公开(公告)号：JP6740736B2

公开(公告)日：2020-08-19

申请号：JP2016117947

申请日：2016-06-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 滋野 真弓 ,  片岡 祐治

IPC: G01N27/62 ,  H01J37/256 ,  H01J49/00 ,  H01J49/14 ,  H01J49/22 ,  H01J49/26 ,  H01J37/252

公开(公告)号：JP2018081744A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2016221161

申请日：2016-11-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 滋野 真弓 ,  片岡 祐治

IPC: G01N27/62 ,  H01J37/252 ,  H01J37/147 ,  H01J37/256 ,  H01J49/14

Abstract: 【課題】二次イオン質量分析に関し、一次イオンビームの加速電圧のズレを正確に把握し、加速電圧の変化に依存することなく一次イオンビームの走査幅を制御する方法を提供する。 【解決手段】設定加速電圧V 0 によって加速された一次イオンビームを、設定加速電圧V 0 と偏向電極に印加する電圧V d の関係式によって定まる設定走査幅y ini (設定)で試料の表面を走査させて発生する二次イオンビームの放出に伴うクレータの走査方向の幅y及び引出電極位置における一次イオンビームのエネルギーV 0 ′を実測し、実測した幅yとエネルギーV 0 ′の関係から前記関係式に基づいて偏向電極の位置における一次イオンビームのエネルギーVを評価し、エネルギーVとエネルギーV 0 ′の差分δV(=V 0 ′ −V)を求め、クレータの走査方向の幅yが設定走査幅y ini (設定)になるように偏向電極に印加する電圧をV d からV d ′に変更する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017224441A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2016117947

申请日：2016-06-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 滋野 真弓 ,  片岡 祐治

IPC: G01N27/62 ,  H01J37/256 ,  H01J49/10 ,  H01J49/26 ,  H01J37/252

Abstract: 【課題】SIMSを用いた元素分布測定方法において、複数の元素の分布の測定を同じ領域において行うことのできる元素分布測定方法を提供する。 【解決手段】偏向板150に走査電圧を印加することにより、測定対象とする元素に最適なバイアス電圧を印加した試料110に一次イオンを走査して入射させ、試料より放出された二次イオンを質量分析計190で検出することにより、試料の所定の領域に含まれる複数の元素の分布を測定する元素分布測定方法において、第1の元素と第2の元素がともに同じ所定の領域において測定されるように、それぞれの元素に最適なバイアス電圧の差に対応する補正を加えた走査電圧を印加して第1の元素と第2の元素の分布を測定する。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2016081907A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：JP2015146985

申请日：2015-07-24

Applicant: 日本電子株式会社

Inventor： 森田 正樹 ,  安原 聡

IPC: H01J37/256 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01J37/26 ,  G01N23/225 ,  G01N23/04 ,  H01J37/252

Abstract: 【課題】試料の劣化を抑制しつつ精度のよい元素マップを得ることが可能な電子顕微鏡及び元素マッピング画像生成方法を提供すること。 【解決手段】電子顕微鏡1は、複数の同一パターンを有する試料Sの電子顕微鏡画像と、電子顕微鏡画像の各ピクセルのスペクトルとを取得する取得部102と、電子顕微鏡画像に含まれる同一の大きさの複数の領域それぞれの各ピクセルのスペクトル同士を加算することで、試料Sの元素マッピング画像を生成する元素マップ生成部104とを含む。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在抑制样品劣化的同时获得高精度元素图的电子显微镜和元件映像图像生成方法。电子显微镜1包括：获取单元102，其获取电子 具有多个相同图案的样品S的显微镜图像和电子显微镜图像的每个像素的光谱; 以及元素图生成单元104，其通过将包含在电子显微镜图像中的相同尺寸的多个区域中的像素的光谱相加来生成样本S的元素映射图像。图1

公开(公告)号：JP2015170593A

公开(公告)日：2015-09-28

申请号：JP2014180316

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 村上 武

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/256 ,  H01J37/244 ,  H01J37/252

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/24415 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/2801

