公开(公告)号：JP2018156263A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2017051382

申请日：2017-03-16

申请人： 東芝メモリ株式会社 ,  東芝情報システム株式会社

发明人： 松平 弘樹 ,  青山 典生 ,  加藤 亮一 ,  大根田 拓 ,  平尾 孝史 ,  トラン オレリアン ナム フォング ,  山口 浩之 ,  鈴木 拓也 ,  山崎 創

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0611 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G11C16/0483

摘要： 【課題】レイテンシの最大値を従来に比して短くすることができるメモリシステムを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、メモリシステム1は、外部からのデータが書き込まれる複数のブロックを備える不揮発性メモリ20と、データ書き込み処理およびコンパクション処理の実行を制御するメモリコントローラ10と、を備える。不揮発性メモリ20は、ブロックごとにイレースされる。データ書き込み処理は、外部からの要求にしたがって不揮発性メモリ20にユーザデータを書き込む。コンパクション処理は、不揮発性メモリ中の第1ブロック中の有効データを第2ブロックに移動させ、第1ブロック中の有効データを無効化する。メモリコントローラ10は、外部からのデータの書き込み要求を受けると、書き込み要求を受けてから前記外部へ応答を返すまでの間でデータ書き込み処理の前または後に設けられる待ち時間の長さを制御する。 【選択図】図1