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公开(公告)号：JPWO2016194383A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017521700
申请日：2016-06-02
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
CPC classification number: G11B5/8404 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/35 , G11B5/732 , G11B5/738 , G11B5/851
Abstract: 本発明の目的は、(Mg1−xTix)Oを含むシード層とL10型規則合金を含む磁気記録層との積層構造を有し、かつ向上した特性を有する磁気記録媒体を提供することである。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、(1)基板を準備する工程と、(2)基板上に、(Mg1−xTix)Oを含むシード層を形成する工程と、(3)シード層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、(4)工程(3)を施したシード層上に、規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを含む。
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公开(公告)号：JP2019164849A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018051303
申请日：2018-03-19
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】厚膜化時におけるカーボンの磁性結晶粒表面への拡散を阻止し、グラニュラー磁性層の規則度の低下を確実に防止可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法の提供。 【解決手段】第1磁気記録層は第1磁性結晶粒及びカーボンを含む第1非磁性部を含み、第2磁気記録層は第2磁性結晶粒及びZnOを含む第2非磁性部を含み、第3磁気記録層は第3磁性結晶粒及びカーボンを含む第3非磁性部を含み、第2磁気記録層の膜厚t2は0.1〜7.0nm、成膜完了時点の第2磁気記録層における第2非磁性部の体積比率x2は0.20〜0.90、第3磁気記録層の膜厚t3は0.5〜4.0nm、第3磁気記録層における第3非磁性部の体積比率x3は0.20〜0.70、(t2/t3)×(x2/x3)は0.30〜1.20である垂直磁気記録媒体及びその製造方法。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2019190836A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018079748
申请日：2018-04-18
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】磁性薄膜における磁気異方性評価を正確に行う手段を提供する。 【解決手段】本発明の磁気異方性評価方法は、平坦な平面を有する薄膜の磁性体のホール抵抗を測定するステップと、前記磁性体に磁界を印加するステップと、前記磁性体のホール抵抗の印加磁界角度依存性から、磁気トルク曲線を演算するステップ、及び前記演算した磁気トルク曲線から磁気異方性定数を演算するするステップと、 を備えたことを特徴とする。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017182861A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016072191
申请日：2016-03-31
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】磁気ヘッドの浮上性がよく、耐食性に優れた保護層を含む磁気記録媒体の製造方法を提供すること。 【解決手段】基板と、規則合金及び非磁性粒界材料を含む磁気記録層と、保護層とを含む磁気記録媒体の製造方法に関する。この方法は(a)前記基板を準備する工程と、(b)前記規則合金を構成する元素と、前記非磁性粒界材料とをスパッタして、第1磁性層と、前記第1磁性層上に前記非磁性粒界材料からなる簿層とを含む磁気記録層を形成する工程と、(c)前記保護層を形成する工程とを含み、前記工程(b)において、スパッタ時のガス圧が1.5Pa以上に設定し、前記非磁性粒界材料からなる簿層が前記第1磁性層上に形成されることを特徴とする。この方法の前記工程(b)は、前記磁気記録層の形成前に、規則合金−C層からなる第2磁性層を形成する工程を更に含むことができる。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6318333B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2017526160
申请日：2016-06-15
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/541 , C23C14/5806 , G11B5/653 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B5/8404 , G11B2005/0021
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公开(公告)号：JP2016009753A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014129203
申请日：2014-06-24
Applicant: 富士電機株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: G11B5/65 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/82 , B81B7/02 , H01F10/14
CPC classification number: H01L43/10 , B81B3/0091 , B81B7/02 , G11B5/3906 , G11B5/653 , H01F10/14 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L43/08 , G11C11/161
Abstract: 【課題】高い磁気異方性定数Kuおよび大きな保磁力Hcを有する磁性薄膜、および当該磁性薄膜を含む応用デバイスを提供する。 【解決手段】FeおよびNiからなる群から選択される少なくとも1種の第1元素と、Pt、Pd、AuおよびIrからなる群から選択される少なくとも1種の第2元素と、Scとを含む規則合金を含む。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高磁各向异性常数Ku和大矫顽力Hc的磁性薄膜，并且还提供包括磁性薄膜的施加装置。解决方案：一种磁性薄膜包括常规合金，其包含： 至少一种选自Fe和Ni的第一元素; 选自由Pt，Pd，Au和Ir组成的组中的至少一种第二元素; 和Sc。
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公开(公告)号：JP6504555B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2014226359
申请日：2014-11-06
Applicant: 株式会社ムサシノエンジニアリング , 国立大学法人東北大学
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公开(公告)号：JP2016087664A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014226359
申请日：2014-11-06
Applicant: 株式会社ムサシノエンジニアリング , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】大気圧下でも非加熱で接合可能な原子拡散接合方法を提供する。 【解決手段】真空容器内で一方及び他方の基体の平滑面にAu又はAu合金を除く室温における体拡散係数が1×10 -45 (m 2 /s)以上の金属から成る微結晶構造の接合膜を形成すると共に,前記接合膜上に,Au又はAu合金から成る微結晶構造の保護膜を形成し,1×10 -4 Paを越える大気圧下を含む圧力の雰囲気下において,前記一方及び他方の基体の前記平滑面を,前記保護膜同士が接触するように重ね合わせる。これにより,保護膜間に生じた原子再配列を接合膜に伝搬させて前記保護膜と前記接合膜とを一体化させることにより,接合界面における前記保護膜が拡散してその特性を失い,前記接合膜の有する物理的特性が維持された接合部が生成される。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供即使在大气压下即使加热也能够接合的原子扩散接合方法。解决方案：具有由Au或Au合金以外的金属制成的精细晶体结构的接合膜，其中， 在真空容器中的基体的一侧和另一侧的平坦光滑表面上的室温为1×10（m / s）以上，同时形成具有微细结晶结构的保护膜 的Au或Au合金形成在接合膜上，并且在包含大气压力超过1×10Pa的压力的环境中，基体的一侧和另一侧的平坦光滑表面彼此叠置，使得 保护膜彼此接触。 由此，保护膜之间产生的原子重排被转移到接合膜，保护膜和接合膜一体化，结合边界上的保护膜扩散，因此其特性丧失，结果， 准备保持接合膜的物理特性的接合部分。选择图1：
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公开(公告)号：JP2021041458A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2020098031
申请日：2020-06-04
Applicant: 国立大学法人東北大学 , 株式会社ムサシノエンジニアリング , キヤノンアネルバ株式会社
IPC: B23K20/00
Abstract: 【課題】接合面に形成した酸化物から成る接合膜によって化学結合を行う。 【解決手段】真空容器内において,平滑面を有する2つの基体それぞれの前記平滑面にアモルファス酸化物薄膜を形成すると共に,前記2つの基体に形成された前記アモルファス酸化物薄膜同士が接触するように前記2つの基体を重ね合わせることにより,前記アモルファス酸化物薄膜の接合界面に原子拡散を伴った化学結合を生じさせて前記2つの基体を接合する。 【選択図】図3
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