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    リソグラフィー用洗浄液、及び基板のエッチング加工方法
    2.
    发明专利
    リソグラフィー用洗浄液、及び基板のエッチング加工方法 审中-公开
    清洗流体用于基板的蚀刻和蚀刻工作方法

    公开(公告)号：JP2015201484A

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：JP2014078034

    申请日：2014-04-04

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 原口 高之 ,  熊谷 智弥 ,  上野 直久

    IPC分类号： C11D7/34 ,  G03F7/32 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C23F4/00 ,  C23G1/18 ,  C23G5/032 ,  C23G1/20 ,  H01L21/304

    摘要： 【課題】タングステン、コバルト、銅、及びこれらのいずれかの合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属に対する腐食抑制機能に優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた基板のエッチング加工方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、塩基性化合物と、水溶性有機溶剤と、水と、LogP値が0.5以下である多価メルカプタン化合物とを含有する。好ましくは、このリソグラフィー用洗浄液は、タングステン、コバルト、銅、及びこれらのいずれかの合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属からなる金属領域を備え、この金属領域の少なくとも一部が表面に露出した基板の洗浄に用いられる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于光刻的清洗液，其具有对选自钨，钴，铜以及这些金属中的任何一种的合金中的至少一种以上的至少一种的金属的优异的腐蚀抑制功能，并且还提供 一种使用该清洁液进行光刻的基板的蚀刻加工方法。解决方案：一种用于光刻的清洁液包括：碱性化合物; 水溶性有机溶剂; 水; 和Log P为0.5以下的多价硫醇化合物。 优选地，用于光刻的清洁流体包括由选自钨，钴，铜和由这些金属中的任何一种组成的合金中的至少一种的金属构成的金属区域，并且该金属区域的至少一部分是 用于清洁暴露于表面的基板。

    洗浄液、防食剤、及びこれらを製造する方法
    3.
    发明专利
    洗浄液、防食剤、及びこれらを製造する方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018109153A

    公开(公告)日：2018-07-12

    申请号：JP2017239822

    申请日：2017-12-14

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 並木 拓海 ,  原口 高之 ,  ▲呉▼ 宇耕

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D17/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/32

    摘要： 【課題】腐食抑制機能に優れた洗浄液、防食剤、及びこれを製造する方法を提供する。 【解決手段】洗浄液は、(1)アルカノールヒドロキシアミン、(2)アルカノールアミン、溶剤、並びに、(1)及び(2)以外の塩基性化合物又は酸性化合物の何れかを含有する。(1)及び(2)において、窒素に結合する2本の置換基は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基を1〜3個有する酸素原子数1〜10のアルキル機、または水素原子を示す。但し、2本の置換基が同時に水素原子になることはない。 【選択図】なし

    半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法
    5.
    发明专利
    半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017150620A1

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：JP2017008134

    申请日：2017-03-01

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 並木 拓海 ,  原口 高之 ,  施 仁傑

    IPC分类号： H01L21/027 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  H01L21/304

    CPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

    摘要： 特にケイ素原子含有無機物からなる残渣物又は膜を除去する洗浄性能に優れ、引火点が高い、半導体基板又は装置用の浄剤液及び洗浄方法を提供すること。 水溶性有機溶媒、第四級アンモニウム水酸化物、及び水を含有する、半導体基板又は装置用の洗浄液であって、該水溶性有機溶媒は、引火点が60℃以上である、グリコールエーテル系溶媒又は非プロトン性極性溶媒である、洗浄液。半導体基板に形成される若しくは装置に付着する残渣物又は膜であって、レジスト、及びケイ素原子含有無機物からなる群より選択される少なくとも1つからなる残渣物又は膜を、該洗浄液を用いて該半導体基板又は該装置から洗浄することを含む、洗浄方法。

    洗浄液及びこれを製造する方法
    9.
    发明专利
    洗浄液及びこれを製造する方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018109154A

    公开(公告)日：2018-07-12

    申请号：JP2017239823

    申请日：2017-12-14

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 並木 拓海 ,  原口 高之 ,  ▲呉▼ 宇耕

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D17/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32

    摘要： 【課題】腐食抑制機能に優れた洗浄液、及びこれを製造する方法を提供する。 【解決手段】本発明の洗浄液は、下記一般式(1)で表されるアルカノールヒドロキシアミンと、アルカノールヒドロキシアミン以外の塩基性化合物とを含有する洗浄液である。式中、R a1 及びR a2 は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基を1〜3個有する炭素原子数1〜10のアルキル基又は水素原子を示す。但し、R a1 及びR a2 が同時に水素原子となることはない。 【選択図】なし