公开(公告)号：KR20210033460A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020210035586A

申请日：2021-03-19

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 순페이 야마자키 ,  마사히로 다카하시 ,  타츠야 혼다 ,  타케히사 하타노

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/772

摘要： 본 발명은 노멀리 오프의 스위칭 소자를 실현하는 트랜지스터 구조 및 그 제작 방법을 제공한다. 트랜지스터의 온 특성을 향상시켜, 반도체 장치의 고속 응답, 고속 구동을 실현하는 구성 및 그 제작 방법을 제공한다. 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공한다.
반도체층, 소스 전극층 또는 드레인 전극층, 게이트 절연막, 및 게이트 전극층이 차례로 적층된 트랜지스터에 있어서, 상기 반도체층으로서 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소라는 4원소를 적어도 포함하며, 상기 4원소의 조성비를 원자 백분율로 나타내면 인듐의 비율이 갈륨의 비율 및 아연의 비율의 2배 이상인, 산화물 반도체층을 사용한다.

公开(公告)号：JPWO2017212773A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017014675

申请日：2017-04-10

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 濱田 憲治 ,  海老原 洪平

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 本発明は、スーパージャンクション構造においてセル領域だけでなく終端領域でも良好に耐圧を確保することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、セル領域(CL)と終端領域(ET)とを有する半導体装置(1)であって、SiC基板(2)上において厚さ方向に延在しかつ厚さ方向に対して垂直方向にセル領域(CL)から終端領域(ET)に渡って交互に形成された第1導電型のドリフト領域(3)および第2導電型のピラー領域(4)と、終端領域(ET)において複数のピラー領域(4)にまたがって形成されドリフト領域(3)およびピラー領域(4)の表面から厚さ方向に形成されたリサーフ層(10)と、リサーフ層(10)の表面内に形成された、リサーフ層(10)よりも不純物濃度が高い第2導電型の高濃度領域(11)とを備え、高濃度領域(11)の厚さ方向の下方にはピラー領域(4)が形成されていない。

公开(公告)号：JPWO2017179377A1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017011409

申请日：2017-03-22

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所

发明人： 日吉 透 ,  増田 健良 ,  小杉 亮治

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、ゲート絶縁膜とを有している。炭化珪素基板は、第1不純物領域と、第2不純物領域と、第3不純物領域と、第4不純物領域と、第5不純物領域と、第6不純物領域とを含む。炭化珪素基板の第1主面には、側面と、底部とにより規定されるトレンチが設けられている。第6不純物領域は、底部に対面する第1領域と、炭化珪素基板の第2主面と対面する第2領域とを有する。第1領域の不純物濃度は、第2領域の不純物濃度よりも高い。第2主面に対して垂直な方向において、第4不純物領域の第5主面は、第2不純物領域の第6主面と第2主面との間にある。

公开(公告)号：JP6406274B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2016020942

申请日：2016-02-05

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 小山 和博

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JPWO2017090285A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2016074455

申请日：2016-08-23

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 和田 圭司 ,  伊東 洋典 ,  西口 太郎

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/20 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/34 ,  H01L29/78

摘要： 炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素単結晶基板と、炭化珪素層とを有している。炭化珪素単結晶基板は、第1主面を含む。炭化珪素層は、第1主面上にある。炭化珪素層は、炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第2主面を含む。炭化珪素層におけるキャリア濃度の平均値は、1×10 15 cm -3 以上5×10 16 cm -3 以下である。キャリア濃度の面内均一性は、2%以下である。第2主面には、第2主面に沿って一方向に延びるとともに、一方向における幅が一方向に垂直な方向における幅の2倍以上であり、かつ、第2主面からの最大深さが10nm以下である溝80と、キャロット欠陥とがある。キャロット欠陥の数を溝の数で除した値は、1/500以下である。

公开(公告)号：JP2018121020A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017013182

申请日：2017-01-27

申请人： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

发明人： 竹内 有一 ,  鈴木 優 ,  杉本 雅裕 ,  渡辺 行彦

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

摘要： 【課題】電界緩和不良や耐圧低下を抑制でき、かつ、リーク発生要因となる結晶ダメージを抑制できる構造のSiC半導体装置とする。 【解決手段】メインセル領域Rmとセンスセル領域Rsの間を電気的に分離するように素子分離層14を備えつつ、素子分離層14の底部において電界集中が緩和されるように電界緩和層15を備える。また、電界緩和層15を直線状で構成し、隣り合う電界緩和層15を隣り合うp型ディープ層5の間隔Wdと同じ間隔で形成し、電界の入り込みを抑制する。さらに、メインセル領域Rm側から突き出した電界緩和層15とセンスセル領域Rs側から突き出した電界緩和層15との間においても、両者の間隔Wpを隣り合うp型ディープ層5の間隔Wd以下にし、電界の入り込みを抑制する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2018016171A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2017019209

申请日：2017-05-23

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 渡辺 友勝 ,  日野 史郎 ,  山城 祐介 ,  岩松 俊明

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 本願明細書に開示される技術は、プロセススループット、または、歩留まりを悪化させずに、炭化珪素半導体装置のオフ状態における絶縁破壊を抑制することができる技術に関するものである。本願明細書に開示される技術に関する炭化珪素半導体装置は、第1の導電型のドリフト層(2)と、ドリフト層(2)を貫通して形成される貫通転位(TD)と、ドリフト層(2)の表層における貫通転位(TD)に対応する位置に設けられる、第2の導電型の電界緩和領域(12)とを備える。ここで、電界緩和領域(12)は、エピタキシャル層である。

公开(公告)号：JPWO2017141998A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2018500182

申请日：2017-02-15

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 小野沢 勇一 ,  大井 幸多

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

摘要： 半導体基板と、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト層と、半導体基板において、ドリフト層の上方に形成された第2導電型のベース領域と、ドリフト層とベース領域との間に設けられ、ドリフト層よりも高濃度である第1導電型の蓄積層とを備え、蓄積層は、第1蓄積領域と、平面視における蓄積層と異なる領域との境界側において、第1蓄積領域よりも浅く形成された第2蓄積領域とを有する半導体装置を提供する。

公开(公告)号：JPWO2017199706A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：JP2017547009

申请日：2017-04-25

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 岡部 博明 ,  中西 洋介

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/87 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592

摘要： 電極(1)は半導体層(11)上に設けられている。ポリイミド層(12)は、電極(1)上に配置された開口部(OP)を有しており、かつ、電極(1)の縁を覆い電極(1)上まで延在している。銅層(13)は、開口部(OP)内において電極(1)上に設けられており、電極(1)上のポリイミド層(12)から離れている。銅ワイヤ(14)は、銅層(13)上に接合された一方端を有している。

公开(公告)号：JP6335334B2

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：JP2016568234

申请日：2015-01-09

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 佐川 雅一 ,  毛利 友紀 ,  松村 三江子

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/78