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    電子線装置
    1.
    发明专利
    電子線装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020077529A

    公开(公告)日：2020-05-21

    申请号：JP2018210323

    申请日：2018-11-08

    Applicant: 株式会社日立ハイテク

    Inventor： 尾方 智彦 ,  村越 久弥 ,  長谷川 正樹 ,  兼岡 則幸 ,  小貫 勝則

    IPC: H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J37/252 ,  H01J37/244 ,  H01J37/05 ,  H01J37/29

    Abstract: 【課題】照射光学系と結像光学系の2つのカラムを備える電子線装置において、照射光学系の調整に用いる光電子像を鮮明化する。 【解決手段】ステージに載置される試料に電子線を照射する照射光学系と、試料に紫外線を含む光を照射する光照射ユニット50と、電子線が試料に到達する前に電子軌道が反転するよう、試料に負電圧を印加する試料電圧制御部44と、負電圧の印加により反射されたミラー電子を結像してミラー電子像を取得する結像光学系とを有し、結像光学系は、ミラー電子像を取得するセンサ32と、センサとステージ31との間に設けられ、光照射ユニットからの光がセンサに到達することを抑制する迷光抑制部材27とを有する。 【選択図】図1

    評価用半導体基板およびそれを用いた検査装置の欠陥検出感度評価方法
    4.
    发明专利
    評価用半導体基板およびそれを用いた検査装置の欠陥検出感度評価方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019087229A1

    公开(公告)日：2020-11-26

    申请号：JP2017039060

    申请日：2017-10-30

    Applicant: 株式会社日立ハイテク

    Inventor： 大平 健太郎 ,  長谷川 正樹 ,  尾方 智彦 ,  小貫 勝則 ,  兼岡 則幸

    IPC: G01N23/20008 ,  H01L21/66 ,  G01N23/203

    Abstract: ミラー電子像により半導体基板の欠陥を検出する検査装置の欠陥検出感度を、定量的に評価し、性能保証する必要がある。偶発的に形成された欠陥では、その大きさ、位置ともにランダムであり、そのような定量的評価は困難であった。 検査装置の欠陥検出感度を評価するための評価用半導体基板101は、複数の第1の圧痕104を有し、第1の圧痕は、所定の硬度及び形状を有する圧子を評価用半導体基板に第1の押し込み荷重で押し込むことによって形成する。また、評価用半導体基板の複数の第1の圧痕について、ミラー電子像を取得し、取得したミラー電子像における複数の第1の圧痕の欠陥検出率を算出することにより、検査装置の欠陥検出感度を評価する。

    欠陥検査装置、及び欠陥検査方法
    5.
    发明专利
    欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020166049A1

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：JP2019005469

    申请日：2019-02-15

    Applicant: 株式会社日立ハイテク

    Inventor： 大平 健太郎 ,  長谷川 正樹

    IPC: G01N23/203

    Abstract: ミラー電子顕微鏡で撮像したミラー電子像から試料の品質を評価するための定量化方法を提供する。ミラー電子像を構成する画素単位の輝度値を集計し、輝度ヒストグラムを作成し、この分布から標準偏差値を算出することでミラー電子像を数値化する。試料上に生成されたスクラッチや潜傷などによってミラー電子像上に白や黒のコントラストが形成されると、画素単位の輝度値が変動するため、欠陥の無い良好な試料から得た画像よりも輝度値のバラツキが大きくなり、結果としてミラー電子像の輝度値の標準偏差が大きくなる。ミラー電子像から算出した輝度のバラツキを示す標準偏差は、等価的に試料の欠陥コントラストの程度を表しており、この数値を元に試料の品質評価を容易且つ主観や曖昧さを排除して行うことができる。

    荷電粒子線装置
    7.
    发明专利
    荷電粒子線装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019058440A1

    公开(公告)日：2020-10-22

    申请号：JP2017033854

    申请日：2017-09-20

    Applicant: 株式会社日立ハイテク

    Inventor： 尾方 智彦 ,  長谷川 正樹 ,  小貫 勝則 ,  兼岡 則幸 ,  村越 久弥

    IPC: H01J37/29 ,  H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J37/22

    Abstract: 試料直上で荷電粒子を反転させて観察する荷電粒子線装置において、欠陥コントラストを最適化する。荷電粒子源(20)と、荷電粒子源に第1の電圧を印加する電子銃制御装置(41)と、試料(30)に第2の電圧を印加する基板電圧制御装置(44)と、試料の方向から入射する荷電粒子を結像する結像レンズ(22)を含む結像光学系と、荷電粒子を検出するカメラ(32)を含む検出器と、検出信号を処理する画像処理装置(45)とを備え、結像光学系は試料より放出された二次電子を結像しないように構成されると共に、第1及び第2の電圧の電位差により試料上に形成された電界に跳ね返されたミラー電子による像を形成する。画像処理装置(45)は、取得信号に基づいて電位差を制御する制御信号を生成、ミラー電子の反射面を制御して欠陥コントラストを最適化する。

    ミラー電子式検査装置
    9.
    发明专利
    ミラー電子式検査装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020053979A1

    公开(公告)日：2021-09-09

    申请号：JP2018033745

    申请日：2018-09-12

    Applicant: 株式会社日立ハイテク

    Inventor： 山岡 正作 ,  長谷川 正樹 ,  菅谷 昌和 ,  古川 明広 ,  小貫 勝則

    IPC: H01L21/66 ,  H01J37/20

    Abstract: 半導体基板などの欠陥を検出する欠陥検査装置で、その温度依存性を真空中において評価するミラー電子式検査装置を提供する。装置の試料室に設置される移動ステージ(7)上に、電気絶縁及び熱絶縁された固定部材(206)を介して、電気絶縁された絶縁物(202)で覆われたヒーター(発熱体)(201)と、試料(5)が搭載されたヒータベース(203)と、熱遮蔽板兼等電位面(204)を有する加熱ステージ(6)が搭載される。ヒーター(発熱体)(201)には、ヒーター電源(12)を接続し、ヒータベース(203)には、試料印加電源(11)を接続する。ヒーター電源(12)と試料印加電源(11)は電気的に分離する。

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