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公开(公告)号：JP6136847B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013219294
申请日：2013-10-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N23/227
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公开(公告)号：JP2016205951A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015086734
申请日：2015-04-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N23/227 , G01B15/02
Abstract: 【課題】XPSを用いて、基材に成膜された薄膜の膜厚を短時間で容易に得ることのできる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供する。 【解決手段】基材に薄膜が成膜されている試料における薄膜の膜厚測定方法において、試料の薄膜にX線を照射して光電子スペクトルを得る工程S106と、光電子スペクトルにおいて、基材には含まれているが、薄膜には含まれていない元素の2つの光電子ピークより、各々のピーク面積を得て、各々のピーク面積より、ピーク面積比を算出する工程S108と、ピーク面積比に基づき検量線を作製する工程S110と、検量線に基づき薄膜の膜厚の値を得る工程と、を有する。 【選択図】図11
Abstract translation: A，使用XPS，它提供了一个薄膜厚度的测量方法，可在很短的时间容易地获得在基板上形成薄膜的厚度的膜厚度测量设备。 所述样品中的薄膜，其中，薄膜沉积，获得由在样品上的薄膜，所述光电子能谱中，基板照射X射线光电子光谱的步骤S106的膜厚测量方法的基 它已被列入不包含在膜元件，与相应的峰面积的2个光电子峰的，从各峰面积，计算峰面积比的步骤S108，根据峰面积比 具有步骤S110，以产生校准曲线，校准曲线，a的基础上获得的薄膜的厚度的值。 .The 11
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公开(公告)号：JP2018205126A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017110987
申请日：2017-06-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01J49/14 , H01J37/252 , G01N27/62
Abstract: 【課題】試料に含まれている元素の割合が少ない場合であっても、高い精度で元素を測定することのできる二次イオン質量分析方法を提供する。 【解決手段】試料に一次イオンを照射し、前記試料より放出された二次イオンを検出することにより、前記試料に含まれる元素を測定する二次イオン質量分析方法において前記試料に前記一次イオンを照射する工程と、前記試料に含まれる元素の正の二次イオン、または、前記元素を含む正の二次イオンに電子を照射して、前記元素の二次イオン、または、前記元素を含む二次イオンを検出する工程と、を有することを特徴とする二次イオン質量分析方法により上記課題を解決する。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP2016076400A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206420
申请日：2014-10-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01M10/48 , G01N23/227 , H01M4/58
Abstract: 【課題】XPSを用いたリチウム二次電池の正極又は正極材料の評価を行うに際して、ピーク分離を行うことなく、簡易且つ正確な評価を可能とする。 【解決手段】XPSを用いたリチウム二次電池の正極の評価をするに際して、正極の価電子帯領域における強度スペクトルを取得し、強度スペクトルの所定の結合エネルギーにおける強度を測定し、強度に基づいて、正極の構成元素の化学結合状態を評価する。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：当使用XPS评价锂二次电池的正极或正极材料时，进行简单而精确的评估而不分离峰。解决方案：当使用锂二次电池的正极评价锂二次电池的正极时 获取正极的价带区域中的XPS强度光谱，测定强度光谱的规定结合能的强度，根据强度的强度来评价正极的构成元素的化学结合状态 图4
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公开(公告)号：JP2016008859A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014128493
申请日：2014-06-23
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N23/227
Abstract: 【課題】XPSにおける角度分解測定を行うに際して、ピーク分離ができない試料を主な被測定対象として、被測定対象のバルク部分と、吸着成分及びこれにより変質した表面層との層状構造となっているか否かを簡易に評価することができる、信頼性の高いXPS分析を可能とする分析方法及び装置、並びにプログラムを提供する。 【解決手段】X線光電子分光法における角度分解測定を行い、被測定対象における光電子を発生する元素の深さ方向分布を評価する分析方法であって、取り出し角度に対する光電子のピーク強度の第1の変化を算出するステップS4と、取り出し角度に対する価電子帯領域の強度の第2の変化を算出するステップと、第1の変化と第2の変化とを比較するステップと含むXPS分析方法を実行する。 【選択図】図8
