-
公开(公告)号：JP2018026520A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017026089
申请日：2017-02-15
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 川渕 洋介 , 立花 康三 , 中森 光則 , 大石 幸太郎 , 江頭 佳祐 , 田中 幸二 , 稲富 弘朗 , 山下 剛秀 , 福田 喜輝 , 山下 浩司 , 釣船 祐 , 増住 拓朗
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】基板の表面の撥水化処理を行いつつ、基板のパターン内に存在する純水や撥水化剤の除去を除去して乾燥した基板を迅速に得ることが可能な液処理方法などを提供する。 【解決手段】水平に保持された基板Wに対して純水を供給した後、基板Wの乾燥を行うにあたり、第1溶剤供給工程では純水供給後の基板Wの表面に第1溶剤を供給し、その後の撥水化剤供給工程では基板Wの表面に撥水化剤を供給する。第2溶剤供給工程では撥水化された後の基板Wの表面に第2溶剤を供給し、その後の乾燥工程にて基板Wの表面の第2溶剤を除去する。そして第1溶剤の比重は、前記撥水化剤の比重よりも小さく、前記第2溶剤の比重は、当該撥水化剤の比重よりも大きい。 【選択図】図3
-
公开(公告)号：JP2017183579A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016070517
申请日：2016-03-31
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67161 , H01L21/67745
Abstract: 【課題】乾燥処理後の基板に処理液が転着するのを防止する。 【解決手段】本発明では、基板(7)を処理液を用いて液処理する液処理部(14)と、前記液処理部で液処理した後の湿潤状態の前記基板を乾燥処理する乾燥処理部(15)と、前記液処理部へ処理前の前記基板を搬送する第1搬送部(25)と、前記液処理部から前記乾燥処理部へ湿潤状態の前記基板を搬送する第2搬送部(26)と、前記液処理部で液処理する前の前記基板を搬送するとともに、前記乾燥処理部から乾燥処理後の前記基板を搬送する第3搬送部(10)とを有し、前記第3搬送部と面する側に前記第1搬送部と前記第2搬送部と前記乾燥処理部が配置され、前記第1搬送部と前記第2搬送部に面し前記第3搬送部と反対側に前記液処理部が配置されることにした。 【選択図】図1
-
-
公开(公告)号：JP2020088113A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018218900
申请日：2018-11-22
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/677 , F26B5/16 , H01L21/304
Abstract: 【課題】超臨界乾燥処理の効率化を図ること。 【解決手段】本開示による基板処理装置は、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であり、処理容器と、複数の保持部とを備える。処理容器は、乾燥処理が行われる容器である。複数の保持部は、処理容器の内部においてそれぞれ異なる基板を保持する。 【選択図】図6
-
公开(公告)号：JP6925219B2
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2017189959
申请日：2017-09-29
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6559087B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2016070517
申请日：2016-03-31
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/304
-
公开(公告)号：JP5835195B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2012261110
申请日：2012-11-29
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B23H9/00 , H01L21/304
CPC classification number: B23H7/02 , B23H9/006 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67772 , B23H1/00
-
公开(公告)号：JP2021166309A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2021116197
申请日：2021-07-14
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】液処理および超臨界乾燥処理を含む一連の基板処理の最適化を図ること。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送装置が配置される搬送ブロックと、記搬送ブロックに隣接して配置される複数の乾燥ブロックとを備える。乾燥ブロックは、表面に液体が付着した基板を超臨界状態の処理流体と接触させることによって基板を乾燥させる超臨界乾燥処理を行う乾燥ユニットを備える。また、実施形態の一態様に係る基板処理装置は、複数の乾燥ブロックのうち少なくとも2つの乾燥ブロックによって共用され、少なくとも2つの乾燥ブロックの各々に配置された乾燥ユニットから超臨界状態の処理流体または処理流体を排出する共通排気管と、少なくとも2つの乾燥ブロックごとに設けられ、その乾燥ブロック内の雰囲気を共通排気管に排出するブロック排気管とを備える。また、ブロック排気管は、ブロック排気管の開度を調整する調整部を備える。 【選択図】図9
-
公开(公告)号：JP2020053518A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018180303
申请日：2018-09-26
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】液体状態の処理流体をポンプで送り出す際に、かかるポンプで生じる脈動の影響を低減する。 【解決手段】本開示の一態様による基板処理システムは、基板処理装置と、処理流体供給装置とを備える。処理流体供給装置は、処理流体を循環させる循環ラインと、気体状態の処理流体を循環ラインに供給するガス供給ラインと、循環ラインに設けられ、気体状態の処理流体を冷却して液体状態の処理流体を生成する冷却部と、循環ラインにおける冷却部の下流側に設けられるポンプと、記循環ラインにおけるポンプの下流側に接続され、液体状態の処理流体を分岐部から分岐させる分岐ラインと、分岐部の下流側に設けられ、液体状態の処理流体を加熱して超臨界状態の処理流体を生成する加熱部と、循環ラインにおける加熱部の下流側かつガス供給ラインの上流側に設けられ、超臨界状態の処理流体を減圧して気体状態の処理流体を生成する調圧部と、を有する。 【選択図】図4
-
公开(公告)号：JP2019067855A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017189959
申请日：2017-09-29
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】液処理および超臨界乾燥処理を含む一連の基板処理の最適化を図ること。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、搬送ブロックと、複数の処理ブロックとを備える。搬送ブロックは、基板を搬送する搬送装置が配置される。複数の処理ブロックは、搬送ブロックに隣接して配置され、搬送装置によって搬送された基板を処理する。また、各処理ブロックは、液処理ユニットと、乾燥ユニットとをそれぞれ1つずつ含む。液処理ユニットは、基板の上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。乾燥ユニットは、液膜形成処理後の基板を超臨界状態の処理流体と接触させることによって液膜形成処理後の基板を乾燥させる超臨界乾燥処理を行う。そして、同一の処理ブロックに含まれる液処理ユニットと乾燥ユニットとは、搬送ブロックの搬送装置の移動方向に対して同じ側に配置される。 【選択図】図1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.019 seconds)
