公开(公告)号：JP2012253240A

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：JP2011125621

申请日：2011-06-03

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： SUGIMOTO HIRONORI ,  HIROI HOMARE ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a CZTS thin film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A CZTS thin film solar cell manufacturing method comprises the steps of: forming a metal back electrode layer (2) on a substrate (1); forming a metal precursor film (30) containing at least Cu, Sn, Zn on the metal back electrode layer (2); annealing the substrate (1) on which the metal precursor film (30) is formed; forming a p-type CZTS light absorption layer (3) by sulfurizing and/or seleniding the annealed substrate (1); and forming an n-type transparent conductive film (5) on the p-type CZTS light absorption layer (3).

摘要翻译： 解决的问题：提供具有高光电转换效率的CZTS薄膜太阳能电池的制造方法。 解决方案：CZTS薄膜太阳能电池制造方法包括以下步骤：在基板（1）上形成金属背电极层（2）; 在金属背电极层（2）上形成至少含有Cu，Sn，Zn的金属前体膜（30）; 使其上形成有金属前体膜（30）的基板（1）退火; 通过硫化和/或硒化退火的衬底（1）形成p型CZTS光吸收层（3）; 以及在p型CZTS光吸收层（3）上形成n型透明导电膜（5）。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012160556A

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：JP2011018866

申请日：2011-01-31

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： SUGIMOTO HIRONORI ,  HIROI HOMARE ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a CZTS-based thin-film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A CZTS-based thin-film solar cell is formed by: forming a back surface electrode layer (2) on a substrate (1); forming, on the back surface electrode layer (2), a film (20) made of an oxide of a material of this electrode layer; forming a p-type CZTS-based light absorbing layer (3) on the formed oxide film; and forming an n-type transparent conductive film (5) on the p-type CZTS-based light absorbing layer (3). The film (20) can be formed by annealing the substrate (1) having the back surface electrode layer (2) formed thereon, in the atmosphere.

摘要翻译： 解决的问题：提供一种具有高光电转换效率的CZTS系薄膜太阳能电池的制造方法。 解决方案：通过在基板（1）上形成背面电极层（2）形成基于CZTS的薄膜太阳能电池; 在所述背面电极层（2）上形成由所述电极层的材料的氧化物构成的膜（20）; 在形成的氧化膜上形成p型CZTS系吸光层（3）; 以及在p型CZTS系光吸收层（3）上形成n型透明导电膜（5）。 膜（20）可以通过在大气中对形成有背面电极层（2）的基板（1）进行退火而形成。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012253239A

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：JP2011125620

申请日：2011-06-03

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： SAKAI NORIYUKI ,  SUGIMOTO HIRONORI ,  HIROI HOMARE

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a CZTS thin film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A CZTS thin film solar cell manufacturing method comprises the steps of: forming a metal back electrode layer (2) on a substrate (1); forming a p-type CZTS light absorption layer (3) on the metal back electrode layer (2); forming an n-type high resistance buffer layer (4) on the p-type CZTS light absorption layer (3); subsequently annealing, in an oxygen-containing atmosphere, the substrate (1) on which the n-type high resistance buffer layer (4) is formed; and forming, after annealing, an n-type transparent conductive film (5) on the n-type high resistance buffer layer (4).

摘要翻译： 解决的问题：提供具有高光电转换效率的CZTS薄膜太阳能电池的制造方法。 解决方案：CZTS薄膜太阳能电池制造方法包括以下步骤：在基板（1）上形成金属背电极层（2）; 在金属背电极层（2）上形成p型CZTS光吸收层（3）; 在p型CZTS光吸收层（3）上形成n型高电阻缓冲层（4）; 随后在含氧气氛中退火形成有n型高电阻缓冲层（4）的衬底（1）; 在退火后，在n型高电阻缓冲层（4）上形成n型透明导电膜（5）。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013118265A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：JP2011264652

申请日：2011-12-02

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： SUGIMOTO HIRONORI ,  SAKAI NORIYUKI ,  HIROI HOMARE

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a thin-film solar cell which has high photoelectric conversion efficiency by using an InS buffer layer.SOLUTION: The thin-film solar cell is manufactured by: forming a metal backside electrode layer on a substrate; forming a p-type light absorbing layer on the metal backside electrode layer; oxidizing a surface of the p-type light absorbing layer; forming an InS buffer layer as an n-type high-resistance buffer layer, on the oxidized p-type light absorbing layer; and forming an n-type transparent conductive film on the InS buffer layer.

