公开(公告)号：JP6434168B2

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：JP2017556872

申请日：2016-06-24

Applicant: グーグル エルエルシー

Inventor： セレブリン,ベンジャミン・シィ

IPC: G06F12/1081 ,  G06F12/1027

CPC classification number: G06F13/4022 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/067 ,  G06F12/0813 ,  G06F12/0882 ,  G06F12/10 ,  G06F12/1036 ,  G06F12/1045 ,  G06F12/1081 ,  G06F12/109 ,  G06F12/1425 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/1048 ,  G06F2212/152 ,  G06F2212/154 ,  G06F2212/264 ,  G06F2212/604 ,  G06F2212/608 ,  G06F2212/65 ,  G06F2212/657 ,  G06F2212/68 ,  G06F2212/682 ,  G06F2212/683

公开(公告)号：JP6397995B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2017512471

申请日：2015-04-13

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 土田 隼之 ,  田中 美智子 ,  清水 晃 ,  藤原 真二 ,  茂木 和彦

IPC: G06F12/00 ,  G06F17/30

CPC classification number: G06F17/30315 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/064 ,  G06F3/067 ,  G06F17/30 ,  G06F17/30371 ,  G06F17/30477

公开(公告)号：JP2018527690A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2018513483

申请日：2016-08-16

Applicant: クゥアルコム・インコーポレイテッド ,  QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： クウォク、トニー・チュン・イウ ,  デサイ、ニシト・ニティン ,  ジュン、チャンホ

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C11/419

CPC classification number: G06F3/0683 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0659 ,  G06F13/1689 ,  G11C7/1075 ,  G11C7/22 ,  G11C11/419

Abstract: メモリにアクセスするための方法およびメモリの態様が開示される。メモリは、第1のモードにおいて、メモリサイクル中に読取りおよび書込み動作、および、第2のモードにおいて、メモリサイクル中に書込み専用動作をサポートするように構成された複数のメモリセルを含む。メモリは、読取り動作のための読取りクロックおよび書込み動作のための書込みクロックを生成するように構成された制御回路をさらに含む。書込みクロックのタイミングは、第1のモードにおいて、読取りクロックのタイミングの関数であり、第2のモードにおいて、メモリサイクルのタイミングである。

公开(公告)号：JP2018136592A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017028616

申请日：2017-02-20

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 加納 健

IPC: G06F12/06

CPC classification number: G06F13/1642 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0683 ,  G06F13/1673 ,  G11C7/00 ,  G11C8/12

Abstract: 【課題】リクエスト発行待ちが発生して性能低下が生じる、ということを解決すること。 【解決手段】本発明であるメモリ制御装置は、複数のバンクからなるバンクグループを複数有するメモリを制御し、バンクに対するメモリリクエストを記憶するリクエストバッファと、バンクのビジー状態を管理するバンクビジー管理部と、バンクグループ毎に、当該バンクグループに属する前記バンクのうち、ビジーではない当該バンクの数を管理するバンクグループチェック部と、バンクグループ毎のビジーではないバンクの数に基づいて、メモリリクエストを発行する前記バンクグループを決定するバンクグループ決定部と、リクエストバッファの中から、決定したバンクグループ内のバンクにメモリリクエストを発行するリクエスト発行部と、を備える。 【選択図】図8

公开(公告)号：JP2018106252A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016249303

申请日：2016-12-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大江 和一

IPC: G06F3/08 ,  G06F13/14 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/08 ,  G06F13/12

CPC classification number: G06F3/0653 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0673 ,  G06F3/068 ,  G06F3/0685

Abstract: 【課題】IOアクセス集中に対する予測を正確に行なう。 【解決手段】記憶装置20の単位領域に対して行なわれたアクセス履歴に基づいて、記憶装置20に関するアクセス予測情報を作成する作成部104と、記憶装置20における、第1の期間に収集された、アクセスが集中した集中状態の単位領域についての集中状態の傾向を表す第1の集中状態傾向情報と、第1の期間に先行する第2の期間に収集された、集中状態の単位領域についての集中状態の傾向を表す第2の集中状態傾向情報とを比較する比較部103とを備え、第2の集中状態傾向情報が第1の集中状態傾向情報に比べて基準以上に変化した場合に、作成部104が、前記第2の期間に収集されたアクセス履歴を除外したアクセス履歴を用いてアクセス予測情報を再作成する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018092426A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016235966

申请日：2016-12-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 内山 賢治

IPC: G06F13/12 ,  G06F8/65 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0685 ,  G06F3/0689 ,  G06F13/18

Abstract: 【課題】ストレージ装置の可用性の低下を抑制する。 【解決手段】上位装置7からのアクセス要求に応じた処理対象である複数のストレージグループから、ファームウェアの適用対象である複数の記憶装置51の各々が属するストレージグループを特定する特定部451と、特定したストレージグループごとの前記アクセス要求に応じた処理時間の推定値に基づいて、前記特定したストレージグループの各々に対してファームウェアの適用処理の優先度を設定する設定部452と、設定した優先度に応じた実行順序で、前記優先度が設定されたストレージグループに属する記憶装置51に対して前記適用処理を行なう適用部453と、前記適用処理を実行中のストレージグループ以外のストレージグループに対して、前記アクセス要求に応じた処理を行なうアクセス制御部42と、をそなえる。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP6341642B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2013192280

申请日：2013-09-17

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 金 敬 ミン ,  朴 洪 植 ,  申 ヒ 東

IPC: G06F12/00

CPC classification number: G06F3/0659 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F13/1684 ,  G06F2221/2105 ,  G06F2221/2153

公开(公告)号：JP2018073312A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016215831

申请日：2016-11-04

Applicant: 東芝メモリ株式会社

Inventor： 石山 政浩 ,  浅野 滋博

IPC: G06F11/10

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F1/3203 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/262 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207 ,  G06F2212/7208

Abstract: 【課題】書き込み動作を実行中のダイへのリード要求の発生に対する耐性を改善することができるメモリシステムを実現する。 【解決手段】実施形態によれば、メモリシステムは、不揮発性メモリ内の第1領域に対応するデータ数およびパリティ数を示すkおよびmの組と、不揮発性メモリ内の第2領域に対応するデータ数およびパリティ数を示すk’およびm’の組とを管理する。前記メモリシステムは、第1領域に対する書き込み要求に基づいて、k個のデータ部とm個のパリティとを、k+m個の異なるダイから一つずつ選出されるk+m個の物理ブロックに書き込み、第2領域に対する書き込み要求に基づいて、k’個のデータ部とm’個のパリティとを、k’+m’個の異なるダイから一つずつ選出されるk’+m’個の物理ブロックに書き込む。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6319857B2

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：JP2016552951

申请日：2015-03-05

Applicant: インテル・コーポレーション

Inventor： アダムス、ニコラス、ジェイ. ,  ゴフ、ロバート、イー. ,  パイタラ バラガンガダラ、サイ、プラサド ,  ドウッタ、プロネイ

IPC: G06F9/455 ,  G06F3/00 ,  G06F15/78

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G06F13/105 ,  G06F13/24 ,  G06F13/385

公开(公告)号：JP6317524B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2017511367

申请日：2015-09-15

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 出口 彰 ,  川口 智大

IPC: G06F11/14 ,  G06F11/20 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/067 ,  G06F11/14 ,  G06F11/16 ,  G06F12/00