公开(公告)号：JP6302081B2

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2016549415

申请日：2014-03-04

申请人： ピコサン オーワイ ,  PICOSUN OY

发明人： リー ウェイ−ミン

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：JP6294573B1

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2017534540

申请日：2015-12-04

申请人： スナップトラック・インコーポレーテッド

发明人： 野村 研二 ,  ジョン・ヒョンチュル・ホン

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 本明細書では、原子層堆積(ALD)によってp型金属酸化物薄膜を堆積させる方法が提供される。p型金属酸化物薄膜およびp型金属酸化物チャネルを含むTFTも提供される。いくつかの実装形態では、p型金属酸化物薄膜は、金属および酸素空格子点欠陥密度が10 19 /cm 3 未満である。p型金属酸化物薄膜は、薄膜の厚さ全体にわたって電気的に活性であってもよい。

公开(公告)号：JP6231483B2

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：JP2014539043

申请日：2012-10-26

申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

发明人： ビル エイチ.ドッジ ,  デイビッド ケー.シナダー,ジュニア ,  マタツィン オーン ,  アーティン マーガーリアン

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/545 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407

公开(公告)号：JP6039402B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2012276582

申请日：2012-12-19

申请人： ピルキントン グループ リミテッド ,  アルキーマ・インコーポレイテッド ,  ARKEMA, INC.

发明人： アブラムス、マイケル・ビー ,  コロトコフ、ロマン・ワイ ,  シルバーマン、グレイ・エス ,  スミス、ラマン ,  ストライクラー、ジェフェリー・エル

IPC分类号： C23C16/40 ,  C03C17/245

CPC分类号： C23C16/407 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/216 ,  C03C2218/152

公开(公告)号：JP2016517630A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：JP2016500963

申请日：2014-03-10

申请人： ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc. ,  ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc.

发明人： マッカミー、ジェイムズ、ダブリュ ,  トウシュ、ピーター ,  ネリス、ゲイリー、ジェイ． ,  アシュトシュ ガンジュ、 ,  アシュトシュ ガンジュ、

IPC分类号： H01L31/0224 ,  C23C16/40 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0321 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3482 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/3678 ,  C03C2217/91 ,  C03C2217/94 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/545 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： ドーパントが選択的に分散されている透明導電性酸化物層を有する被覆基板を作製する方法は、マルチセル化学気相成長コーティング装置の各コーティングセルに酸化物前駆体材料およびドーパント前駆体材料を選択的に供給することを含み、供給されるドーパント材料の量は、結果としてもたらされるコーティングにおけるドーパント含量対コーティング深さを変化させるように選択される。

摘要翻译： 使该掺杂剂具有选择性选择性地分布的透明导电氧化物层的涂覆的基材的方法中，氧化物前体材料和掺杂剂前体材料的涂层小区多单元化学气相沉积涂覆设备 其包括向掺杂剂材料的要被提供被选择以便改变在由此引起涂料中的掺杂剂含量与涂层深度的量。

公开(公告)号：JP5930735B2

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：JP2012014799

申请日：2012-01-27

申请人： エフ イー アイ カンパニ ,  FEI COMPANY

发明人： スティーブン ランドルフ ,  クライブ ディー チャンドラー

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/48 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/486 ,  C23C16/047 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/407 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76892 ,  H01J2237/31732

公开(公告)号：JP2015514663A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：JP2014561508

申请日：2013-03-08

申请人： ピルキントン グループ リミテッド ,  ピルキントン グループ リミテッド

发明人： ユイ ワーン ,  ユイ ワーン ,  バラナシ スリカンス ,  バラナシ スリカンス ,  アラン ストリックラー デイビット ,  アラン ストリックラー デイビット

IPC分类号： C03C17/245 ,  C03C17/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： C03C17/3417 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/94 ,  C03C2218/1525 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/545 ,  Y10T428/265

摘要： 酸化亜鉛コーティングを蒸着させるためのCVD過程が提供される。CVD過程は、移動ガラス基板を提供することを含む。CVD過程はまた、第1の流れとして、アルキル亜鉛化合物および不活性ガスのガス状混合物を形成することと、第2の流れにおいて第1のガス状無機酸素含有化合物を提供することと、ならびに第2の流れ、第3の流れ、または第2および第3の流れの両方において、第2のガス状無機酸素含有化合物を提供することとを含む。加えて、CVD過程は、移動ガラス基板の表面またはその近くで流れを混合することを含み、酸化亜鉛コーティングは、その上に形成される。コーティングされたガラス物品を形成するための方法もまた提供される。加えて、コーティングされたガラス物品が提供される。【選択図】図1

