公开(公告)号：KR102224907B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020180044429A

申请日：2018-04-17

申请人： 엘티씨 (주)

发明人： 최호성 ,  김규상 ,  배종일 ,  이종순 ,  하상구 ,  양윤모

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00

CPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  C11D11/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/5004

摘要： 본 발명은 미세회로를 형성하는 PCB 제조용, 특히 다층 연성 PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board) 제조 공정에 적용 가능한 드라이필름 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：JP2018528284A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2018501912

申请日：2016-07-14

申请人： フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド

发明人： スギシマ、 ヤスオ ,  パク、 ギヨン ,  ドリー、 トーマス

IPC分类号： C11D7/08 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/247 ,  C11D7/26 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5022 ,  C23G5/032 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02057

摘要： 本開示は、多工程製造プロセスにおける中間工程として、主に半導体基板から残渣(例えば、プラズマエッチング及び/又はプラズマアッシング残渣)及び/又は金属酸化物を除去するのに有用な非腐食性洗浄組成物に関する。

公开(公告)号：JP2018087971A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017217416

申请日：2017-11-10

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 畠山 潤

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/028 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F220/38 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/282 ,  C08F2220/283 ,  C08F2220/301 ,  C08F2220/302 ,  C08F2220/303 ,  C08K5/19 ,  C08L25/04 ,  C08L33/08 ,  C08L33/10 ,  C08L41/00 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  C08F2220/1841 ,  C08F2220/382 ,  C08F212/32

摘要： 【課題】増感効果が高く、酸拡散を抑える効果を有し、解像性、LWR、CDUが良好なレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】4級アンモニウムヨージド、4級アンモニウムジブロモヨージド、4級アンモニウムブロモジヨージド及び4級アンモニウムトリヨージドから選ばれる4級アンモニウム塩を含むクエンチャー、及び酸発生剤を含む化学増幅レジスト材料。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6200289B2

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：JP2013238344

申请日：2013-11-18

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 上村 哲也 ,  杉島 泰雄 ,  水谷 篤史

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02057 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/3719 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/3776 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：JPWO2016060116A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：JP2016554082

申请日：2015-10-13

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 本 和 磨 山 ,  本 和 磨 山 ,  原 達 郎 長 ,  原 達 郎 長

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/426 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274

摘要： [課題]レジストパターンの表面粗さを改良することができる組成物とそれを用いたパターン形成方法の提供。[解決手段]特定の含窒素化合物と、スルホ基を含むアニオン性界面活性剤と、水とを含む組成物と、それを現像後の乾燥したレジストパターンに適用する工程を含むパターン形成方法。【選択図】なし

公开(公告)号：JP6165442B2

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：JP2012522125

申请日：2010-07-26

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ,  BASF SE

发明人： チェン,チエンシン ,  シェン,メイチン ,  チャン,チアハオ ,  クリップ,アンドレアス

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  G03F7/42

CPC分类号： H01L21/31133 ,  G03F7/425 ,  C11D11/0047

公开(公告)号：JP6157081B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2012210007

申请日：2012-09-24

申请人： 東京応化工業株式会社

发明人： 上野 直久 ,  森 大二郎 ,  原口 高之

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/426

公开(公告)号：JP6151484B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2012132388

申请日：2012-06-11

申请人： 東京応化工業株式会社

发明人： 熊谷 智弥 ,  江藤 崇弘

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D7/5022 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5009 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

公开(公告)号：JP6146421B2

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：JP2014551069

申请日：2013-11-29

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 島田 憲司 ,  尾家 俊行 ,  中山 亮太 ,  大戸 秀

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D7/38 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/36 ,  C23G1/20 ,  C23G1/205 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP2017076783A

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016195777

申请日：2016-10-03

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 青山 公洋 ,  田島 恒夫

IPC分类号： C11D17/08 ,  C11D7/54 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D7/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/76814 ,  B08B3/12 ,  C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/044 ,  C11D3/046 ,  C11D3/364 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/36 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238

摘要： 【課題】 半導体素子製造において、銅または銅合金やコバルトまたはコバルト合金のダメージを抑制しつつ、窒化チタンハードマスクを除去する洗浄用液体組成物およびそれを用いた洗浄方法、並びに半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の半導体素子の製造に用いられる洗浄用液体組成物は、過酸化水素を1〜30質量%、水酸化カリウムを0.01〜1質量%、アミノポリメチレンホスホン酸を0.0001〜0.01質量%、亜鉛塩を0.0001〜0.1質量%および水を含むものである。 【選択図】図1