摘要翻译： 要解决的问题：通过使用InS缓冲层来制造具有高光电转换效率的薄膜太阳能电池。 解决方案：薄膜太阳能电池通过以下方式制造：在基板上形成金属背面电极层; 在金属背面电极层上形成p型光吸收层; 氧化p型光吸收层的表面; 在氧化的p型光吸收层上形成作为n型高电阻缓冲层的InS缓冲层; 并在InS缓冲层上形成n型透明导电膜。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012253238A

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：JP2011125592

申请日：2011-06-03

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： HIROI HOMARE ,  SAKAI NORIYUKI ,  SUGIMOTO HIRONORI

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a CZTS thin film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A CZTS thin film solar cell manufacturing method comprises the steps of: forming a metal back electrode layer (2) on a substrate (1); forming a p-type CZTS light absorption layer (3) on the metal back electrode layer (2); forming an n-type transparent conductive coat (5) on the p-type CZTS light absorption layer (3); and subsequently annealing, in an oxygen-containing atmosphere, the substrate (1) on which the n-type transparent conductive coat (5) is formed.

摘要翻译： 解决的问题：提供具有高光电转换效率的CZTS薄膜太阳能电池的制造方法。 解决方案：CZTS薄膜太阳能电池制造方法包括以下步骤：在基板（1）上形成金属背电极层（2）; 在金属背电极层（2）上形成p型CZTS光吸收层（3）; 在p型CZTS光吸收层（3）上形成n型透明导电涂层（5）; 然后在含氧气氛中退火形成有n型透明导电涂层（5）的基板（1）。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014209513A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：JP2013085922

申请日：2013-04-16

申请人： 昭和シェル石油株式会社 ,  Showa Shell Sekiyu Kk

发明人： HIROI HOMARE ,  SUGIMOTO HIRONORI ,  KATO TAKUYA ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0326 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C16/407 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/072 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 【課題】より高い光電変換効率を有するCZTS系光吸収層を備えた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池の製造方法は、基板11上に第1の電極層12を形成し、第1の電極層12上に、セレンを含むp型のCZTS系光吸収層13を形成し、CZTS系光吸収層13の表面を、有機硫黄化合物を含む水溶液と接触させて、CZTS系光吸収層13の表面における硫黄濃度を増加させ、CZTS系光吸収層13上に、n型のバッファ層14を形成し、バッファ層14上に、第2の電極層15を形成する、各ステップを備える。【選択図】図3

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种制造具有更高光电转换效率的CZTS系光吸收层的太阳能电池的制造方法。解决方案：制造太阳能电池的方法包括以下步骤：形成第一电极层 12; 在第一电极层12上形成含有硒的p型CZTS系吸光层13; 使CZTS系吸光层13的表面与含有有机硫化合物的水溶液接触，以增加CZTS系吸光层13的表面的硫浓度; 在基于CZTS的光吸收层13上形成n型缓冲层14; 并在缓冲层14上形成第二电极15。

公开(公告)号：JP2014112633A

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：JP2013075936

申请日：2013-04-01

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： HIROI HOMARE ,  SUGIMOTO HIRONORI ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a compound-based thin film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A compound thin film solar cell manufacturing method comprises: forming a first electrode layer (2) on a substrate (1); forming a compound-based p-type light absorption layer (3) on the first electrode layer (2); forming a CdS-based buffer layer (4A) on the p-type light absorption layer (3); subsequently annealing the substrate (1) including the CdS-based buffer layer (4A) in an oxygen-containing atmosphere; forming an InS-based buffer layer (4B) on the CdS-based buffer layer (4A) after annealing; and subsequently forming a second electrode layer (5).

