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    半導体素子形成用分散液、並びに、それを用いた半導体膜及び半導体素子
    1.
    发明专利
    半導体素子形成用分散液、並びに、それを用いた半導体膜及び半導体素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018125395A

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：JP2017015853

    申请日：2017-01-31

    Applicant: 旭化成株式会社

    Inventor： 湯本 徹 ,  尾上 崇

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/368

    Abstract: 【課題】半導体膜の成膜性、移動度向上及びフレキシブル性向上を同時に実現できること。 【解決手段】半導体素子形成用分散液は、粒子と、溶媒と、を含み、粒子が、金属酸化物を含むコア及び有機化合物を含むシェルで構成されるコアシェル構造を有し、粒子の平均粒子径が、5nm以上500nm以下である。半導体素子(100)は、電極(140、150)と、電極(140、150)に接する、分散液を塗布して得た半導体膜(160)と、を有する。 【選択図】図1

    抗菌坑カビ用塗料、抗菌坑カビ用部材
    2.
    发明专利
    抗菌坑カビ用塗料、抗菌坑カビ用部材 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020152831A

    公开(公告)日：2020-09-24

    申请号：JP2019053081

    申请日：2019-03-20

    Applicant: 旭化成株式会社

    Inventor： 尾上 崇 ,  湯本 徹

    IPC: C09D5/14 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  C09D7/65 ,  C09D201/00

    Abstract: 【課題】本発明が解決しようとする課題は、低コストの酸化銅を抗菌抗カビ成分として用い、耐久性に優れた抗菌抗カビ用塗料、抗菌坑カビ用部材を提供することである。 【解決手段】酸化第一銅粒子と、疎水性化合物と、分散剤と、溶媒とを、それぞれ所定含有量で含む抗菌抗カビ用塗料であって、前記抗菌抗カビ塗料を基材に塗布し、前記塗料を乾燥させたときの塗布面の水接触角が、16°以上89°以下である、ことを特徴とする、抗菌抗カビ用塗料、及び酸化第一銅粒子と、疎水性化合物と、分散剤とを、それぞれ所定含有量で含む、抗菌抗カビ用部材であって、前記抗菌抗カビ用部材の水接触角が、16°以上89°以下であることを特徴とする、抗菌抗カビ用部材。 【選択図】なし

    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに半導体膜の製造方法
    5.
    发明专利
    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに半導体膜の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018093199A

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：JP2017233320

    申请日：2017-12-05

    Applicant: 旭化成株式会社

    Inventor： 尾上 崇 ,  湯本 徹

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】非真空系プロセスでかつ低温プロセスで製造可能であり、より高い移動度を発現することができる半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに半導体膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】無機半導体粒子と、有機化合物と、を含む半導体膜であって、無機半導体粒子と有機化合物の合計100体積%に対し、無機半導体粒子の含有量は、10体積%以上、95体積%以下であり、有機化合物の含有量は、5体積%以上、90体積%以下であり、半導体膜中のボイドの割合が、半導体膜全体に対して10体積%以下である。 【選択図】なし

    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液
    8.
    发明专利
    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019208040A

    公开(公告)日：2019-12-05

    申请号：JP2019129619

    申请日：2019-07-11

    Applicant: 旭化成株式会社

    Inventor： 尾上 崇 ,  湯本 徹

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368

    Abstract: 【課題】真空系プロセスでかつ低温プロセスで製造可能であり、より高い移動度を発現す ることができる半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液を提供すること。 【解決手段】金属酸化物粒子と、有機化合物と、を含む半導体膜であって、半導体膜全体100質量%に対し、金属酸化物の含有量は、55質量%以上、95質量%以下であり、有機化合物の含有量は、5質量%以上、45質量%以下であり、半導体膜のXPS測定におけるO1sスペクトルの、金属酸化物のO 2− イオンに帰属されるピークの面積S1と、酸素欠損のO 2− イオンに帰属されるピークの面積S2との比(S2/S1)が、0.25以上0.60以下である。 【選択図】なし

    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液
    9.
    发明专利
    半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018093198A

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：JP2017233319

    申请日：2017-12-05

    Applicant: 旭化成株式会社

    Inventor： 尾上 崇 ,  湯本 徹

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368

    Abstract: 【課題】真空系プロセスでかつ低温プロセスで製造可能であり、より高い移動度を発現す ることができる半導体膜、及びそれを用いた半導体素子、並びに分散液を提供すること。 【解決手段】金属酸化物粒子と、有機化合物と、を含む半導体膜であって、半導体膜全体100質量%に対し、金属酸化物の含有量は、55質量%以上、95質量%以下であり、有機化合物の含有量は、5質量%以上、45質量%以下であり、半導体膜のXPS測定におけるO1sスペクトルの、金属酸化物のO 2− イオンに帰属されるピークの面積S1と、酸素欠損のO 2− イオンに帰属されるピークの面積S2との比(S2/S1)が、0.25以上0.60以下である。 【選択図】なし

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