公开(公告)号：JP6335334B2

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：JP2016568234

申请日：2015-01-09

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 佐川 雅一 ,  毛利 友紀 ,  松村 三江子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6626807B2

公开(公告)日：2019-12-25

申请号：JP2016179134

申请日：2016-09-14

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 佐川 雅一 ,  毛利 友紀 ,  小西 くみこ

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M7/48 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2018046127A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2016179134

申请日：2016-09-14

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 佐川 雅一 ,  毛利 友紀 ,  小西 くみこ

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M7/48 ,  H01L29/78

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 【課題】半導体装置の特性を向上させる。 【解決手段】SiCを含むn型の半導体層と、素子形成領域の外周部のp型ボディ領域PB中に形成されたp + 型の半導体領域GRaと、素子形成領域のp型ボディ領域PB上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極と接続されたゲートパッドと、を有するように、半導体装置を構成する。上記p型ボディ領域PBは、ゲートパッドの形成領域GPAに延在し、ゲート電極は、領域GPAにおいて、p型ボディ領域PB上に絶縁膜(フィールド酸化膜)を介して配置されている。そして、ゲートパッドGPの下方に、p + 型の半導体領域PRG設ける。これにより、サージ電圧の発生を抑制することができる。さらに、p + 型の半導体領域PRGを、 方向に垂直な方向に長辺を有する複数の矩形状のパターンとすることで、結晶欠陥の影響を抑制することができる。 【選択図】図1