摘要翻译： 要解决的问题：制造具有高光电转换效率的化合物基薄膜太阳能电池。解决方案：一种复合薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在基板（1）上形成第一电极层（2）; 在所述第一电极层（2）上形成基于化合物的p型光吸收层（3）; 在p型光吸收层（3）上形成CdS基缓冲层（4A）; 随后在含氧气氛中将包含CdS基缓冲层（4A）的衬底（1）退火; 在退火后在基于CdS的缓冲层（4A）上形成基于InS的缓冲层（4B）; 随后形成第二电极层（5）。

公开(公告)号：JP2013004743A

公开(公告)日：2013-01-07

申请号：JP2011134441

申请日：2011-06-16

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： SUGIMOTO HIRONORI ,  HIROI HOMARE ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/363

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a CZTS based thin film solar cell having high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A CZTS based thin film solar cell is manufactured in such a way that a metal back electrode layer (2) is formed on a substrate (1), and a metal precursor film containing at least Cu, Zn and Sn is formed on the metal back electrode layer (2). Then, the substrate (1) with the metal precursor film formed thereon is processed in a furnace filled with selenium-containing gas to turn the metal precursor film into a selenide, and the metal precursor film now turned into a selenide is sulfurized by introducing sulfur- or sulfide-containing gas into the furnace to form a p-type CZTS based light absorption layer (3) containing selenium and sulfur. Thereafter, an n-type transparent film (5) is formed on the p-type CZTS based light absorption layer (3).

摘要翻译： 解决的问题：提供一种具有高光电转换效率的CZTS系薄膜太阳能电池的制造方法。 解决方案：以基板（1）上形成金属背电极层（2）的方式制造基于CZTS的薄膜太阳能电池，并且至少含有Cu，Zn和Sn的金属前体膜是 形成在金属背电极层（2）上。 然后，在其上形成有金属前体膜的基板（1）在装有含硒气体的炉中进行处理，将金属前体膜转变为硒化物，通过引入硫将金属前体膜变成硒化物而硫化 - 或含硫化物的气体进入炉中以形成含有硒和硫的p型CZTS基光吸收层（3）。 此后，在p型CZTS系的光吸收层（3）上形成n型透明膜（5）。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012059847A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：JP2010200388

申请日：2010-09-07

申请人： Showa Shell Sekiyu Kk ,  昭和シェル石油株式会社

发明人： HIROI HOMARE ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form CuZnSnS(CuZnSnSe, CuZnSn(SSe)) excellent in crystal quality as a light absorption layer in a CZTS thin film solar cell, thereby providing a CZTS thin film solar cell high in conversion efficiency.SOLUTION: A method of fabricating a light absorption layer of a CZTS thin film solar cell uses a compound semiconductor including a chalcogen element (α) comprising copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn) and at least one of sulfur (S) and selenium (Se). The method of fabricating the light absorption layer of a CZTS thin film solar cell includes the steps of: forming a ZnSnαfilm 133 on a metal rear face electrode layer 12 formed on a glass substrate 11; forming a Cu film 134 on the ZnSnαfilm 133 to form a precursor film 13a comprising the ZnSnαfilm 133 and the Cu film 134; and subjecting the precursor film 13a to heat treatment in an atmosphere including the chalcogen element (α) to form a CZTS light absorption layer 13.

摘要翻译： 要解决的问题：形成Cu 2 ZnSnS 4 （Cu 2 < / SB> ZnSnSe 4 Cu 2 ZnSn（SSe） 4 在CZTS薄膜太阳能电池中作为光吸收层具有优异的晶体质量，从而提供高转换效率的CZTS薄膜太阳能电池。 解决方案：制造CZTS薄膜太阳能电池的光吸收层的方法使用包括包含铜（Cu），锌（Zn），锡（Sn）和至少一种（C））的硫属元素（α）的化合物半导体 的硫（S）和硒（Se）。 制造CZTS薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：在形成在玻璃上的金属背面电极层12上形成ZnSnα x SB薄膜133 基板11; 在ZnSnα薄膜133上形成Cu膜134，以形成包括ZnSnα薄膜133的前体膜13a和Cu 电影134; 并在含有硫族元素（α）的气氛中对前体膜13a进行热处理，形成CZTS光吸收层13.版权所有（C）2012，JPO＆INPIT