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公开(公告)号：JP2019096767A
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2017225690
申请日：2017-11-24
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 川渕 洋介
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】基板を乾燥させる際のパターン倒れを抑制する。 【解決手段】ウェハを液処理ユニットに搬入し(第1搬入処理S10)、洗浄処理S11を行った後、ウェハの上面及び下面に液体状のIPAを供給し、基板の両面に残存するDIWをIPAに置換する(液膜形成処理S12)。その後IPAの液膜が形成されたウェハを乾燥ユニットに搬送し(第2搬送処理S13)、IPA気体を供給してウェハの周囲の気体密度を空気よりも大きくした状態で、ウェハを加熱して乾燥させた後、N2ガスを供給してウェハの周囲をIPA気体からN2ガスに置換する(乾燥処理S14)。乾燥が終了したウェハを搬出する(搬出処理S15)。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP6824069B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2017039027
申请日：2017-03-02
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：JPWO2019146776A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2019002630
申请日：2019-01-28
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 川渕 洋介
IPC: F26B5/04 , F26B21/10 , H01L21/304
Abstract: パターン倒壊を防ぎつつ、基板に形成されたパターンの凹部に満たされた昇華性物質を昇華させることができる基板乾燥装置、基板乾燥方法および記憶媒体を提供する。第1ユニットは、昇華性物質及び溶媒を含有する昇華性物質溶液を処理面Waに供給する溶液供給部と、昇華性物質溶液が供給された処理面Wa上から溶媒及び処理液を除去し、昇華性物質の固体膜SSを処理面Wa上に形成する第1液除去部とを有する。第2ユニットは、固体膜SSが形成された基板Wを加熱し、基板Wを昇華性物質の昇華温度よりも低い第1温度域内の温度で維持することで、固体膜SS内に残存する溶媒及び処理液70を気化する第2液除去部61、62、63と、昇華温度以上を示す第2温度域内の温度に基板Wを加熱することで、固体膜SSを処理面Wa上から除去する固体膜除去部61、62、63とを有する。
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公开(公告)号：JP6224515B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014094641
申请日：2014-05-01
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018147945A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017039027
申请日：2017-03-02
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , F26B5/00 , F26B5/005 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67173
Abstract: 【課題】超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法において、ウェハ上面に形成されるパターンが倒れることを抑制すること。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、液体により上面が濡れた状態の基板を超臨界状態の処理流体と接触させて、基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であって、基板を収容可能な処理空間が内部に形成された本体と、本体の内部で基板を保持する保持部と、保持部に保持される基板の側方に設けられ、処理空間内に処理流体を供給する供給部と、処理空間内から処理流体を排出する排出部と、供給部から排出部まで処理流体を流通させる際に形成される流路の上流側における下端部を制限する流路制限部と、を備える。そして、流路制限部の上端部が、保持部に保持される基板の上面より高い位置に配置される。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2018093063A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016235342
申请日：2016-12-02
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B5/00 , B08B9/00 , B08B15/007 , B08B2203/0229 , C11D7/261 , C11D11/0041 , F26B5/005
Abstract: 【課題】超臨界流体を用いてウェハを乾燥させる場合に、ウェハに多数のパーティクルが付着することを抑制すること。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法は、液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置の洗浄方法であって、洗浄用気体充填工程と、排気工程とを含む。洗浄用気体充填工程は、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を基板処理装置の内部に充填する。排気工程は、洗浄用気体充填工程の後に、基板処理装置の内部から洗浄用気体を排気する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018026520A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017026089
申请日：2017-02-15
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 川渕 洋介 , 立花 康三 , 中森 光則 , 大石 幸太郎 , 江頭 佳祐 , 田中 幸二 , 稲富 弘朗 , 山下 剛秀 , 福田 喜輝 , 山下 浩司 , 釣船 祐 , 増住 拓朗
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】基板の表面の撥水化処理を行いつつ、基板のパターン内に存在する純水や撥水化剤の除去を除去して乾燥した基板を迅速に得ることが可能な液処理方法などを提供する。 【解決手段】水平に保持された基板Wに対して純水を供給した後、基板Wの乾燥を行うにあたり、第1溶剤供給工程では純水供給後の基板Wの表面に第1溶剤を供給し、その後の撥水化剤供給工程では基板Wの表面に撥水化剤を供給する。第2溶剤供給工程では撥水化された後の基板Wの表面に第2溶剤を供給し、その後の乾燥工程にて基板Wの表面の第2溶剤を除去する。そして第1溶剤の比重は、前記撥水化剤の比重よりも小さく、前記第2溶剤の比重は、当該撥水化剤の比重よりも大きい。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2018026402A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016155701
申请日：2016-08-08
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B29C64/393 , B08B3/10 , B29C64/106 , B29C64/236 , B29K2995/0021 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B41J2/01 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/68764
Abstract: 【課題】基板のパターン内に存在する純水を除去して溶剤に早く置換することが可能な液処理方法などを提供する。 【解決手段】水平に保持され、表面にパターンが形成された基板に対して純水を供給した後、基板を乾燥する液処理方法は、基板の表面に純水を供給する純水供給工程と、前記純水供給工程の後、純水が存在する基板の表面に、水の沸点以上の温度に加熱された溶剤を液体の状態で供給する加熱溶剤供給工程と、前記基板表面の溶剤を除去して前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を含む。 【選択図】図4
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10.发明专利
公开(公告)号：JP5893823B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2010180668
申请日：2010-08-12
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
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