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公开(公告)号：JP2019064964A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017192517
申请日：2017-10-02
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C07F9/00
Abstract: 【課題】 金属酸化物膜を作製するための材料として有用な第5族金属オキソ−アルコキソ錯体を短時間で効率よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 第5族金属アルコキシド;アンモニア、第一級アミン又は第二級アミン;カルボニル化合物を40℃以上の温度で反応させることにより、第5族金属オキソ−アルコキソ錯体を短時間で効率よく製造する。 【選択図】 なし
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公开(公告)号：JP2017007975A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015124703
申请日：2015-06-22
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , C07F19/00
Abstract: 【課題】酸化性ガスを用いない条件下でコバルト含有薄膜を作製するのに有用なコバルト錯体の提供。 【解決手段】式(1)で示されるシクロペンタジエニルコバルト錯体。 (R 1 はトリアルキルシリルオキシ基;R 2 はH、C1〜6のアルキル基又はトリアルキルシリルオキシ基;R 3 〜R 5 はH又はC1〜6のアルキル基) 【選択図】なし
Abstract translation: 提供有用的钴络合物产生的条件下，含钴膜不使用氧化性气体。 由A表示环戊二烯基钴络合物（1）。 （R1三烷基甲硅烷基; R 2是H，烷基或三烷基甲硅烷基团的Cl至6; R 3至R 5是烷基的H或C 1-6）装置技术领域
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公开(公告)号：JP2016222547A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015107258
申请日：2015-05-27
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/06 , H01L21/285 , H01L21/28 , C07F17/00
Abstract: 【課題】酸化性ガスを用いない条件下でコバルト含有薄膜を作製するのに有用なコバルト錯体を提供する。 【解決手段】一般式(1) 【化1】 (式中、nは0又は2を表す。R 1 は炭素数1〜6のアルキル基を表す。R 2 はジ(炭素数1〜3のアルキル)アミノ基で置換されていても良い炭素数1〜6のアルキル基を表す。R 3 及びR 4 は水素原子、又は一体となって炭素数2〜4のアルキレン基を形成する基を表す。R 5 〜R 8 は各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。)で示されるコバルト錯体。 【選択図】なし
Abstract translation: 提供有用的钴络合物产生的条件下，含钴膜不使用氧化性气体。 一般式（1）（在式中，.R2 n是.R1表示0或2表示碳原子数为1〜6的二1至3个碳原子的（烷基）的烷基 .R3及R4表示可以被氨基取代的含1至6个碳原子的烷基基团表示可形成氢原子的，或一起的基团的碳原子数为2〜4 .R5〜R8的亚烷基 由代表表示的每个独立地钴络合物。）氢原子或具有1至4个碳原子的烷基。 系统技术领域
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公开(公告)号：JP2016147819A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015024589
申请日：2015-02-10
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
Abstract: 【課題】優れた熱安定性及び適度な蒸気圧を持ち、第4族金属含有薄膜の作製用材料として好適な、第4族金属錯体を提供する。 【解決手段】一般式(1) 【化1】 (式中、Mは第4族金属原子を表す。R 1 、R 2 、R 3 及びR 4 は、各々独立に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。R 5 、R 6 及びR 7 は、各々独立に、炭素数1〜8のアルキル基を表す。R 8 、R 9 及びR 10 は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基又はジ(炭素数1〜3のアルキル)アミノ基を表す。)で示される第4族金属錯体。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有优异的热稳定性和适当的蒸气压的第4族金属络合物，并且适合作为制备第4族含金属薄膜的材料。解决方案：提供由通式 式（1）其中M表示4族金属原子，R，R，Rand Reach独立地表示氢原子或具有1至6个碳原子的烷基，R，Rand Reach独立地表示具有1至8个碳原子的烷基 原子，R，Rand Reach独立地表示具有1至6个碳原子的烷基或二（具有1至3个碳原子的烷基）氨基。选择图：无
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016008213A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014131916
申请日：2014-06-26
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
Abstract: 【課題】熱安定性のより高いニオブオキソ−アルコキソ錯体、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】デカキス(ベンジルオキソ)ジニオブとジアセトンアルコールを反応させることにより、化学式(1) 【化1】 (式中、Bnはベンジル基を表す。)で示される、八核ニオブオキソ−アルコキソ錯体を製造する。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有改善的热稳定性的铌氧代 - 烷氧基络合物及其制备方法。制备由化学式（1）（其中Bn为苄基）表示的辛核铌氧代 - 烷氧基络合物（其中Bn为苄基） 通过癸酸（苄氧基）铌和双丙酮醇之间的反应。
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公开(公告)号：JP6624997B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2016067427
申请日：2016-03-30
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/00
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公开(公告)号：JP2018065777A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016239566
申请日：2016-12-09
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/06 , C07F7/18 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C07F19/00
CPC classification number: C07F17/02 , C07F15/06 , C07F17/00 , C07F19/00 , C23C16/18 , H01L21/02175 , H01L21/02271 , H01L21/28 , H01L21/28097 , H01L21/285 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76889 , H01L23/53238 , H01L29/456 , H01L29/4975
Abstract: 【課題】酸化性ガスを用いない条件下でコバルト含有薄膜を作製するのに有用なコバルト錯体を提供する。 【解決手段】式(1)で示されるコバルト錯体。 (R 1 は、3個の各々独立な炭素数1〜6のアルキル基を有するシリルオキシ基;R 2 はH、C1〜6のアルキル基又はR 1 ;R 3 〜R 5 は各々独立にH又はC1〜6のアルキル基;Lは炭素数4〜10のジエン) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2015124165A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013268490
申请日：2013-12-26
Applicant: 東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
IPC: C07F9/00
Abstract: 【課題】第5族金属酸化物膜具体的にはニオブ酸化物又はタンタル酸化物の膜を湿式法で作製するための材料である第5族金属オキソ−アルコキソ錯体の前駆体として有用な、フェニルイミド−トリ(tert−ブチルオキソ)錯体、及びその製造方法の提供。 【解決手段】アルキルイミド−トリ(tert−ブチルオキソ)錯体にアニリン誘導体を反応させて、式(1)で示されるフェニルイミド−トリ(tert−ブチルオキソ)錯体を製造する。 (Mはニオブ原子又はタンタル原子;R 1 〜R 5 は各々独立にH又はC 1 〜C 6 のアルキル基) 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种苯基亚氨基 - 三（叔丁基氧）络合物，其可用作第5族金属氧化物 - 络合物的前体，该第5族金属氧代 - 烷氧基配合物是用于制备第5族金属氧化物膜的材料，具体地， 氧化铌或氧化钽，并提供其制造方法。解决方案：提供由式（1）表示的苯基亚氨基 - 三（叔丁氧基）络合物，其通过苯胺衍生物与烷基亚氨基 - 三（叔丁氧基）络合物。 （M是铌原子或钽原子; Rto Rare各自独立地是H或C至C烷基。）
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