公开(公告)号：JP5303696B2

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：JP2007520436

申请日：2005-07-06

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 章彦 村井 ,  リー・マッカーシー ,  ウメシュ・ケー・ミシュラ ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  カールステン・クルーゼ ,  シュテファン・フィゲ ,  デトレフ・ホンメル

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/187 ,  H01L33/0079

Abstract: A method for producing a wafer bonded structure between (Al, In, Ga)N and Zn(S,Se). A highly reflective and conductive distributed Bragg reflector (DBR) for relatively short optical wave lengths can be fabricated using Zn(S,Se) and MgS/(Zn, Cd)Se materials. Using wafer bonding techniques, these high-quality DBR structures can be combined with a GaN-based optical device structure.

公开(公告)号：JP2008506259A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：JP2007520436

申请日：2005-07-06

Applicant: ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  ユニバーシタット ブレーメン ,  独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： ウメシュ・ケー・ミシュラ ,  カールステン・クルーゼ ,  シュテファン・フィゲ ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  デトレフ・ホンメル ,  リー・マッカーシー ,  章彦 村井

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/187 ,  H01L33/0079

Abstract: （Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮおよびＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間のウェハボンディング構造を作製する方法。 比較的短い光の波長に対して高反射でかつ導電性のある分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）をＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）およびＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅ材料を用いて作製できる。 ウェハボンディング技術を用いて、この高品質ＤＢＲ構造をＧａＮ系光デバイス構造と組み合わせることができる。