摘要翻译： 提供了一种用于沉积氧化锌涂层的CVD过程。 CVD过程包括提供一个移动的玻璃基板。 CVD工艺，第一流，以及形成烷基锌化合物和惰性气体的气态混合物，提供第一气态无机含氧化合物在第二流中，以及在 2的流量，无论是在所述第三流或所述第二和第三流，以及提供第二气态无机含氧化合物。 另外，CVD方法包括在或靠近正在移动的玻璃基板的表面上的流动混合，锌涂层氧化物形成于其上。 还提供了用于形成一种镀膜玻璃制品的方法。 此外，所述玻璃制品提供了被涂覆。 点域1

公开(公告)号：JP2014535006A

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：JP2014539043

申请日：2012-10-26

申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ,  スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

发明人： エイチ．ドッジ ビル ,  エイチ．ドッジ ビル ,  ケー．シナダー，ジュニア デイビッド ,  ケー．シナダー，ジュニア デイビッド ,  オーン マタツィン ,  オーン マタツィン ,  マーガーリアン アーティン ,  マーガーリアン アーティン

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/545

摘要： ロール形態の基材にコーティングを適用する方法であって、この基材は、第1の端面及び第1の端面と反対側の第2の端面を含み、基材は、第1の主表面及び第1の主表面と反対側の第2の主表面を更に有し、第1の主表面及び第2の主表面は、第1の端面と第2の端面との間に延び、この方法は、ロール形態の基材の少なくとも1つの端面に、及び必要に応じて、主表面の一方又は両方の少なくとも一部分にコーティングを適用する工程を含む。前述の方法により調製された、ロール形態の物品もまた開示される。

摘要翻译： 将涂层施加到卷筒形式的基板的方法，所述衬底包括所述第一端面相对的第二端面与所述第一端面，所述基板，所述第一主表面和 第一另外的具有主表面和相对的第二主表面，所述第一主表面和第二主表面上的第一和第二端面之间延伸，所述方法 ，包括卷状的基体的至少一个端面，和，任选地，在施加涂层的一个或两者上的主表面的至少一部分上的步骤。 通过该方法制备上述，以卷的形式的物品也被公开。

公开(公告)号：JP2014209513A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：JP2013085922

申请日：2013-04-16

申请人： 昭和シェル石油株式会社 ,  Showa Shell Sekiyu Kk

发明人： HIROI HOMARE ,  SUGIMOTO HIRONORI ,  KATO TAKUYA ,  SAKAI NORIYUKI

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0326 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C16/407 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/072 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 【課題】より高い光電変換効率を有するCZTS系光吸収層を備えた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池の製造方法は、基板11上に第1の電極層12を形成し、第1の電極層12上に、セレンを含むp型のCZTS系光吸収層13を形成し、CZTS系光吸収層13の表面を、有機硫黄化合物を含む水溶液と接触させて、CZTS系光吸収層13の表面における硫黄濃度を増加させ、CZTS系光吸収層13上に、n型のバッファ層14を形成し、バッファ層14上に、第2の電極層15を形成する、各ステップを備える。【選択図】図3

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种制造具有更高光电转换效率的CZTS系光吸收层的太阳能电池的制造方法。解决方案：制造太阳能电池的方法包括以下步骤：形成第一电极层 12; 在第一电极层12上形成含有硒的p型CZTS系吸光层13; 使CZTS系吸光层13的表面与含有有机硫化合物的水溶液接触，以增加CZTS系吸光层13的表面的硫浓度; 在基于CZTS的光吸收层13上形成n型缓冲层14; 并在缓冲层14上形成第二电极15。

公开(公告)号：JPWO2012060428A1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：JP2012541903

申请日：2011-11-02

申请人： 宇部興産株式会社

发明人： 藤村　整 ,  整 藤村 ,  宏樹 金戸 ,  宏樹 金戸 ,  白井　昌志 ,  昌志 白井 ,  央 二瓶 ,  央 二瓶

IPC分类号： C07F1/04 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/00 ,  C07F13/00 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L51/0083 ,  C07C211/65 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/003 ,  C07F13/005 ,  C07F15/025 ,  C07F15/045 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/0092

摘要： 本発明は、一般式(1)(式中、Mは金属原子を示し、R1は炭素原子数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R2及びR3は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1〜3の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すか、または、R2及びR3が一緒になってそれらが結合する窒素原子と共に置換もしくは無置換の5員又は6員環を形成している。Zは炭素原子数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基(但し、その一部が環を形成していてもよい)を示す。nは配位子の数を示し、金属Mの価数に等しく、1〜3の整数を示す。但し、MがLi(リチウム)、Be(ベリリウム)、Ge(ゲルマニウム)、Nd(ネオジム)である場合、MがMg(マグネシウム)であり、R1がメチル基である場合、MがZn(亜鉛)であり、R1がメチル基である場合、及びMがBi(ビスマス)であり、R1がt−ブチル基である場合を除く。また、nが2以上の場合、2つ以上の配位子は同一でも異なっていてもよい。)で示される(アミドアミノアルカン)金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法に関する。