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种分析方法和装置以及程序，能够简单地评估在不测量作为主要测量对象的峰值分离的样本的XPS中的角度分辨率的情况下，是否存在层结构 大量部分，吸附组分和由此测量对象退化的表面层，使得可靠性高XPS分析成为可能。解决方案：本发明是用于测量X射线光电子能谱中的角度分辨率和评估的分析方法 在测量对象中在产生光电子的元件的深度方向上的分布，该方法执行XPS分析方法，该XPS分析方法包括用于计算光电子的峰值强度相对于提取角度的第一变化的步骤S4，用于计算第二变化的步骤 相对于提取角度的价带强度的强度，以及用于比较第一和第二通道的步骤 水电站。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6740736B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016117947
申请日：2016-06-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N27/62 , H01J37/256 , H01J49/00 , H01J49/14 , H01J49/22 , H01J49/26 , H01J37/252
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公开(公告)号：JP2018081744A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016221161
申请日：2016-11-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N27/62 , H01J37/252 , H01J37/147 , H01J37/256 , H01J49/14
Abstract: 【課題】二次イオン質量分析に関し、一次イオンビームの加速電圧のズレを正確に把握し、加速電圧の変化に依存することなく一次イオンビームの走査幅を制御する方法を提供する。 【解決手段】設定加速電圧V 0 によって加速された一次イオンビームを、設定加速電圧V 0 と偏向電極に印加する電圧V d の関係式によって定まる設定走査幅y ini (設定)で試料の表面を走査させて発生する二次イオンビームの放出に伴うクレータの走査方向の幅y及び引出電極位置における一次イオンビームのエネルギーV 0 ′を実測し、実測した幅yとエネルギーV 0 ′の関係から前記関係式に基づいて偏向電極の位置における一次イオンビームのエネルギーVを評価し、エネルギーVとエネルギーV 0 ′の差分δV(=V 0 ′ −V)を求め、クレータの走査方向の幅yが設定走査幅y ini (設定)になるように偏向電極に印加する電圧をV d からV d ′に変更する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017224441A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016117947
申请日：2016-06-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N27/62 , H01J37/256 , H01J49/10 , H01J49/26 , H01J37/252
Abstract: 【課題】SIMSを用いた元素分布測定方法において、複数の元素の分布の測定を同じ領域において行うことのできる元素分布測定方法を提供する。 【解決手段】偏向板150に走査電圧を印加することにより、測定対象とする元素に最適なバイアス電圧を印加した試料110に一次イオンを走査して入射させ、試料より放出された二次イオンを質量分析計190で検出することにより、試料の所定の領域に含まれる複数の元素の分布を測定する元素分布測定方法において、第1の元素と第2の元素がともに同じ所定の領域において測定されるように、それぞれの元素に最適なバイアス電圧の差に対応する補正を加えた走査電圧を印加して第1の元素と第2の元素の分布を測定する。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP2015081819A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013219294
申请日：2013-10-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N23/227
Abstract: 【課題】XPSにおいて、分析する者に依存することなく、バラツキの少ないピークフィッティングを行なうことのできる分析方法を提供する。 【解決手段】X線光電子分光法による分析方法において、分析対象となる試料における2つの異なる内殻準位を選択して、前記試料にX線を照射した際の前記試料からの光電子の脱出深さが略同じとなるように、前記2つの異なる内殻準位における光電子の取り出し角度を各々設定する条件設定工程と、前記試料にX線を照射し、前記2つの異なる内殻準位のうち一方の内殻準位において、前記一方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第1の測定工程と、前記試料にX線を照射し、前記2つの異なる内殻準位のうち他方の内殻準位において、前記他方の内殻準位に対応する光電子の取り出し角度により、光電子の測定を行なう第2の測定工程と、を有することを特徴とする分析方法により上記課題を解決する。 【選択図】 図8
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在不依赖X射线光电子能谱（XPS）的分析人员的情况下进行峰值拟合的分析方法。解决方案：提供一种基于X射线光电子能谱的分析方法，其中 分析方法的特征在于具有：条件设定步骤，在要分析的样品中选择两种不同的内壳层，并将每个光电子起飞角设定在两个不同的内壳层上，使得光电子逃逸深度从样品 用X射线照射的样品大致相同; 第一测量步骤，用X射线照射样品，并且通过对应于一个内壳层的光电子起飞角度，在两个不同的内壳层中的一个内壳层处测量光电子; 以及第二测量步骤，用X射线照射样品，并通过对应于另一个内壳水平的光电子起飞角度在两个不同的内壳层中测量另一个内壳层处的光电子。
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