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    成膜方法
    2.
    发明专利
    成膜方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017010967A

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：JP2015121584

    申请日：2015-06-16

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  谷川 幸登 ,  人羅 俊実

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365

    Abstract: 【課題】ダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる、特性に優れた半導体膜を形成する成膜方法を提供する。 【解決手段】金属と重水素とを含む原料溶液4aを霧化または液滴化し、得られたミスト4b又は液滴をキャリアガスで成膜室7内に設置されている基板10まで搬送し、ついでミスト4b又は液滴を熱反応させて、基板10上に、半導体特性、特に電気特性に優れた半導体膜を成膜する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 在半导体器件A中使用诸如二极管或晶体管，是提供一种薄膜形成用于形成优异的半导体膜特性的方法。 含有的金属和氘雾化或液滴，运输获得到安装在膜中的载气中形成腔室7中的基板10的雾4b中或液滴的原料溶液4A， 然后，通过热反应薄雾4B或液滴，基板10，半导体特性，特别是优异的沉积半导体膜的电性能上。 点域1

    半導体膜、積層構造体および半導体装置
    3.
    发明专利
    半導体膜、積層構造体および半導体装置 审中-公开
    半导体膜，多层结构和半导体装置

    公开(公告)号：JP2017005148A

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：JP2015118588

    申请日：2015-06-11

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  谷川 幸登 ,  人羅 俊実

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365

    Abstract: 【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた半導体膜を提供する。 【解決手段】ガリウムを含有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜の一部または全部における水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。 【選択図】なし

    Abstract translation: 的氢浓度降低，以提供优良的半导体膜诸如半导体特性。 含有氧化物半导体含有镓主要成分的半导体膜中的氢浓度是由沉积在沉积之后减小，并且当需要时，在某些或所有膜的2×1017（原子上的氢浓度 /立方厘米），得到的半导体膜或更少。 此外，半导体膜，例如氢浓度不超过2×1017（原子/ cm3）在半导体器件中，例如二极管或晶体管。 系统技术领域

    結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
    4.
    发明专利
    結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置 审中-公开
    结晶半导体膜，所述层叠结构和半导体装置

    公开(公告)号：JP2017005146A

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：JP2015118586

    申请日：2015-06-11

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  谷川 幸登 ,  人羅 俊実

    IPC: H01L21/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365

    Abstract: 【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた結晶性半導体膜を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜表面の一部または全部における水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である結晶性半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×10 17 (atoms/cm 3 )以下である結晶性半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。 【選択図】なし

    Abstract translation: 的氢浓度降低，以提供优良的结晶性半导体膜成半导体的特性。 含有作为具有刚玉结构的半导体的主要成分的结晶性半导体膜的氢浓度是由沉积时间在沉积之后减小，并且任选地，膜中的氢浓度为2×1017在部分或全部的表面（ 原子/厘米3）提供了在低于结晶性半导体膜。 此外，使用结晶性半导体膜，例如氢浓度不超过2×1017（原子/ cm3）在半导体器件中，例如二极管或晶体管。 系统技术领域

    積層構造体および半導体装置
    5.
    发明专利
    積層構造体および半導体装置 审中-公开
    层状结构和半导体装置

    公开(公告)号：JP2016199466A

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：JP2016131160

    申请日：2016-06-30

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

    IPC: C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C30B29/16

    Abstract: 【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造体を提供する 【解決手段】結晶基板の主面が、a面、m面またはr面であって、主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層して、電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造体を得る。そして、積層構造体の結晶性酸化物半導体膜を半導体装置に用いる。 【選択図】なし

    Abstract translation: A A以提供具有优异的结晶性的氧化物半导体膜的电特性的晶体衬底的主面的层叠结构中，a面，m面或R面，所有的主面的或 直接或通过其它层具有刚玉结构部分，该晶体基板上，通过层叠含有作为主要成分，所述电特性的结晶氧化物半导体膜具有刚玉结构的结晶氧化物半导体 获得具有优异结晶性的氧化物半导体膜的层叠结构。 然后，使用层叠结构的结晶氧化物半导体膜中的半导体器件。 系统技术领域

    結晶性酸化物膜
    6.
    发明专利
    結晶性酸化物膜 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020193146A

    公开(公告)日：2020-12-03

    申请号：JP2020126892

    申请日：2020-07-27

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

    IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C30B29/16

    Abstract: 【課題】結晶性の高い、インジウムを含有する酸化物を主成分として含み、さらにコランダム構造を含む結晶性酸化物膜の提供。 【解決手段】酸化物を主成分とする第1の層および第2の層を有する結晶性酸化物膜であって、第1の層の酸化物はガリウムを含有し、第2の層の酸化物はインジウムを含有しコランダム構造を有する結晶性酸化物膜。好ましくは、第2の層の酸化物が酸化インジウムであり、ドーパントを含む結晶性酸化物膜。好ましくは、第2の層は、キャリア密度が3.1×10 18 cm −3 以下であり、移動度が143cm 2 /Vs以上である、結晶性酸化物膜。前記結晶性酸化物膜が用いられている半導体層と、電極と、を少なくとも備える半導体装置。 【選択図】図4

    半導体装置
    9.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018049894A

    公开(公告)日：2018-03-29

    申请号：JP2016183550

    申请日：2016-09-20

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 徳田 梨絵 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C23C16/40 ,  H01L21/312 ,  H01L21/285 ,  H01L29/872

    Abstract: 【課題】半導体層と電極との界面の密着性に優れ、電気特性が良好であり、信頼性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】少なくとも半導体層、第1の電極及び第2の電極を含む半導体装置であって、前記半導体層と第1の電極とが、熱硬化樹脂である第1の樹脂で覆われており、第2の電極と第1の樹脂とが、熱硬化樹脂である第2の樹脂で覆われており、前記半導体層が、っ酸化物半導体を主成分として含むを特徴とする半導体装置。 【選択図】なし

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