Abstract: 【課題】試料の材料組成を高い精度で分析することができる分析装置を提供する。 【解決手段】実施形態の分析装置は、二次電子光学系と、少なくとも一つの検出器と、組成分析手段と、を持つ。前記二次電子光学系は、荷電粒子ビームを生成して試料に照射する荷電粒子ビーム源と、電界または磁界により前記荷電粒子ビームの焦点位置および軌道を制御するレンズとを含む。前記検出器は、前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から発生する特性X線を検出する。前記組成分析手段は、検出された特性X線から前記試料を構成する材料の組成を分析する。各検出器は、その検出面の少なくとも一部が前記二次電子光学系から前記荷電粒子ビームが出射する出射面と同一の面または前記同一面よりも前記荷電粒子ビーム源側に位置するように配置される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以高精度地分析样品的材料成分的分析器。解决方案：分析仪包括二次电子光学系统，至少一个检测器和成分分析装置。 二次电子光学系统包括带电粒子束源，其产生带电粒子束并照射具有带电粒子束的样本，以及透镜，其利用电场或磁场来控制带电粒子束的焦点位置和轨迹。 检测器检测由于带电粒子束的照射而从样品产生的特征X射线。 组成分析装置从检测到的特征X射线分析构成样品的材料的组成。 每个检测器布置成使得其检测表面的至少一部分位于与从二次电子光学系统或带电粒子束源侧发射带电粒子束的发射表面相同的表面上 相同的表面。

公开(公告)号：JP2012008145A

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：JP2011210846

申请日：2011-09-27

Applicant: Fei Co ,  エフ イー アイ カンパニFei Company

Inventor： ROBERT L JARAK ,  CHRISTMAN ROCK ,  MARK UTLAUT

IPC: G01N27/62 ,  G01N23/225 ,  G01Q60/00 ,  H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/252 ,  H01J37/256 ,  H01J49/14

CPC classification number: G01N23/225 ,  H01J37/256 ,  H01J2237/2527 ,  H01J2237/31744 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/881 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/895 ,  Y10S977/949

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To increase sensitivity of an SMIS system.SOLUTION: The sensitivity of a secondary ion mass spectrometer (SIMS) is increased by using steam in order to raise yield of a positive secondary ion to be sputtered by a primary convergence ion beam. The steam is positioned near a sample and injected through a needle to be electrically biased in order to reduce interference with a collection field of the secondary ion. The sensitivity is raised especially to metal in a tendency to be sputtered as the positive ion.

Abstract translation: 要解决的问题：提高SMIS系统的灵敏度。

解决方案：通过使用蒸汽来提高二次离子质谱仪（SIMS）的灵敏度，以提高由主会聚离子束溅射的正二次离子的产率。 蒸汽位于样品附近并通过针注射以被电偏置，以减少对二次离子的收集场的干扰。 敏感性特别提高到金属，作为正离子溅射的倾向。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4231798B2

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：JP2004015049

申请日：2004-01-23

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 淳 ▲高▼根 ,  貢 佐藤 ,  達哉 前田 ,  成人 砂子沢 ,  博実 稲田 ,  孝 飯泉

IPC: G21K5/00 ,  H01J37/28 ,  G03F7/20 ,  G21K5/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/22 ,  H01J37/256 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J2237/2826

公开(公告)号：JP4022512B2

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：JP2003385678

申请日：2003-11-14

Applicant: Tdk株式会社

Inventor： 和香子 大川 ,  克昭 柳内

IPC: G01N23/225 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244 ,  H01J37/252 ,  H01J37/256

CPC classification number: H01J37/256 ,  G01N23/225 ,  H01J2237/2527

Abstract: The method of measuring crystallographic orientations, crystal systems or the like of the surface of a specimen has steps of: irradiating the specimen with an ion beam; measuring the secondary electrons generated by the irradiation of the ion beam; repeating the irradiation of the ion beam and the measurement of the secondary electrons with each variation in an angle of incidence of the ion beam with respect to the specimen; and determining the crystalline state based on the variation in the amount of the secondary electrons corresponding to the variation of the angle of incidence.

公开(公告)号：JP3888980B2

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：JP2003073932

申请日：2003-03-18

Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 武夫 上野 ,  紀恵 矢口 ,  佳史 谷口

IPC: G01N23/225 ,  G01N23/20 ,  H01J37/252 ,  H01J37/256 ,  H01J37/26 ,  H01J37/295

CPC classification number: G01N23/2252 ,  G01N23/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/256 ,  H01J37/28

Abstract: An electron beam device is provided with an electron beam diffraction image analysis section (3) for calculation of the lattice distance from the diffraction image taken by a TV camera (10) for observation of the electron beam diffraction image, an EDX analysis section (9) for acquiring a composition of the material, a data base for retrieval of material characterization, and a material characterization section (4) having the data base retrieval function. The material characterization section characterizes the material by retrieving the retrieval data base, based upon the lattice distance data transferred from the electron beam diffraction image analysis section and the element data transferred from the EDX analysis section.

公开(公告)号：JP3849435B2

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：JP2001049303

申请日：2001-02-23

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 健士 井上 ,  伏木　　匠 ,  憲一郎 山根 ,  孝義 横田

IPC: G08G1/13 ,  G08G1/00 ,  G08G1/01 ,  G08G1/123 ,  H01J37/256 ,  H01J37/305 ,  H04B7/26

CPC classification number: G08G1/0104 ,  G08G1/20