    气体分离膜，气体分离膜的制造方法，气体分离膜模块和气体分离器

    公开(公告)号：JP2016163871A

    公开(公告)日：2016-09-08

    申请号：JP2015146307

    申请日：2015-07-24

    Applicant: 富士フイルム株式会社

    Inventor： 向井 厚史 ,  成田 岳史 ,  望月 勇輔 ,  伊藤 滋英 ,  野田 浩之

    IPC: B01D71/64 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D53/22 ,  C08J7/00 ,  B01D71/70

    CPC classification number: B01D71/70 ,  B01D53/228 ,  B01D69/02 ,  B01D69/125 ,  B01D71/64 ,  B01D2256/10 ,  B01D2256/16 ,  B01D2256/24 ,  B01D2256/245 ,  B01D2257/302 ,  B01D2257/304 ,  B01D2257/308 ,  B01D2257/404 ,  B01D2257/504 ,  B01D2323/12 ,  Y02C10/10

    Abstract: 【課題】高圧下におけるガス透過性およびガス分離選択性の少なくとも一方が高いガス分離膜の提供。 【解決手段】シロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層を有するガス分離膜であって、シロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層が式1及び式2を満たすガス分離膜;ガス分離膜の製造方法;ガス分離膜モジュール;ガス分離装置; 式1 0.9≧A/B≧0.55、式2 B≧1.7;Aはシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層の表面から10nmの深さにおけるシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層に含まれる酸素原子の数のケイ素原子の数に対する比であるO/Si比を表し、Bはシロキサン結合を有する化合物を含む樹脂層の表面における酸素原子の数のケイ素原子の数に対する比であるO/Si比を表す。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气体分离膜，其中气体渗透性和气体分离选择性中的至少一种在高压下是高的。解决方案：提供一种气体分离膜，其具有含有具有硅氧烷键的化合物的树脂层， 含有具有硅氧烷键的化合物的树脂层满足式1：0.9≥A/B≥0.55，式2：B≥1.7。 还提供有：气体分离膜的制造方法， 气体分离膜组件; 和气体分离器。 在该式中，A表示作为氧原子数与硅原子数的比率的O / Si比，该比例包含在含有硅氧烷键的化合物的树脂层中，所述化合物的深度为10nm 含有具有硅氧烷键的化合物的树脂层的表面，B表示在含有化合物的树脂层的表面上的氧原子数与硅原子数之比的O / Si比 具有硅氧烷键。选择图：图4

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