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公开(公告)号：JPWO2019013136A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2018025767
申请日：2018-07-06
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/329 , H01L21/365 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。半導体領域と、該半導体領域上に設けられているバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置であって、前記半導体領域と前記バリア電極との間に、前記半導体領域と前記バリア電極との界面におけるバリアハイトよりも前記バリア電極とのバリアハイトが大きくなるバリアハイト調整領域が設けられており、前記バリアハイト調整領域が前記半導体領域表面に複数埋め込まれている半導体装置。
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公开(公告)号：JP2019016718A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017134240
申请日：2017-07-08
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/872
Abstract: 【課題】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体領域と、該半導体領域上に設けられているバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置であって、前記バリア電極は、前記半導体領域上に設けられておりかつ前記半導体領域との間にショットキーバリアを形成可能な複数の第1のバリア電極と、第1のバリア電極に隣接して設けられておりかつ前記半導体領域との間に第1のバリア電極のショットキーバリアのバリアハイトとは異なるバリアハイトのショットキーバリアを形成可能な複数の第2のバリア電極とを含んでおり、第1のバリア電極と第2のバリア電極とは、前記半導体領域上に交互に設けられており、さらに、それぞれ同じ電極材料を主成分として含む半導体装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018060992A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016244946
申请日：2016-12-17
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/24 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 【課題】パワーデバイス等に用いる半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層101a、101bと、半導体層上にショットキー電極105aとを少なくとも備える半導体装置において、ショットキー電極を形成する際に、ショットキー電極を、周期律表第4族〜第9族の金属を含むものにすることで、半導体特性を損なわずに、半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を製造する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019016720A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017134242
申请日：2017-07-08
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/329
Abstract: 【課題】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を工業的有利に製造する方法を提供する。 【解決手段】半導体領域と、該半導体領域上に設けられている2種以上のバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置を製造する方法であって、第1のバリア電極1を半導体領域3上に形成し、ついで、第1のバリア電極よりもバリアハイトの低い第2のバリア電極2を第1のバリア電極と隣接するように半導体領域上に形成する。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2019016719A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017134241
申请日：2017-07-08
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 【課題】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体領域と、該半導体領域上に設けられているバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置であって、前記バリア電極は、前記半導体領域上に設けられておりかつ前記半導体領域との間にショットキーバリアを形成可能な複数の第1のバリア電極と、第1のバリア電極に隣接して設けられておりかつ前記半導体領域との間に第1のバリア電極のショットキーバリアのバリアハイトとは異なるバリアハイトのショットキーバリアを形成可能な複数の第2のバリア電極とを含んでおり、第1のバリア電極と第2のバリア電極とは、前記半導体領域上に交互に設けられており、さらに、さらに、第1のバリア電極の一部または全部が前記半導体領域表面に埋め込まれている半導体装置。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6932904B2
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：JP2016163289
申请日：2016-08-24
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
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公开(公告)号：JP6906217B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2016244946
申请日：2016-12-17
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/24 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/872
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公开(公告)号：JP2019016721A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017134244
申请日：2017-07-08
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/872
Abstract: 【課題】特にパワーデバイスに有用な半導体特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体領域と、該半導体領域上に設けられているバリア電極とを少なくとも備えている半導体装置であって、前記半導体領域と前記バリア電極との間に、前記半導体領域と前記バリア電極との界面におけるバリアハイトよりも前記バリア電極とのバリアハイトが小さくなるバリアハイト調整領域が設けられており、前記バリアハイト調整領域が前記半導体領域上に複数設けられている半導体装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018129500A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017193706
申请日：2017-10-03
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/045 , H01L29/0611 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の半導体層と、第2の半導体層と、第1の半導体層上に設けられているショットキー電極とを少なくとも備え、第1の半導体層及び第2の半導体層が、それぞれガリウムを含有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、第1の半導体層のキャリア密度が、第2の半導体層のキャリア密度よりも小さい半導体装置において、第1の半導体層および第2の半導体層のそれぞれの表面積が3mm 2 以下である小型の半導体装置を製造し、得られた半導体装置をパワーデバイス等に用いる。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018032699A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016163289
申请日：2016-08-24
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 【課題】半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】インジウム、ガリウム又はアルミニウムを含み、かつ、コランダム構造を有する半導体層101a、101bを形成し、ついで、半導体層101a上に、周期律表第6族の金属(特にタングステン又はタングステンが含まれている合金)、周期律表第7族の金属(特にレニウム又はレニウムが含まれている合金)、周期律表第8族の金属(特にルテニウム又はルテニウムが含まれている合金)、周期律表第9族の金属(特にコバルト若しくはイリジウムまたはコバルト若しくはイリジウムが含まれている合金)を含む金属酸化物からなるショットキー電極105aを形成する。 【選択図】図1
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