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    EL表示装置
    1.
    发明专利
    EL表示装置 有权

    公开(公告)号：JP6644186B1

    公开(公告)日：2020-02-12

    申请号：JP2019193422

    申请日：2019-10-24

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  小山 潤 ,  犬飼 和隆 ,  水上 真由美

    IPC分类号： G09F9/30

    摘要： 【課題】信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。 【解決手段】単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FE T202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素 構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現 性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施す ことで信頼性の高い電子装置が得られる。 【選択図】図1

    表示装置
    5.
    发明专利
    表示装置 有权
    显示设备

    公开(公告)号：JP2016184167A

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：JP2016090253

    申请日：2016-04-28

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  小山 潤 ,  犬飼 和隆 ,  水上 真由美

    IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/22 ,  G09F9/30

    CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5259

    摘要： 【課題】有効発光面積の大きい画素による明るい画像表示が可能で、信頼性の高い電子装置を提供する。 【解決手段】スイッチング用TFT201及び電流制御用TFT202を形成し、電流制御用TFT202にEL素子203が電気的に接続された画素構造において、電流制御用TFT202にゲート絶縁膜を18挟んでゲート電極35と重なるようにLDD領域33を形成し、ゲート電極35とLDD領域33との間のゲート容量を大きくし、ゲート容量を電流制御用TFT202のゲートにかかる電圧を保持するためのコンデンサとして用いる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够通过具有大的有效发射面积的像素进行亮度图像显示的可靠的电子设备。解决方案：构造一个像素，使得形成开关TFT 201和电流控制TFT 202， EL元件203电连接到电流控制TFT 202.LDD区33形成在电流控制TFT 202上，以便与门电极35重叠，栅极绝缘体18在其间。 栅极电极35和LDD区域33之间的栅极电容器增加。 栅极电容器用作用于保持施加在电流控制TFT 202的栅极上的电压的电容器。选择的图示：图1

    電子装置
    7.
    发明专利
    電子装置 有权
    电子设备

    公开(公告)号：JP2016167086A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2016090255

    申请日：2016-04-28

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  小山 潤 ,  犬飼 和隆 ,  水上 真由美

    IPC分类号： G09F9/302 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30

    CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5259

    摘要： 【課題】明るい画像表示の可能な電子装置を提供する。また、信頼性の高い電子装置を提 供することを課題とする。さらに、上記高輝度の画像表示が可能な電子装置の製造コスト を低減するためのプロセスを提供することを課題とする。 【解決手段】スイッチング用TFT及び電流制御用TFTを形成し、電流制御用TFTに EL素子が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用TFTにゲート絶縁膜を挟ん でゲート電極と重なるようにLDD領域を形成し、ゲート電極とLDD領域との間のゲー ト容量によりゲート電極にかかる電圧が保持される有効発光面積の大きい画素が得られる 。 【選択図】図3

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够明亮地显示图像的电子设备，以提供可靠的电子设备，并且还提供一种降低能够以高亮度显示图像的电子设备的制造成本的处理。解决方案：在 形成像素结构，用于切换的TFT和用于电流控制的TFT，并且EL元件电连接到用于电流控制的TFT。 获得具有大的有效发光面积的像素，其中在用于电流控制的TFT中形成LDD区域，使得其与栅极绝缘膜上的栅电极重叠，并且施加到栅极电极的电压由第 栅极电极和LDD区域。选择图：图3