熱硬化性樹脂組成物の製造方法、及びそれにより得られる熱硬化性樹脂組成物
    1.
    发明专利
    熱硬化性樹脂組成物の製造方法、及びそれにより得られる熱硬化性樹脂組成物 有权
    生产热固性树脂组合物的方法和由该方法生产的热固性树脂组合物

    公开(公告)号:JP2016098244A

    公开(公告)日:2016-05-30

    申请号:JP2014233487

    申请日:2014-11-18

    摘要: 【課題】無機充填材と熱硬化性樹脂との密着性を高め、耐熱性及び耐湿性に優れた硬化物が得られる、熱硬化性樹脂組成物の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた電子部品を提供する。 【解決手段】無機充填材の表面から有機物を除去して清浄面を得る工程と、前記無機充填材の前記清浄面にキレート剤を被着させる工程と、前記キレート剤を被着させた前記無機充填材を乾燥させて前記キレート剤で被覆された前記無機充填材を得る工程と、前記キレート剤で被覆された無機充填材に、主剤である熱硬化性樹脂と、硬化剤とを加えて混合する工程とを含む製造方法によって、熱硬化性樹脂組成物を製造する。 【選択図】なし

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种能够提供具有增强的无机填料和热固性树脂之间的附着力的固化产物并具有优异的耐热性和优异的耐湿性的热固性树脂组合物的方法,以提供热固性树脂组合物,以及 提供使用该热固性树脂组合物的电子部件。溶解性:热固性树脂组合物通过包括从无机填料的表面除去有机物质以产生清洁表面的步骤的制备方法制备,沉积螯合物的步骤 在无机填料的清洁表面上的干燥剂,干燥其上沉积有螯合剂的无机填料以产生被螯合剂覆盖的无机填料的步骤和加入热固性树脂作为主要试剂的步骤和固化剂 加入覆盖有螯合剂的无机填料并混合。选择图:无

    半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021150458A

    公开(公告)日:2021-09-27

    申请号:JP2020048029

    申请日:2020-03-18

    发明人: 仲俣 祐子

    摘要: 【課題】プライマー層と封止材界面の応力を低減し、かつ、封止材強度を確保した信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】積層基板12上に実装された半導体素子11とリードフレーム18とを、封止材にて封止してなる半導体装置であって、積層基板12、半導体素子11及びリードフレーム18を含む被封止部材と、前記封止材との界面に、プライマー層20を備える。封止材は、プライマー層に接して設けられる第1封止層21と、第1封止層を被覆する第2封止層22とを備える。プライマー層の線熱膨張係数をα p 、第1封止層の線熱膨張係数をα 1 、第2封止層の線熱膨張係数をα 2 とすると、α p ≧α 1 >α 2 であり、第1封止層と第2封止層の複合線熱膨張係数をα c とすると、α c ≧15×10 −6 /℃であり、第1封止層と第2封止層の複合ヤング率をE c とすると、E c ≧5GPa以上である。 【選択図】図1

    熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置

    公开(公告)号:JP2020041109A

    公开(公告)日:2020-03-19

    申请号:JP2018171835

    申请日:2018-09-13

    摘要: 【課題】 粘度が低く、無機充填材を高配合することができる熱硬化性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 熱硬化性樹脂主剤と、アルミニウムキレートが結合した無機充填材とを含む熱硬化性樹脂組成物であって、 前記アルミニウムキレートが、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、または以下の式(I)で示される化合物、 【化1】 (式中、Rは、炭素数が3以上の飽和もしくは不飽和の、直鎖状もしくは分枝状の炭化水素基である) から選択される1以上である熱硬化性樹脂組成物、並びに当該熱硬化性樹脂組成物を封止材とした半導体装置。 【選択図】 図1

    半導体装置および半導体装置の製造方法
    5.
    发明专利
    半導体装置および半導体装置の製造方法 审中-公开
    制造半导体器件的方法和半导体器件

    公开(公告)号:JP2017010985A

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:JP2015122078

    申请日:2015-06-17

    摘要: 【課題】封止材と各部材との密着性を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】ヒートシンク7に積層基板3の裏面が接合され、積層基板3のおもて面に半導体チップ1、導電性板4、外部電極用端子8、端子ピン9、回路基板10、主端子P,N,Uなどが実装されている。半導体チップ1のおもて面電極、積層基板3の導電性板4、および回路基板10の導電層の表面には、酸化膜21〜23が形成されている。外部電極用端子8、端子ピン9および主端子P,N,Uには、ニッケル−リン合金めっきが施されている。外部電極用端子8、端子ピン9および主端子P,N,Uのニッケル−リン合金めっきの表面には、オゾン酸化処理により酸化膜24〜28が形成されている。ケースの内側には、酸化膜21〜28に対する濡れ性の高い封止材11として非エポキシ系のモノマレイミド樹脂が充填されている。 【選択図】図1

    摘要翻译: 本发明提供一种半导体器件及其制造能够提高密封材料和各部件之间的粘合的半导体器件的方法。 层叠基板3向散热器7的后表面接合,半导体芯片1中的层叠基板3,导电板4,外部电极端子8,上述端子销9,电路板10中,主终端的前表面上 P,N等U的安装。 形成在半导体芯片1中,导电板4的表面上,和在多层基板3中,氧化膜21至23中的电路板10的导电层的表面电极。 外部电极端子8,端子销9和主端子P,N时,U,镍 - 磷合金电镀。 外部电极端子8,端子销9和主端子P,N,U镍 - 磷合金镀覆,氧化膜24至28的表面上通过臭氧氧化处理形成。 内的情况下,基于非环氧monomaleimido树脂填充作为具有高润湿性氧化物21-28的密封材料11。 1点域

    半導体装置
    6.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021150466A

    公开(公告)日:2021-09-27

    申请号:JP2020048364

    申请日:2020-03-18

    发明人: 仲俣 祐子

    摘要: 【課題】 吸湿性が低く、プライマー層と封止樹脂界面の剥離を抑制した、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 積層基板12上に実装された半導体素子11と導電性接続部材18とを含む被封止部材を封止材にて封止してなる半導体装置であって、 前記封止材が、 熱硬化性樹脂主剤を含む第1封止層20と、 フッ素系シランカップリング剤を含む第2封止層21と を備え、前記第1封止層20が前記被封止部材に積層され、前記第2封止層が前記第1封止層の少なくとも一部を被覆する、半導体装置 【選択図】 図1

    高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置

    公开(公告)号:JP2019038955A

    公开(公告)日:2019-03-14

    申请号:JP2017162894

    申请日:2017-08-25

    摘要: 【課題】半導体パッケージ等の電子部品や半導体装置用として好ましい高耐熱の樹脂硬化物を得ることができる樹脂組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂と重合触媒型硬化剤とを含有する高耐熱樹脂硬化物用組成物であって、エポキシ樹脂として(a)ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び(b)ナフタレン型エポキシ樹脂を含有し、重合触媒型硬化剤として(c)イミダゾール型硬化触媒を含有する樹脂組成物により上記課題を解決する。(a)ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び(b)ナフタレン型エポキシ樹脂の総量に対して、(b)ナフタレン型エポキシ樹脂が5質量%〜30質量%の割合で配合されていることが望ましく、25℃における粘度が100000(Pa・s/25℃)以下であることが望ましい。 【選択図】図5